半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體試題A.doc

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1、陜西科技大學(xué)試題紙課程半導(dǎo)體物理班級(jí)　　　　　學(xué)號(hào)姓名題號(hào)一二三四五六七八九十總分得分閱卷人一、選擇題（15）1.金屬-半導(dǎo)體接觸整流理論：擴(kuò)散理論和熱電子發(fā)射理論分別只適用于（）。（A）厚阻擋層和薄阻擋層（B）薄阻擋層和厚阻擋層（C）正向厚阻擋層和正向薄阻擋層（D）反向厚阻擋層和反向薄阻擋層２　突變耗盡層的條件是（　?。ˋ）外加電壓和接觸電勢都降落在耗盡層上（B）耗盡層中的電荷是由電力施主和電力受主的電荷組成（C）耗盡層外的半導(dǎo)體是電中性的（D）（A）、（B）（C）３　自補(bǔ)償效應(yīng)的起因是（　?。ˋ）材料中先以存在某種深能級(jí)雜質(zhì)（B）材料中先以存在某種深能

2、級(jí)缺陷（C）摻入的雜質(zhì)是雙性雜質(zhì)（D）摻雜導(dǎo)致某種缺陷產(chǎn)生４　某半導(dǎo)體中導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，則該半導(dǎo)體必定（　?。?。（A）不含施主雜質(zhì)（B）不含受主雜質(zhì)（C）不含任何雜質(zhì)（D）處于絕對(duì)零度５　實(shí)際上，在非平衡條件下，往往起重要作用的是（）。（A）多數(shù)載流子?。˙）少數(shù)載流子（C）多數(shù)和少數(shù)載流子（D）非平衡少數(shù)載流子６　硅中摻金的工藝主要用于制造（　　）器件。（A）高可靠性（B）高反壓（C）高頻（D）大功率７　欲在摻雜適度的無表面態(tài)ｎ型硅（Wm=4.25eV）上做歐姆接觸，以下四種金屬中最適合的是（　?。ˋ）In(Wm=3.8eV)（B）Cr(Wm=

3、4.6eV)（C）Au(Wm=4.8eV)（D）Al(Wm=4.2eV)８在光電轉(zhuǎn)換過程中，硅材料一般不如砷化鎵量子效率高，因其（）。（A）禁帶較窄（B）禁帶是間接躍遷型（C）禁帶較寬（D）禁帶是直接躍遷型９.公式中的mn*()。（A）對(duì)硅取值相同（B）對(duì)ＧａＰ取值相同（C）對(duì)ＧａAＳ取值相同（D）對(duì)Ｇｅ取值相同10.輕空穴指的是（　?。?。（A）質(zhì)量較小的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴（B）價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴（C）價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上空穴（D）自施－軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴11根據(jù)費(fèi)米分布函數(shù)，空穴占據(jù)（EF+kT)能級(jí)的幾率（）。（A

4、）等于電子占據(jù)（EF+kT)級(jí)的幾率（B）等于電子占據(jù)（EF-kT)級(jí)的幾率（C）大于空穴占據(jù)EF的幾率（D）大于電子占據(jù)EF的幾率12對(duì)于只含有一種雜質(zhì)的非簡并n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)EF隨溫度的上升而（）。（A）單調(diào)上升（B）單調(diào)下降（C）經(jīng)過一極小值趨近Ei（D）經(jīng)過一極大值趨近Ei13若某種材料的電阻率隨溫度上升而先下降后上升，該材料是（）（A）金屬（B）本征半導(dǎo)體（C）摻雜半導(dǎo)體（D）高純化合物半導(dǎo)體14公式中的是載流子的（）。（A）遷移率（B）壽命（C）平均自由時(shí)間（D）擴(kuò)散系數(shù)15下列情形中，室溫下功函數(shù)最大者為（)。（A）含硼1×1015/cm3的

5、硅（B）含磷1×1016/cm3的硅（C）含硼1×1015/cm3，磷1×1016/cm3的硅（D）純凈硅二、填空題（25）1.計(jì)算半導(dǎo)體中載流子濃度時(shí)，不能使用玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)代替費(fèi)米統(tǒng)計(jì)的判定條件是（0

6、級(jí)）。6.pn結(jié)擊穿的機(jī)理有：（雪崩擊穿）、（隧道擊穿）、（熱電擊穿）7.金在半導(dǎo)體硅中是一種（深能級(jí)）雜質(zhì)。8.深能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起（復(fù)合中心或陷阱）的作用。淺能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起（施主或受主）的作用。9.根據(jù)強(qiáng)反型條件：，襯底雜質(zhì)濃度（越高），VS（越大），越（不易）達(dá)到強(qiáng)反型。10.金屬—絕緣層—n型半導(dǎo)體構(gòu)成的MIS結(jié)構(gòu)，當(dāng)半導(dǎo)體表面積累，表面勢Vs（為正值），表面耗盡時(shí)，表面勢Vs(為負(fù)值)。11.分析半導(dǎo)體器件的基本方程分別為：（泊松方程）、（輸運(yùn)方程）、（連續(xù)性方程）。12.一般在非平衡狀態(tài)時(shí)，往往總是多數(shù)載流子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和平衡時(shí)的費(fèi)米能級(jí)偏

7、離（不多），而少數(shù)載流子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)偏離（大）。三、簡答題（15）1.何謂雜質(zhì)補(bǔ)償？雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)囊饬x何在？答：當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時(shí)，因?yàn)槭┲骱褪苤鏖g的相互作用，施主和受主將先互相抵消，剩余的雜質(zhì)最后電離，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償。利用雜質(zhì)補(bǔ)償效應(yīng)，采用擴(kuò)散或離子注入方法可以根據(jù)需要改變半導(dǎo)體中某個(gè)區(qū)域的導(dǎo)電類型，制造各種器件。雜質(zhì)補(bǔ)償需控制得當(dāng)，否則會(huì)出現(xiàn)雜質(zhì)的高度補(bǔ)償。2.什么是歐姆接觸？金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸的方法有那些？答：歐姆接觸是指其電流-電壓特性滿足歐姆定律的金屬與半導(dǎo)體接觸，即不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，而且不會(huì)使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著改變。

8、形成歐姆接觸的常用方法有兩種，如果：W