資源描述：
《雙聚焦質(zhì)譜儀》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、雙聚焦質(zhì)譜儀CN86104194A摘要這里提供了一種質(zhì)譜儀，至少具有三個(gè)靜電型或磁場(chǎng)型分析器扇形體，至少有一個(gè)扇形體為靜電型，而其余的扇形體至少有一個(gè)為磁場(chǎng)型。其中，所述質(zhì)譜儀包括一聚焦扇形體序列，至少由三個(gè)所述扇形體組成。該序列扇形體具有一定的尺寸和位置以使之能共同諧調(diào)地工作，從而產(chǎn)生速度聚焦和方向聚焦的象。并且該序列扇形體的一定的尺寸和位置能使在序列中間不產(chǎn)生速度聚焦成象，其中，該序列的一個(gè)扇形體緊鄰地配置在兩個(gè)另一類型扇形體之間。權(quán)利要求(26)1.一種質(zhì)譜儀，至少具有三個(gè)靜電型或磁場(chǎng)型分析器扇形體，至少有一個(gè)扇形體為靜電型，而其余的扇形體至少有一個(gè)為磁場(chǎng)型，該質(zhì)
2、譜儀包括一聚焦扇形體序列，至少由三個(gè)所述扇形體組成，該序列各扇形體具有選定的尺寸和位置，從而能共同協(xié)調(diào)地工作以形成一個(gè)速度聚焦和方向聚焦的象，并且該序列扇形體的選定的尺寸和位置能使在序列中間不產(chǎn)生速度聚焦的象，其中，該序列的一個(gè)扇形體緊鄰地配置在兩個(gè)另一類型扇形體之間。2.一種質(zhì)譜儀，至少具有三個(gè)靜電型或磁場(chǎng)型分析器扇形體，至少有一個(gè)扇形體為靜電型，而其余的扇形體中至少有一個(gè)為磁場(chǎng)型，該質(zhì)譜儀包括一聚焦扇形體序列，至少由三個(gè)所述扇形體組成，該序列各扇形體具有選定的尺寸和位置，從而能共同協(xié)調(diào)地工作以形成一個(gè)速度聚焦和方向聚焦的象，并且該序列扇形體的選定的尺寸和位置能使在序
3、列中間不產(chǎn)生方向聚焦的象。3.根據(jù)權(quán)利要求2的一種質(zhì)譜儀，其中，所述序列的一個(gè)扇形體緊鄰地配置在兩個(gè)另一類型的扇形體之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1的一種質(zhì)譜儀，具有離子可沿其飛行的中心軌跡，其中，所述序列包括兩個(gè)靜電扇形體和一個(gè)磁扇形體。5.根據(jù)權(quán)利要求2的一種質(zhì)譜儀，具有離子可沿飛行的中心軌跡，其中，所述序列包括兩個(gè)靜電扇形體和一個(gè)磁扇形體。6.根據(jù)權(quán)利要求4的一種質(zhì)譜儀，再中，應(yīng)滿足下述關(guān)系式：未提供圖片。查看PDF式中re1為第一靜電扇形體的半徑，re2為第二靜電扇形體的半徑，rm為磁扇形體的半徑，φe1為第一靜電扇形體的扇形角，φe2為第二靜電扇形體的扇形角，φm1為
4、中心軌跡的第一條法線與一平面的夾角，第一條法線位于中心軌跡與磁扇形體入射界面的交點(diǎn)上，而中心軌跡的第二條法線位于中心軌跡與磁扇形體出射界面的交點(diǎn)上，上述平面通過上述兩條法線的交點(diǎn)并與中心軌跡相垂直，φm2為第二條法線與所述平面之間的夾角，ε′??為所述磁扇形體入射界面對(duì)第一條法線的傾角，ε″??為所述磁扇形體出射界面對(duì)第二條法線的傾角，d1為所述第一靜電扇形體出射界面與磁扇形體入射界面之間的距離，沿中心軌跡測(cè)量，d2為所述磁扇形體出射界面與第二靜電扇形體入射界面之間的距離，沿中心軌跡測(cè)量。7.根據(jù)權(quán)利要求5的一種質(zhì)譜儀，其中，滿足下述關(guān)系式：未提供圖片。查看PDF式中φ
5、m＝2φm1＝2φm2φe＝φe1＝φe2d＝d1＝d2re＝re1＝re2且rm、rm1、rm2、φe1、φe2、d1和d2的定義與權(quán)利要求6所述相同。8.根據(jù)權(quán)利要求5的一種質(zhì)譜儀，其中，d和re二者至少比rm小五倍，并應(yīng)大致滿足下述關(guān)系式：tanφm2=2Sin2φe]]>式中d＝d1＝d2，re＝re1＝re2，φm＝2φm1＝2φm2，φe＝φe1＝φe2，且d1、d2、re1、re2、rm、φm1、φm2、φe1及φe2的定義與權(quán)利要求6所述相同。9.根據(jù)權(quán)利要求1的一種質(zhì)譜儀，具有離子可沿其飛行的中心軌跡，其中，所述序列包括一個(gè)靜電扇形體和兩個(gè)磁扇形體，并
6、且，滿足下述方程式未提供圖片。查看PDF式中φm1為第一磁扇形體的扇形角，φm2為第二磁扇形體的扇形角，φe1為中心軌跡的第一條法線與一平面之間的夾角，第一條法線位于中心軌跡與靜電扇形體出射界面的交點(diǎn)上，而中心軌跡的第二條法線位于中心軌跡與靜電扇形體出射界面的交點(diǎn)上，上述平面通過上述兩條法線的交點(diǎn)并與中心軌跡相垂直，φe2為第二條法線與所述平面之間的夾角，rm1為第一磁扇形體的半徑，re為靜電扇形體的半徑，d1為所述第一個(gè)磁扇形體出射界面與靜電扇形體入射界面之間的距離，沿中心軌跡測(cè)量d2為所述靜電扇形體出射界面與第二個(gè)磁扇形體入射界面之間的距離，沿中心軌跡測(cè)量，ε″??
7、為所述第一磁扇形體出射界面和中心軌跡在其與第一磁扇形體出射界面的交點(diǎn)處的法線之間的夾角，ε′??為所述第二磁扇形體入射界面和中心軌跡在其與第二磁扇形體入射界面的交點(diǎn)處的法線之間的夾角。10.根據(jù)權(quán)利要求9的一種質(zhì)譜儀，其中，ε1″＝ε2′＝0，φm1＝φm2，φe1＝φe2＝φe，d1＝d2以及rm1＝rm211.根據(jù)權(quán)利要求4的一種質(zhì)譜儀，包括一離子源和一離子檢測(cè)器，其中，至少有一個(gè)靜電透鏡配置在離子源和所述序列的第一個(gè)扇形體之間，以及至少有一個(gè)靜電透鏡配置在所述序列的最后一個(gè)扇形體和離子檢測(cè)器之間，所述靜電透鏡的配置可分別減小第一個(gè)扇
