二維材料的太赫茲波譜特性研究

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1、電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA專業(yè)學(xué)位碩士學(xué)位論文MASTERTHESISFORPROFESSIONALDEGREE論文題目二維材料的太赫茲波譜特性研究專業(yè)學(xué)位類別工程碩士學(xué)號(hào)201522040854作者姓名王家福指導(dǎo)教師周俊副教授分類號(hào)密級(jí)注1UDC學(xué)位論文二維材料的太赫茲波譜特性研究（題名和副題名）王家福（作者姓名）指導(dǎo)教師周俊副教授電子科技大學(xué)成都（姓名、職稱、單位名稱）申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)學(xué)位類別工程碩士工程領(lǐng)域名稱電子與通信工程提交論文日期2018.03論文答辯日期2018.05學(xué)位授予

2、單位和日期電子科技大學(xué)2018年6月答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人注1：注明《國際十進(jìn)分類法UDC》IIStudyonTerahertzSpectroscopicPropertiesofTwo-dimensionalMaterialsAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaDiscipline:MasterofEngineeringAuthor:WangJiaFuSupervisor:ZhouJunSchool:SchoolofElectronicScienceandEnginee

3、ring獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教Ｗ機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一工作的同志對(duì)木研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明Ｎ確的說明并表示謝意。作者簽名：日期：年ｄ月日＾論文使用授權(quán)本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的炱印件和磁盤，允許論文被査閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將

4、學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。（保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定）作者簽名：導(dǎo)師簽名：日期：年《月日ｊ摘要摘要近年來，太赫茲波的研究越來越受到全世界的關(guān)注，這是因?yàn)殡S著太赫茲輻射源技術(shù)的進(jìn)步和太赫茲波特性的深入探索，使得其在生物科學(xué)、醫(yī)學(xué)成像、通信、安全檢查等應(yīng)用方面帶來深遠(yuǎn)的影響。伴隨著石墨烯的出現(xiàn)，二維材料成為了近年來各領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，目前已經(jīng)被應(yīng)用在了傳感器、電池、航空航天等各種領(lǐng)域。二維材料和太赫茲技術(shù)的結(jié)合使它們被應(yīng)用在了太赫茲調(diào)制器、太赫茲檢測器、太赫茲透明電極等各

5、種器件上，由此越來越多的研究者想了解二維材料在太赫茲波段的特性。研究二維材料太赫茲波譜的特性是使得它能夠被充分利用于太赫茲領(lǐng)域的一個(gè)首要前提，這也是本文章中研究的目的。本論文主要的研究內(nèi)容和所得的結(jié)果如下：（1）在太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，總結(jié)了二維材料的太赫茲波譜特性提取。利用常規(guī)的太赫茲光譜分析方法為基礎(chǔ)，提出了針對(duì)襯底薄膜材料的實(shí)驗(yàn)方案和數(shù)據(jù)處理方式。結(jié)合兩種方法推導(dǎo)并給出了襯底薄膜材料電導(dǎo)率公式，得到了石墨烯和單層二硫化鉬的太赫茲波譜和電導(dǎo)率特性。（2）太赫茲波段二維材料光泵浦下的波譜特性研究。在原有常規(guī)固體樣品實(shí)驗(yàn)方法和數(shù)據(jù)處理方式的基礎(chǔ)上，實(shí)驗(yàn)總結(jié)了光泵浦下太赫

6、茲時(shí)域光譜儀測量二維材料的實(shí)驗(yàn)方案和數(shù)據(jù)處理方式。得到了fs激光光泵浦下硅襯底、二氧化硅/硅襯底、石墨烯和單層二硫化鉬的太赫茲波譜變化規(guī)律，同時(shí)得到了光泵浦下石墨烯和單層二硫化鉬的電導(dǎo)率譜變化規(guī)律。（3）太赫茲波段二維材料變溫下的波譜特性研究。介紹變溫的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和總結(jié)實(shí)驗(yàn)中遇到的問題，實(shí)驗(yàn)總結(jié)了從低溫90K到高溫500K變溫下太赫茲時(shí)域光譜儀測量二維材料的實(shí)驗(yàn)方案和數(shù)據(jù)處理方法。得到不同溫度點(diǎn)下硅襯底、二氧化硅/硅襯底、石英襯底、石墨烯和單層二硫化鉬的太赫茲波譜變化，同時(shí)得到了變溫下石墨烯和單層二硫化鉬的電導(dǎo)率譜變化規(guī)律。關(guān)鍵詞：太赫茲，二維材料，薄膜電導(dǎo)率，波譜IABSTR

7、ACTABSTRACTInrecentyears,researchonterahertzwaveshasreceivedincreasingattentionfromtheworld.Withtheadvancementofterahertzradiationsourcetechnologyandtheexplorationofthecharacteristicsofterahertzwaves,madeithaveaprofoundimpactonbiologicalsciences,medicali