資源描述:
《淺談微細加工技術》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、淺談微細加工技術XX(xx學院機自1001班430205)[摘要]特種微細加工技術已成為許多工業(yè)領域產(chǎn)品制造技術群屮不可缺少的分支,在難切削材料、復雜型面、精細表面、低剛度零件及模具加工等領域中,已成為重要的工藝方法.H前,特種微細加工技術正處于蓬勃發(fā)展的階段。[關鍵詞]特種微細加工光刻技術發(fā)展成果引言一、微細加工技術發(fā)展研究微細加工技術是集成電路(101業(yè)的棊礎,是半導體器件研究的必要手段。其中的ic以動態(tài)隨機存儲器(0RAM)為代表,具有肉眼無法看見的記憶功能結構,而半導體器件以小尺寸器件為主。為了制備人規(guī)模集成電路(VL引)、超人
2、規(guī)模集成電路(ULSI)和最子器件,微細加工技術正由微米、亞微米、亞半微米一直向納米級和量子化方向發(fā)展。除了1C技術外,液晶顯示器(LCO)技術、微機械技術和光電子技術的發(fā)展同樣離不開微細加工技術水平的提高。人們越來越感到以微細加工技術為支柱的微電子技術正在成為一個國家綜合國力的重要體現(xiàn),成為國際競爭的焦點。因此許多發(fā)達國家kl前都加人了在微細加工技術研究方面的投資強度,以期取得微細加工技術領域的領先地位。微細加工技術包括曝光技術(即光刻技術)、刻蝕技術、淺結摻雜技術、超薄膜形成技術等。其中的曝光技術是微細加丄技術的核心。1、國外微細加
3、工技術在Ic方面的成就。國外微細加工技術在TC工業(yè)方面取得了很大的成就。表1是ORAM發(fā)展所要求達到的光刻技術水平和近年來ORAM的發(fā)展趨勢。需要特別提到的是,1991年,口本口立公司研制成功64M0RAM,其加工線寬為0.3微米,芯片面積為9.74X20.28平方毫米,集成度為1.21火1護個元器件;1992年,日本富士通公司推出256M0KAM,加工線寬為0.2微米,芯片面積為16火25平方毫米,集成度為5.6x1了個元器件。由衣5不難看到,國外在微細加丄技術淺析微細加「?技術研究方面収得的進展是很快的,以致于每隔幾年就能推出一代產(chǎn)
4、品。以卜?是生產(chǎn)256M0RAM所需達到的微細加工技術水平:光刻0.25微米(套刻精度士0.08微米,線寬控制0.04微米),無機口能真空處理的全干刻蝕劑技術,0.1微米以下淺結技術,低溫工藝仁平坦化,全干法加工、刻蝕、清洗,CV0鋁和銅金屬化,全自動化。Dfiam規(guī)模用小線?*)生產(chǎn)年代61k7.03.01978256k6.02.01980IM4.01.219843.00.8198616M2.50.5198864M2.06351991256M1.50.251GL50?18表52、國外微細加工技術在半導體器件研究方面的成就。國外微細
5、加工技術在半導體器件研究方面也取得了很人的成就。1993年,LI本東芝公司的研究開發(fā)屮心研制成功門長度僅為0.04微米的n溝道MOSFET,并且可在室溫下工作。徳儀(TI)公司在工993年也研制成功晶體管特征尺寸為0.02微米的集成電路,在該特征尺寸下,電子己經(jīng)停止了粒子活動,開始轉化為類似波的活動。目煎國外研制的日EM下器件的最小柵長僅為25納米。另外,國外也利用高水平的微細加工技術制作出了與電子相干長度相當?shù)募{米結構(包括量子線、量子點陣、量子點接觸等),并對其物理過程進行了廣泛的研究,提出了電子波器件的可能性。美國《物理評論》雜志
6、指出,以量了效應為基礎的電了波器件冇可能成為ULsl技術的基礎,并將導致未來電了學發(fā)展的一場新革命。國外在1C工業(yè)和半導體器件研究方面所取得的成就無一不得益于微細加工技術的發(fā)展??梢哉f,國外的微細加工技術正在朝著物理加工極限發(fā)展。二、我國的微細加工技術水平我國口從1985年研制出笫一塊IC芯片以來,微細加工技術取得了較大的進步。在0RAM研制方面,1986年研制成功64KDRAM,1990年研制出訓漢字ROM,其加工線寬為1.5微米,集成度為1.06X1護個元器件。1986年我國開始批量生產(chǎn)5微米技術產(chǎn)品,1994年開始批量生產(chǎn)3淺析微
7、細加工技術微米技術產(chǎn)品?!鞍宋濉笨萍脊リP項目安排了0.8微米技術,“攀登”計劃安排了0.5微米基礎技術研究。預計這些安排將會使我國在未來的IC工業(yè)競爭中取得一些主動權。但是必須清楚地看到,我國的微細加工水平與國外確實存在著較大的差距。在同步輻射X線光刻研究方面,我國已建立了BSRF和NSRL兩個同步輻射X射線光刻站。1990年6月,成功地進行了首次同步輻射X射線光刻實驗。1993年11月,同步輻射深光刻技術(即UGA技術)取得了較人進展。1、對微細加工的認識。鑒于微細加工技術是IC工業(yè)發(fā)展的關鍵,微細加工技術的突破將會帶來一場新的技術革
8、命。我們認為:(1)必須提高對微細加工技術研究重要性的認識,制訂好提高我國微細加工技術水平的戰(zhàn)略規(guī)劃,對有全局作用的微細加工關鍵技術要有垂點突破。(2)加快提髙我國微細加工設備的研制水平。一?代設備推出一代