最新ch2位錯(cuò)25位錯(cuò)的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)詳解ppt課件.ppt

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1、ch2位錯(cuò)25位錯(cuò)的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)詳解2.1位錯(cuò)理論的產(chǎn)生一、晶體的塑性變形方式二、單晶體的塑性變形三、多晶體的塑性變形四、晶體的理論切變強(qiáng)度五、位錯(cuò)理論的產(chǎn)生六、位錯(cuò)的基本知識(shí)22.2位錯(cuò)的幾何性質(zhì)一、位錯(cuò)的幾何模型二、柏格斯矢量三、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)四、位錯(cuò)環(huán)及其運(yùn)動(dòng)五、位錯(cuò)與晶體的塑性變形六、割階3一、位錯(cuò)的萌生(一)位錯(cuò)是熱力學(xué)不穩(wěn)定的晶體缺陷(二)位錯(cuò)的均勻形核(三)位錯(cuò)的不均勻形核(四)晶體中形成位錯(cuò)的三種途徑7(一)位錯(cuò)是熱力學(xué)不穩(wěn)定的晶體缺陷前人曾計(jì)算過,對(duì)于單位長(zhǎng)度位錯(cuò)線:熵S≈﹣2kT/b,應(yīng)變能E≈Gb2,由于Gb3的典

2、型值為5eV,而kT在300K時(shí)為1/40eV,因此位錯(cuò)引起的自由能G>0。所以,無(wú)應(yīng)力晶體中熱力學(xué)穩(wěn)定的位錯(cuò)密度應(yīng)為0。然而,除晶須以及精心制備的硅等較大晶體材料等個(gè)別例子外,所有晶體中都存在位錯(cuò)。退火晶體中的位錯(cuò)密度約為104mm﹣2,經(jīng)大量范性變形后增至108﹣9mm﹣2。形變初期,位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)傾向于在單一相互平行的滑移面內(nèi)進(jìn)行,其后在其它滑移系統(tǒng)中繼發(fā)滑移,不同系統(tǒng)中運(yùn)動(dòng)的位錯(cuò)會(huì)相互作用,快速增殖導(dǎo)致加工硬化。8(二)位錯(cuò)的均勻形核設(shè)在某一驅(qū)動(dòng)力F作用下形成半徑為R的位錯(cuò)圈:形成能=位錯(cuò)圈自身的能量-驅(qū)動(dòng)力所作的功9假設(shè),在無(wú)

3、能量漲落時(shí),晶體中要能自發(fā)萌生位錯(cuò)圈,則有τc≈μ/10,這是一個(gè)很高的值,接近晶體的理論強(qiáng)度;實(shí)際屈服應(yīng)力τ≈μ/1000,取ε=2b,則Rc≈500b,臨界形核功Uc≈650μb3,典型金屬大約是3KeV。而熱漲落的能量大約是1/40eV,故屈服應(yīng)力下均勻形核顯然是不可能的;以上討論表明,位錯(cuò)萌生是一個(gè)相當(dāng)困難的過程,實(shí)際晶體往往借助應(yīng)力集中產(chǎn)生位錯(cuò)的非均勻萌生。10(三)位錯(cuò)的不均勻形核在370℃均勻保溫,去除與包裹體相關(guān)的內(nèi)應(yīng)變,最后冷至20℃,形成棱柱位錯(cuò)環(huán)(圖中為其側(cè)面),它們顯然是被玻璃包裹體擠壓出來的。位錯(cuò)環(huán)軸向平

4、行于<110>。11一種常見的非均勻位錯(cuò)萌生過程棱柱擠壓:當(dāng)壓頭很有力地壓在晶體的表面時(shí),可以萌生一系列棱柱位錯(cuò)圈而生成壓痕。如圖高度為nb的坑對(duì)應(yīng)于n個(gè)伯格斯矢量為b的棱柱圈,此過程的能量關(guān)系為作用于壓頭的力P所作的功=生產(chǎn)棱柱圈的能量+增加的表面能,即其中D為壓頭直徑,若D很小,則局部正應(yīng)力可很大,因而在一般的P值,即可達(dá)到萌生位錯(cuò)圈所需要的應(yīng)力。12131415(四)晶體中形成位錯(cuò)的三種途徑161718192021二、位錯(cuò)的增殖(一)弗蘭克-瑞德源(F-R滑移源)(二)雙交滑移位錯(cuò)源(三)攀移位錯(cuò)源(Bardeen-Herr

5、ing)22ProductionofDislocationsExample:?FrankReadSource–dislocationpinnedatbothends.Whatistheforceonthecurvedsegmentcausingittobowout?LinetensionTcanbeequatedtoenergy/unitlength.T~1/2Gb223ForcurvedsegmentTotalnormalforceonsegmentIfinequilibriumwithappliedstress,ori.e

6、equilibriumradiusofcurvatureiscontrolledbystress.24TheFrankReadsourceexpandsunderthestress,pinnedatbothends.Whentheboweddislocationlinereachesasemicircleitcancontinuetoexpandunderadiminishingforce.Thereareothersourcesofdislocationlines:singleFrank-Readsources,whereth

7、elineispinnedonlyatasinglesource.Intersectionswithotherdislocations–jogsincreasethelengthoftheline,andmayactasFrankReadsources.25(一)弗蘭克-瑞德源(F-R源)雙軸F-R源(U形源)單軸F-R源(L形源)26雙軸F-R源(U形源)27GenerationofdislocationsWhereaswenowlearnedalittlebitaboutthecomplicationsthatmayoccu

8、rwhendislocationsmove,wefirstmusthavesomedislocationsbeforeplasticdeformationcanhappen.Inotherwords:Weneedmechanismsthatgene

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