dram、sdram和sram的區(qū)別

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1、特點(diǎn)簡(jiǎn)介：SRAM?：??靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非?？?，像CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點(diǎn)是一個(gè)內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價(jià)格昂貴，容量不大。DRAM：??動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，容量大。SDRAM?：同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。DDR?SDRAM：??雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。具體解釋一：???什么是DRAM　　DRAM?的英文全稱是'Dynamic?RAM'，翻譯成中文就是'動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器'。DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說內(nèi)存有多大，主要是指DRAM的容量。　?什么是SRAM　　SRAM?的英文全稱是'Static?

2、RAM'，翻譯成中文就是'靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器'。SRAM主要用于制造Cache?！?什么是SDRAM　　SDRAM?的英文全稱是'Synchronous?DRAM'，翻譯成中文就是'擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存'，它比一般DRAM和EDO?RAM速度都快，它已經(jīng)逐漸成為PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存配置。　?什么是Cache　　?Cache?的英文原意是'儲(chǔ)藏'，它一般使用SRAM制造，它與CPU之間交換數(shù)據(jù)的速度高于DRAM，所以被稱作'高速緩沖存儲(chǔ)器'，簡(jiǎn)稱為'高速緩存'。由于CPU的信息處理速度常常超過其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來作為信息存儲(chǔ)器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費(fèi)。Cac

3、he就是為了解決這個(gè)問題而誕生的。在操作系統(tǒng)啟動(dòng)以后，CPU就把DRAM中經(jīng)常被調(diào)用的一些系統(tǒng)信息暫時(shí)儲(chǔ)存在Cache里面，以后當(dāng)CPU需要調(diào)用這些信息時(shí)，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接從Cache里讀取，這樣利用Cache的高速性能就可以節(jié)省很多時(shí)間。大多數(shù)CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱作'一級(jí)緩存'或'內(nèi)置Cache'。這部分存儲(chǔ)器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。大多數(shù)主板上也集成了Cache，一般被稱作'二級(jí)緩存'或'外置Cache'，比內(nèi)置Cache容量大些，一般可達(dá)到256K，現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。在最新的Pe

4、ntium二代CPU內(nèi)部，已經(jīng)集成了一級(jí)緩存和二級(jí)緩存，那時(shí)主板上的Cache就只能叫作'三級(jí)緩存'了?！∈裁词情W存　　閃存?目前主板上的BIOS大多使用Flash?Memory制造，翻譯成中文就是'閃動(dòng)的存儲(chǔ)器'，通常把它稱作'快閃存儲(chǔ)器'，簡(jiǎn)稱'閃存'。這種存儲(chǔ)器可以直接通過調(diào)節(jié)主板上的電壓來對(duì)BIOS進(jìn)行升級(jí)操作。解釋為什么dram要刷新，sram不需要：????????這個(gè)是由于ram的設(shè)計(jì)類型決定的，dram用了一個(gè)t和一個(gè)rc電路，導(dǎo)致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經(jīng)常的刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)具體解釋二：DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。?而且是行列地址復(fù)用

5、的，許多都有頁模式。?SRAM，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。?SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步。?DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS?latency=2?時(shí)，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，S

6、DRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。SRAM是Static?Random?Access?Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器?！办o態(tài)”是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。?然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器

7、（ROM）和Flash?Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)?！半S機(jī)訪問”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位置。????????SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲(chǔ)單元的訪問。因此，一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要