附件進(jìn)口設(shè)備技術(shù)參數(shù)

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1、附件：進(jìn)口設(shè)備技術(shù)參數(shù)場發(fā)射透射電鏡序號(hào)設(shè)備名稱技術(shù)要求數(shù)量1場發(fā)射透射電鏡1.工作條件1.1電力供應(yīng)：220V（±10%），50Hz1.2工作溫度：18°C-23°C1.3工作濕度：<80%(20°C)1.4儀器運(yùn)行的持久性：儀器可連續(xù)使用1.5儀器的工作狀態(tài)：較強(qiáng)的防震抗磁能力，工作穩(wěn)定1.6儀器設(shè)備的安全性：符合放射線防護(hù)安全標(biāo)準(zhǔn)和電器安全標(biāo)準(zhǔn)2.設(shè)備用途：2.1用于二維和三維尺度對(duì)材料科學(xué)進(jìn)行快速、精確的形貌觀察和微區(qū)的晶體結(jié)構(gòu)和定量表征，選擇特定設(shè)計(jì)的樣品臺(tái)進(jìn)行原位動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)。本系統(tǒng)主要有電子光學(xué)系統(tǒng)、高

2、壓系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等部分組成。3.技術(shù)規(guī)格3.1分辨率3.1.1信息分辨率：≤0.12nm（要求現(xiàn)場驗(yàn)收）3.1.2點(diǎn)分辨率：≤0.25nm（要求現(xiàn)場驗(yàn)收）3.1.3掃描透射分辨率：≤0.16nm（要求現(xiàn)場驗(yàn)收）3.2加速電壓3.2.1加速電壓：20kV–200kV高壓范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，包含20kV,80kV,120kV,160kV和200kV的常用高壓3.2.2加速電壓全程范圍內(nèi)切換僅需通過軟件控制完成3.2.3高壓穩(wěn)定性：≤1ppm/10min3.3電子槍3.3.1電子槍類型：超高亮度高穩(wěn)定度的肖特基場發(fā)射電子槍

3、3.3.2束流：1nm束斑電流≥1.0nA3.3.4高亮電子槍，探針電流≥150nA@200kV3.3.5束斑漂移：<1nm/min13.3.6最小能量分辨率：≤0.7eV3.4最小束斑尺寸3.4.1平行光照明模式：最小束斑≤1.2nm3.4.2匯聚束照明模式：最小束斑≤0.5nm3.5會(huì)聚束電子衍射（CBED）3.5.1最大衍射角：≥±13°（半角）；最大接受角≥100°3.6透鏡系統(tǒng)3.6.1球差系數(shù)：≤1.5mm3.6.2色差系數(shù)：≤1.6mm3.6.3最小聚焦步長：≤3nm3.6.4恒功率設(shè)計(jì)，消除在不同

4、模式切換以及放大倍數(shù)調(diào)整時(shí)產(chǎn)生的熱效應(yīng)，保證成像與分析的超高穩(wěn)定性3.6.5全自動(dòng)光闌系統(tǒng)，包括全自動(dòng)化一級(jí)、二級(jí)聚光鏡光闌，及選區(qū)光闌和物鏡光闌，最好是帶位置記憶功能3.7TEM放大系統(tǒng)3.7.1放大倍數(shù)：不窄于25-1,500,000倍3.7.2放大倍數(shù)重復(fù)性：<1.5%3.8相機(jī)長度：最小≤12mm；最大≥5700mm，保證選區(qū)衍射和高階衍射成像并能通過CMOS拍照。3.9掃描透射(STEM)3.9.1分辨率：0.16nm3.9.2配置更先進(jìn)的高角環(huán)形暗場探頭（HAADF），保證TEM能拍攝高分辨明場BF像

5、的同時(shí)，STEM能快速拍攝高質(zhì)量的暗場DF像和高角環(huán)形暗場HAADF像3.9.3STEM放大倍數(shù)：150-230M倍3.9.3TEM與STEM模式相互切換后所需熱穩(wěn)定時(shí)間小于30秒，保證BF、DF和HAADF圖像采集的無縫式切換3.10樣品臺(tái)3.10.1五軸優(yōu)中心高精度自動(dòng)樣品臺(tái)，觀察點(diǎn)位置可以標(biāo)記存儲(chǔ)并返回3.10.2最大傾斜角度：±90°3.10.3最小樣品傾斜角度不小于(α/β)±30°/±30°3.10.4樣品移動(dòng)范圍：X,Y≥2mm；Z≥0.75mm3.10.5樣品漂移速率（使用標(biāo)準(zhǔn)樣品桿）：≤0.5n

6、m/min3.10.6配備單傾樣品桿一根，高靈敏低背景雙傾樣品桿一根3.11能譜儀探測(cè)器3.11.1對(duì)稱式的雙電制冷能譜，無窗設(shè)計(jì)，集成在電鏡極靴內(nèi)，可靈活拆裝，保留升級(jí)到四個(gè)能譜的接口3.11.2能量分辨率：≤136eV(Mn-Ka)，在輸出計(jì)數(shù)率10kcps內(nèi)保持不變3.11.3元素分析范圍：從B（5）-Am（95）3.11.4最大輸入計(jì)數(shù)率：≥500Kcps3.11.5EDS立體角：≥0.45srad3.11.6EDS最高耐熱溫度：≥1000°C，保證后期的加熱升級(jí)3.11.7可進(jìn)行快速原子級(jí)尺寸的點(diǎn)、線、

7、面的定性定量分析，全息面分布分析，具有譜峰剝離和譜峰重構(gòu)功能3.11.8對(duì)于納米級(jí)球狀樣品，在不轉(zhuǎn)動(dòng)樣品的前提下，能從多角度收集X射線性能3.12.9面分布分析最快速度：≤10μs/pixel3.12.10可同步實(shí)時(shí)進(jìn)行STEM圖像采集和EDS分析3.12數(shù)字化照相系統(tǒng)成像相機(jī)是透射電鏡的必要附件，用于透射電鏡形貌像和電子衍射花樣的數(shù)字化像的記錄，具有數(shù)字化圖像處理的功能，具有快速的連續(xù)記錄功能，與所購電鏡完美匹配。3.12.1雙相機(jī)圖像采集系統(tǒng)，配置光子和電子之間可直接轉(zhuǎn)換的CMOS相機(jī)一個(gè)，光纖耦合CCD相機(jī)

8、一個(gè)，與電鏡一體化。3.12.2CMOS相機(jī)最大像素：≥40964096，像素大小：≥14um14um3.12.3安裝方式：底裝3.12.4具有較高的讀取速度，適合拍攝動(dòng)態(tài)錄像功能，拍攝速度應(yīng)不小于25fps@512kx512k3.12.5具有大的動(dòng)態(tài)范圍可以快速直接拍攝衍射花樣和低劑量圖像3.12.6配置的CMOS相機(jī)應(yīng)支持可拔插設(shè)計(jì)3.12.7支持客戶根據(jù)電鏡語言進(jìn)行