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《SRAM DRAM的區(qū)別》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、SRAM的特點是工作速度快,只要電源不撤除,寫入SRAM的信息就不會消失,不需要刷新電路,同時在讀出時不破壞原來存放的信息,一經(jīng)寫入可多次讀出,但集成度較低,功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。DRAM是動態(tài)隨機存儲器(DynamicRandomAccessMemory),它是利用場效應(yīng)管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息,以存儲電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示“1”和“0”。DRAM每個存儲單元所需的場效應(yīng)管較少,常見的有4管,3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高,功耗也較低,
2、但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失,一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息,必須每隔1~2ms對其刷新一次。因此,采用DRAM的計算機必須配置動態(tài)刷新電路,防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。SSRAM是synchronousstaticrandomaccessmemory的縮寫,即同步靜態(tài)隨機存取存儲器。?同步是指Memory工作需要步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀
3、寫。?對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。這一點與異步SRAM不同,異步SRAM的訪問獨立于時鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。?同步SRMA比異步SRAM更快。?內(nèi)存,或內(nèi)存儲器,又稱為主存儲器,是關(guān)系到計算機運行性能高低的關(guān)鍵部件之一,無疑是非常重要的。為了加快系統(tǒng)的速度,提高系統(tǒng)的整體性能,我們看到,計算機中配置的內(nèi)存數(shù)量越來越大,而內(nèi)存的種類也越來越多。?內(nèi)存新技術(shù)?計算機指令的存取時間主要取決于內(nèi)存。對于現(xiàn)今的大多數(shù)計算機系統(tǒng),內(nèi)存的存取時間都是一
4、個主要的制約系統(tǒng)性能提高的因素。因此在判斷某一系統(tǒng)的性能時,就不能單憑內(nèi)存數(shù)量的大小,還要看一看其所用內(nèi)存的種類,工作速度。?有關(guān)內(nèi)存的名詞?關(guān)于內(nèi)存的名詞眾多。為了便于讀者查閱,下面集中進行介紹。?ROM:只讀存儲器?RAM(RandomAccessMemory):隨機存儲器?DRAM(DynamicRAM):動態(tài)隨機存儲器?PMRAM(PageModeRAM):頁模式隨機存儲器(即普通內(nèi)存)?FPMRAM(FastPageModeRAM):快速頁模式隨機存儲器?EDORAM(ExtendedDataOutputRAM)
5、擴充數(shù)據(jù)輸出隨機存儲器?BEDORAM(BurstExtendedDataOutputRAM):突發(fā)擴充數(shù)據(jù)輸出隨機存儲器?SDRAM(SychronousDynamicRAM):同步動態(tài)隨機存儲器?SRAM(StaticRAM):靜態(tài)隨機存儲器?AsyncSRAM(AsynchronousStaticRAM):異步靜態(tài)隨機存儲器?SyncBurstSRAM(SynchronousBurstStacicRAM):同步突發(fā)靜態(tài)隨機存儲器?PBSRAM(PipelinedBurstSRAM):管道(流水線)突發(fā)靜態(tài)隨機存儲器?
6、Cache:高速緩存?L2Cache(Level2Cache):二級高速緩存(通常由SRAM組成)?VRAM(VideoRAM):視頻隨機存儲器?CVRAM(CachedVedioRAM):緩存型視頻隨機存儲器?SVRAM(SynchronousVRAM):同步視頻隨機存儲器?CDRAM(CachedDRAM):緩存型動態(tài)隨機存儲器?EDRAM(EnhancedDRAM):增強型動態(tài)隨機存儲器?各種內(nèi)存及技術(shù)特點?DRAM動態(tài)隨機存儲器?DRAM主要用作主存儲器。長期以來,我們所用的動態(tài)隨機存儲器都是PMRAM,稍晚些的為
7、FPMRAM。為了跟上CPU越來越快的速度,一些新類型的主存儲器被研制出來。它們是EDORAM、BEDORAM、SDRAM等。?DRAM芯片設(shè)計得象一個二進制位的矩陣,每一個位有一個行地址一個列地址。內(nèi)存控制器要給出芯片地址才能從芯片中讀出指定位的數(shù)據(jù)。一個標(biāo)明為70ns的芯片要用70ns的時間讀出一個位的數(shù)據(jù)。并且還要用額外的時間從CPU得到地址信息設(shè)置下一條指令。芯片制作技術(shù)的不斷進步使這種處理效率越來越高。?FPMRAM快速頁模式隨機存儲器?這里的所謂“頁”,指的是DRAM芯片中存儲陣列上的2048位片斷。FPMRA
8、M是最早的隨機存儲器,在過去一直是主流PC機的標(biāo)準(zhǔn)配置,以前我們在談?wù)搩?nèi)存速度時所說的“杠7”,“杠6”,指的即是其存取時間為70ns,60ns。60ns的FPMRAM可用于總線速度為66MHz(兆赫茲)的奔騰系統(tǒng)(CPU主頻為100,133,166和200MHz)。?快速頁模式的內(nèi)存常用于視頻卡,通常