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《半導(dǎo)體及其本征特征》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、半導(dǎo)體及其基本特性第二章固體材料:超導(dǎo)體:大于106(?cm)-1導(dǎo)體:106~104(?cm)-1半導(dǎo)體:104~10-10(?cm)-1絕緣體:小于10-10(?cm)-1?什么是半導(dǎo)體從導(dǎo)電特性(電導(dǎo)率)和機制來分:不同電阻特性不同輸運機制1.半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)原子結(jié)合形式:共價鍵形成的晶體結(jié)構(gòu):構(gòu)成一個正四面體,具有金剛石晶體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的結(jié)合和晶體結(jié)構(gòu)金剛石結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體有元素半導(dǎo)體,如:Si、Ge化合物半導(dǎo)體,如:GaAs、InP、InSb、GaP2.半導(dǎo)體中的載流子:能夠?qū)щ姷淖杂闪W颖菊靼雽?dǎo)體:n=p=ni+4+4+4+4+4+4+4+4+4
2、完全純凈的、不含其他雜質(zhì)且具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體將硅或鍺材料提純便形成單晶體,它的原子結(jié)構(gòu)為共價鍵結(jié)構(gòu)。價電子共價鍵圖1.1.1 本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖二、本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)當(dāng)溫度T=0K時,半導(dǎo)體不導(dǎo)電,如同絕緣體。+4+4+4+4+4+4+4+4+4圖1.1.2 本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴自由電子空穴若T?,將有少數(shù)價電子克服共價鍵的束縛成為自由電子,在原來的共價鍵中留下一個空位——空穴。T?自由電子和空穴使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力,但很微弱??昭煽闯蓭д姷妮d流子。三、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子(動畫1-1)(動畫1-2)電子:
3、Electron,帶負電的導(dǎo)電載流子,是價電子脫離原子束縛后形成的自由電子,對應(yīng)于導(dǎo)帶中占據(jù)的電子空穴:Hole,帶正電的導(dǎo)電載流子,是價電子脫離原子束縛后形成的電子空位,對應(yīng)于價帶中的電子空位四、本征半導(dǎo)體中載流子的濃度在一定溫度下本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的,并且自由電子與空穴的濃度相等。本征半導(dǎo)體中載流子的濃度公式:T=300K室溫下,本征硅的電子和空穴濃度:n=p=1.43×1010/cm3本征鍺的電子和空穴濃度:n=p=2.38×1013/cm3本征激發(fā)復(fù)合動態(tài)平衡1.半導(dǎo)體中兩種載流子帶負電的自由電子帶正電的空穴2.本征半導(dǎo)體中,
4、自由電子和空穴總是成對出現(xiàn), 稱為電子-空穴對。3.本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的濃度用ni和pi表示,顯然ni=pi。4.由于物質(zhì)的運動,自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又 不斷的復(fù)合。在一定的溫度下,產(chǎn)生與復(fù)合運動 會達到平衡,載流子的濃度就一定了。5.載流子的濃度與溫度密切相關(guān),它隨著溫度的升 高,基本按指數(shù)規(guī)律增加。小結(jié):3.半導(dǎo)體的能帶(價帶、導(dǎo)帶和帶隙)量子態(tài)和能級固體的能帶結(jié)構(gòu)原子能級能帶共價鍵固體中價電子的量子態(tài)和能級共價鍵固體:成鍵態(tài)、反鍵態(tài)原子能級反成鍵態(tài)成鍵態(tài)價帶:0K條件下被電子填充的能量最高的能帶導(dǎo)帶:0K條件下未
5、被電子填充的能量最低的能帶禁帶:導(dǎo)帶底與價帶頂之間能帶帶隙:導(dǎo)帶底與價帶頂之間的能量差半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)導(dǎo)帶價帶Eg半導(dǎo)體中載流子的行為可以等效為自由粒子,但與真空中的自由粒子不同,考慮了晶格作用后的等效粒子有效質(zhì)量可正、可負,取決于與晶格的作用電子和空穴的有效質(zhì)量m*4.半導(dǎo)體的摻雜BAs受主摻雜施主摻雜1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體一、N型半導(dǎo)體(Negative)在硅或鍺的晶體中摻入少量的5價雜質(zhì)元素,如 磷、銻、砷等,即構(gòu)成N型半導(dǎo)體(或稱電子型 半導(dǎo)體)。常用的5價雜質(zhì)元素有磷、銻、砷等。本征半導(dǎo)體摻入5價
6、元素后,原來晶體中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。雜質(zhì)原子最外層有5個價電子,其中4個與硅構(gòu)成共價鍵,多余一個電子只受自身原子核吸引,在室溫下即可成為自由電子。自由電子濃度遠大于空穴的濃度,即n>>p。電子稱為多數(shù)載流子(簡稱多子),空穴稱為少數(shù)載流子(簡稱少子)。5價雜質(zhì)原子稱為施主原子。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由電子施主原子圖1.1.3N型半導(dǎo)體二、P型半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或鍺的晶體中摻入少量的3價雜質(zhì)元素,如硼、鎵、銦等,即構(gòu)成P型半導(dǎo)體。+3空穴濃度多于電子濃度,即p>>n??昭槎鄶?shù)載流子,電子
7、為少數(shù)載流子。3價雜質(zhì)原子稱為受主原子。受主原子空穴圖P型半導(dǎo)體說明:1.摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度;溫度決定少數(shù)載流子的濃度。3.雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。4.雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示。2.雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目要遠遠高于本征半導(dǎo)體,因而其導(dǎo)電能力大大改善。(a)N型半導(dǎo)體(b)P型半導(dǎo)體圖 雜質(zhì)半導(dǎo)體的的簡化表示法施主和受主濃度:ND、NA施主:Donor,摻入半導(dǎo)體的雜質(zhì)原子向半導(dǎo)體中提供導(dǎo)電的電子,當(dāng)此電子移動參與傳導(dǎo)電流時,施主原子的位置留下不能移動,并成為帶正電的離子。如Si中摻的P和As受主:Acceptor,摻入半導(dǎo)
8、體的雜質(zhì)原子向半導(dǎo)體中提供導(dǎo)電的空穴,當(dāng)此空穴移動參與傳導(dǎo)電流時,受主原子的位置留下不能移動,并成為帶負電的離子。如Si中摻的B施主能級