ZnO薄膜的研究與制備情況

ZnO薄膜的研究與制備情況

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1、ZnO薄膜的研究與制備情況ContentsPage目錄頁(yè)ZnO的晶體結(jié)構(gòu)04ZnO薄膜當(dāng)前研究情況01ZnO的晶體結(jié)構(gòu)02ZnO的性質(zhì)與應(yīng)用03ZnO薄膜的制備方法TransitionPage過渡頁(yè)04ZnO薄膜當(dāng)前研究情況01清晰的內(nèi)容設(shè)定02ZnO的性質(zhì)與應(yīng)用03ZnO薄膜的制備方法01清晰的內(nèi)容設(shè)定01ZnO的晶體結(jié)構(gòu)01晶體結(jié)構(gòu)氧化鋅晶體有三種結(jié)構(gòu):六邊纖鋅礦結(jié)構(gòu)、立方閃鋅礦結(jié)構(gòu),以及比較罕見的氯化鈉式八面體結(jié)構(gòu)。六邊纖鋅礦結(jié)構(gòu)在三者中穩(wěn)定性最高,因而最常見。立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)可由逐漸在表面生成氧化鋅的

2、方式獲得。在兩種晶體中,每個(gè)鋅或氧原子都與相鄰原子組成以其為中心的正四面體結(jié)構(gòu)。八面體結(jié)構(gòu)則只曾在100億帕斯卡的高壓條件下被觀察到。纖鋅礦結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)有中心對(duì)稱性,但都沒有軸對(duì)稱性。晶體的對(duì)稱性質(zhì)使得纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)具有壓電效應(yīng)。纖鋅礦結(jié)構(gòu)的點(diǎn)群為6mm(國(guó)際符號(hào)表示),空間群是P63mc。晶格常量中,a=3.25埃,c=5.2埃;c/a比率約為1.60,接近1.633的理想六邊形比例。在半導(dǎo)體材料中,鋅、氧多以離子鍵結(jié)合,是其壓電性高的原因之一。01晶體結(jié)構(gòu)TransitionPage過渡頁(yè)0

3、4ZnO薄膜當(dāng)前研究情況02巧妙的母版設(shè)計(jì)03ZnO薄膜的制備方法01ZnO的晶體結(jié)構(gòu)02ZnO的性質(zhì)與應(yīng)用02性質(zhì)物理性質(zhì):外觀和性狀:白色粉末或六角晶系結(jié)晶體。無嗅無味,無砂性。受熱變?yōu)辄S色,冷卻后重又變?yōu)榘咨訜嶂?800℃時(shí)升華。溶解性:溶于酸、濃氫氧化堿、氨水和銨鹽溶液,不溶于水、乙醇?;瘜W(xué)性質(zhì):氧化鋅是一種著名的白色的顏料,俗名叫鋅白。它的優(yōu)點(diǎn)是遇到H2S氣體不變黑。在加熱時(shí),ZnO由白、淺黃逐步變?yōu)闄幟庶S色,當(dāng)冷卻后黃色便退去,利用這一特性,把它摻入油漆或加入溫度計(jì)中,做成變色油漆或變色溫度計(jì)

4、。因ZnO有收斂性和一定的殺菌能力,在醫(yī)藥上常調(diào)制成軟膏使用,ZnO還可用作催化劑。02應(yīng)用太陽(yáng)能電池?:太陽(yáng)能電池是ZnO薄膜的一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域。通過LPCVD法制得的ZnO薄膜擁有粗糙的平面,使其擁有較好的光散射性能。ZnO受高能粒子輻射損傷較小,特別適合于太空中使用。ZnO在適當(dāng)?shù)膿诫s下表現(xiàn)出低阻特征,可用作太陽(yáng)能電池的透明電極。而且Al摻雜可使ZnO薄膜的禁帶寬度增大,且具有較高的透光率,高透光率和可調(diào)的禁帶寬度使其適合作為太陽(yáng)能電池窗口材料。Al摻雜ZnO薄膜在氣敏傳感器方面應(yīng)用效果也非常顯著。當(dāng)

5、然,也可運(yùn)用于發(fā)光器件,?緩沖層?,?壓電器件等方面。TransitionPage過渡頁(yè)01ZnO的晶體結(jié)構(gòu)02ZnO的性質(zhì)與應(yīng)用03簡(jiǎn)單的展示思路03ZnO薄膜的制備方法04ZnO薄膜當(dāng)前研究情況03制備方法制備方法——化學(xué)方法脈沖激光沉積法(PLD)分子束外延技術(shù)(MBE)超聲噴霧熱分解法(USP)磁控濺射法(MS)化學(xué)氣相沉積法(CVD)溶膠-凝膠法(Sol-gel)03制備方法愿使命核心價(jià)值觀各模塊理念磁控濺射法(MS)是目前(尤其是國(guó)內(nèi))研究最多、最成熟的一種ZnO薄膜制備方法。此法適用于各種壓電

6、、氣敏和透明導(dǎo)體用優(yōu)質(zhì)ZnO薄膜的制備。用此法即使在非晶襯底上也可得到高度C軸取向的ZnO薄膜。濺射是利用荷能粒子轟擊靶材,使靶材原子或分子被濺射出來并沉積到襯底表面的一種工藝。根據(jù)靶材在沉積過程中是否發(fā)生化學(xué)變化,可分為普通濺射和反應(yīng)濺射。若靶材是Zn,沉積過程中Zn與環(huán)境氣氛中的氧氣發(fā)生反應(yīng)生成ZnO則是反應(yīng)濺射;若靶材是ZnO陶瓷,沉積過程中無化學(xué)變化則為普通濺射法。03制備方法03制備方法超聲噴霧熱解方法(USP)超聲噴霧熱解法是通過將金屬鹽溶液霧化后噴入高溫區(qū),使金屬鹽在高溫下分解形成薄膜。此法非

7、常容易實(shí)現(xiàn)摻雜,通過加入氯鹽摻雜Al和In等元素,可以獲得電學(xué)性質(zhì)優(yōu)異的薄膜,還可以制備出具有納米顆粒結(jié)構(gòu)、性能優(yōu)異的薄膜。這種方法的溶液一般是用醋酸鋅溶于有機(jī)溶劑或含醋酸的去離子水中。噴霧熱解法的設(shè)備與工藝簡(jiǎn)單,但也可生長(zhǎng)出與其他方法可比擬的優(yōu)良的ZnO薄膜,且易于實(shí)現(xiàn)摻雜,是一種非常經(jīng)濟(jì)的薄膜制備方法,有望實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘮U(kuò)大生產(chǎn),用于商業(yè)用途。TransitionPage過渡頁(yè)04快捷的操作技巧01ZnO的晶體結(jié)構(gòu)02ZnO的性質(zhì)與應(yīng)用03ZnO薄膜的制備方法04ZnO薄膜當(dāng)前研究情況04研究情況ZnO薄膜

8、在晶格、光電、壓電、氣敏、壓敏等許多方面具有優(yōu)異的性能,熱穩(wěn)定性高,在表面聲波器件、太陽(yáng)能電池、氣敏和壓敏器件等很多方面得到了較為廣泛的應(yīng)用,在紫外探測(cè)器、LED、LD等諸多領(lǐng)域也有著巨大的開發(fā)潛力。而且ZnO薄膜的許多制作工藝和集成電路工藝相容,可與硅等多種半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)集成化,因而備受人們重視,具有廣闊的發(fā)展前景。04研究情況盡管人們已對(duì)ZnO薄膜進(jìn)行了廣泛的研究,并取得了一些有價(jià)值的研究成果,但是仍存在一些

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