電力電子變流技術(shù)2013.10.12答案

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1、2013年電力電子變流技術(shù)試卷（A)專業(yè)------姓名-------座號-------成績---------一、填空：（15分）1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流。2.電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。3.IGBT是電壓驅(qū)動型器件，IGBT的驅(qū)動多采用專用的混合集成驅(qū)動器。4.三相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，晶閘管承受的最大反向電壓為_______，設(shè)變壓器二次相電壓有效值為U2。5.單相全控橋式整流電路帶電感性負(fù)載，晶閘管的移相范圍是_______。6.晶閘管串聯(lián)時(shí)，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是_______措施。7.

2、單相半控橋式整流電路有續(xù)流二極管電感性負(fù)載，設(shè)觸發(fā)角為α，則整流二極管的導(dǎo)通角為_______。8.門極可關(guān)斷晶閘管是一種_______________層結(jié)構(gòu)的三端器件。9.功率晶體管開通時(shí)間ton=_______________。10.功率晶體管的反向偏置安全工作區(qū)比正向偏置安全工作區(qū)_______________。11.產(chǎn)生有源逆變的條件之一是變流電路輸出的直流平均電壓的極性必須與整流工作狀態(tài)輸出平均電壓的極性_______________。12.三相全控橋式變流電路帶大電感負(fù)載，當(dāng)α=75°時(shí)，在自然換相點(diǎn)之前整流輸出電壓為正值，交流電源提供能量，電感______________

3、_。13.直流到直流的變換器有兩種主要形式：一種是逆變整流型，另一種是_______________型。14.晶閘管的三個(gè)引出電極分別是陽極、門極和_______________。15.晶閘管的維持電流IH是指晶閘管維持導(dǎo)通所需的_______________電流。二、單項(xiàng)選擇題（15分）1．將交流電能轉(zhuǎn)換成直流電能的變換器為（　　　）A．整流器B．逆變器C．?dāng)夭ㄆ鱀．交交變頻器2．電流型逆變器中間直流環(huán)節(jié)儲能元件是（　　?。〢．電容B．電感C．蓄電池D．電動機(jī)3．采用多重化電壓源型逆變器的主要目的是（　　?。〢．減小輸出電壓幅值B．增大輸出電壓幅值C．減小輸出電壓諧波D．減小輸出電壓

4、功率4．若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是（　　　）A．增大三角波幅度B．增大三角波頻率C．增大正弦調(diào)制波頻率D．增大正弦調(diào)制波幅度5．快速熔斷器可用于過電流保護(hù)的電力電子器件是（　　?。〢．功率晶體管B．IGBTC．功率MOSFETD．晶閘管6．如下變流器中，輸出電壓可能出現(xiàn)負(fù)值的變流電路是（　　?。〢．三相半波可控整流帶阻感負(fù)載電路B．單相橋式半控整流帶電阻性負(fù)載電路C．接有續(xù)流二極管的三相半控橋式整流電路D．接有續(xù)流二極管的單相半波可控整流電路7．三相橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)，其整流側(cè)平均輸出電壓Uo與直流反電動勢電源Ed的關(guān)系為（　　?。〢．

5、Uo

6、

7、<

8、Ed

9、B．

10、Uo

11、>

12、Ed

13、C．Uo=EdD．

14、Uo

15、=

16、Ed

17、8．逆變電路的功能是將直流電能轉(zhuǎn)換為（　　?。〢．直流電能B．交流電能C．磁場能D．化學(xué)能9．下面四個(gè)電力電子器件中，屬于全控型電力電子器件的是（　　?。〢．二極管B．晶閘管C．功率晶體管D．逆導(dǎo)晶閘管10．單相全控橋式電阻性負(fù)載電路中，晶閘管可能承受的最大正向電壓為（　　?。?。設(shè)U2為變壓器二次側(cè)相電壓有效值。A．U2B．2U2C．U2D．U211．單相全控橋式整流大電感負(fù)載電路中，控制角α的移相范圍是（　　?。〢．0°~90°B．0°~180°C．90°~180°D．180°~360°12．單相全控橋式整流帶反電

18、動勢負(fù)載電路中，當(dāng)控制角α大于不導(dǎo)電角δ時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角θ等于（　　?。〢．π-αB．π+αC．π-δ-αD．π+δ-α13．三相半波可控整流電路，換相重疊角與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)_________，設(shè)U2為整流輸入相電壓有效值，α為控制角，Id為負(fù)載電流，Xc為變壓器漏抗（　　?。〢．α、Id及XcB．α及IdC．α及U2D．α、U2及Xc14．三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是（　　　）A．交流相電壓的過零點(diǎn)B．本相相電壓與相鄰相電壓的交點(diǎn)C．比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)超前30°D．比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后60°15．單相全控橋式整流大電感負(fù)載電路中，晶閘管可能承受的最

19、大正向電壓為_______，設(shè)U2為整流輸入相電壓有效值（　　?。〢．U2B．U2C．2U2D．U2三、問答題（40分）1.如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？答：電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當(dāng)柵極開路時(shí)極易受靜電干擾而充上超過20的擊穿電壓，所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：①一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接；②裝配時(shí)人體、工作臺、電烙鐵必須接地，