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《電阻及dcdc轉(zhuǎn)換器低頻噪聲檢測(cè)技術(shù)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、摘要近年來(lái)，隨著對(duì)電子元器件低頻噪聲的深入研究，人們發(fā)現(xiàn)噪聲是電子元器件內(nèi)部潛在缺陷的敏感反映。眾所周知，大部分器件的失效都是由于器件制造或運(yùn)行期間產(chǎn)生的潛在缺陷產(chǎn)生的。因此可以用電子元器件低頻噪聲來(lái)分析器件可靠性。目前這種方法正在被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體器件。包括MOSFET、量子阱、厚膜和薄膜電阻、鉭電容器、單晶材料等元件的可靠性分析方面。噪聲已經(jīng)成為電子器件可靠性評(píng)價(jià)與篩選的一種簡(jiǎn)單而有效的新手段。作為一種可靠性表征手段，電子元器件的低頻噪聲可靠性表征技術(shù)具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：普遍適用性、高度靈敏性、非破壞性以及檢測(cè)速度較快等優(yōu)點(diǎn)。目前
2、有關(guān)此方面的研究仍是一個(gè)非?；钴S的領(lǐng)域，尚待解決的問(wèn)題仍然很多，比如超低阻器件低頻噪聲的檢測(cè)與分析技術(shù)、具備復(fù)雜電路模塊器件低頻噪聲的檢測(cè)與分析技術(shù)等等。本文通過(guò)對(duì)電導(dǎo)噪聲測(cè)量技術(shù)基礎(chǔ)理論的詳細(xì)研究與分析，給出了一些電導(dǎo)噪聲測(cè)試的基本理論與方法。在總結(jié)自己實(shí)際噪聲測(cè)試實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)上，給出了一些噪聲測(cè)試過(guò)程中的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，并且完成DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲的測(cè)量與分析技術(shù)，解決了噪聲信號(hào)中包含周期干擾信號(hào)時(shí)的處理方法。本文研究工作的主要結(jié)果和創(chuàng)新點(diǎn)包括：1．系統(tǒng)性地分析了電子元器件低頻噪聲測(cè)試方法；2．在實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)上總結(jié)了噪聲測(cè)試中的具體實(shí)驗(yàn)技
3、術(shù)；3．通過(guò)對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器工作特點(diǎn)分析，根據(jù)電導(dǎo)噪聲的測(cè)量方法，確定了DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試方案；4、提出并分析了從DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試結(jié)果中去除其電路結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的交流干擾信號(hào)的處理方法。關(guān)鍵詞：1，f噪聲，g-r噪聲，厚膜電阻，薄膜電阻，DaDc轉(zhuǎn)換器，低頻噪聲AbstractAlongwiththestuddingofLowfrequencynoiseofelectrondevices，wecanfindoutthattheLowfrequencynoiseofelectrondevicesissensitivi
4、tyreflectthelatencydisfigurementofelectrondevices．AsweallknowthattheinvalidationofmostelectrondevicesCOmOSfromthelatencydisfigurementofelectrondevices．SowecanusetheLOwfrequencynoiseofelectrondevicesasareliabilitywaysoftheelectrondevices．Now,thismethodWaswidelyusedtoind
5、icatethereliabilityofmostoftheelectrondevices．Suchas：MOSFET,thinfilmandthickfilmresistem，tantalumcapacitor,singleCrystal．Asone-wayofindicatingthereliabilityofelectrondevices,noisehasbecomeabricfandeffectivewaytoindicatethereliabilityofelectrondevices．Uptonow,thefieldof
6、lowfrequencynoiseisaveryactivityfield．Therearealsomanyproblemstobesolved．Suchas：themeasurementoflowimpedanceandtheelectrondevicethathavecomplexcircuit．Onthecarefulnessstudyofmeasurementoflowfrequencynoise，Igavesomemethodsoflowfrequencynoisemeasurement．Basingonmyownexpe
7、rimentation，Igavesomeexperimentaltechnologyofnoisemeasurement．Inthistext,Ialsoaccomplishthemeasurementofthedevice--DC／DCconverts—tIlathavecomplexcircuit．Inmypaper,Ichieflygivesuchcontentas：1．Analyzingthemeasurementoflowfrequencynoiseofelectrondevicessystemically．2．Basi
8、ngonmyownexperimentation,Igavesomeexperimentaltechnologyofnoisemeasurement．3．Accomplishingthemeasurementofthedevice··
