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《APD紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)與外延工藝研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、中文圖書分類號(hào)：TN312密級(jí)：公開UDC：38學(xué)校代碼：10005碩士學(xué)位論文MASTERALDISSERTATION論文題目：APD紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)與外延工藝研究論文作者：田迎學(xué)科：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：鄧軍副教授論文提交日期：2015年6月UDC：38學(xué)校代碼：10005中文圖書分類號(hào)：TN312學(xué)號(hào)：S201202064密級(jí)：公開北京工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文題目：APD紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)與外延工藝研究英文題目STUDYONTHESTRUCTUREANDEPITAXYTECHNOLOGY：OFAPD
2、PHOTODETECTORSBASEDONINPSUBSTRATE論文作者：田迎學(xué)科：微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究方向：半導(dǎo)體光電子學(xué)申請(qǐng)學(xué)位：工學(xué)碩士指導(dǎo)教師：鄧軍副教授所在單位：電子信息與控制工程學(xué)院答辯日期：2015年6月1日授予學(xué)位單位：北京工業(yè)大學(xué)獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其它人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得北京工業(yè)大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同
3、志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。簽名：田迎日期：2015年6月5日關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解北京工業(yè)大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。（保密的論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定）簽名：田迎日期：2015年6月5日導(dǎo)師簽名：鄧軍日期：2015年6月5日-1-摘要摘要20世紀(jì)以來，隨著光通信日益不斷地向高速大容量傳輸方向發(fā)展，空間探測(cè)的不斷創(chuàng)新，高響應(yīng)
4、速度，大帶寬和高增益接收器件的研制也迅速發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)這類器件的制造，雪崩光電二極管（APD）應(yīng)運(yùn)而生，并成為其中不可或缺的重要組成部分，主要工作原理就是當(dāng)耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)將載流子加速到能量高于禁帶寬度，載流子能夠與晶格發(fā)生碰撞產(chǎn)生附加的二次載流子。一般結(jié)構(gòu)的APD器件是在PIN結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加了雪崩增益區(qū)，不僅具備了PIN器件高響應(yīng)度和快速響應(yīng)速度的特點(diǎn)，同時(shí)其內(nèi)部的高增益，使得其在微弱光信號(hào)的接收方面優(yōu)于傳統(tǒng)的PIN器件。在長(zhǎng)波長(zhǎng)通信領(lǐng)域，InP基InGaAs探測(cè)器在長(zhǎng)波長(zhǎng)通信窗口波長(zhǎng)有很高的響應(yīng)度，本文
5、正是針對(duì)InP基APD器件，主要對(duì)吸收，漸變，電荷，倍增區(qū)分離式結(jié)構(gòu)的APD器件（SAGCM-APD）進(jìn)行研究，分析結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)器件的影響，在PIN制造工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化結(jié)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)制備此器件，主要從事的工作如下：1）從最基礎(chǔ)的APD器件工作原理介紹，分別闡述幾類常見的APD器件結(jié)構(gòu)，然后分析影響光電探測(cè)器的幾個(gè)重要參數(shù)。2）對(duì)InP基SAGCM-APD的結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行計(jì)算模擬，主要分析電場(chǎng)分布，倍增因子的變化，吸收層厚度的模擬，確定SAGCM-APD結(jié)構(gòu)參數(shù)。3）優(yōu)化InP基P型In0.53Ga0.4
6、7AsMOCVD外延參數(shù)，優(yōu)化InGaAs的生長(zhǎng)得到晶格匹配的外延層。4）制備InP基SAGCM-APD器件，測(cè)量到明顯的光電流，確定形成雪崩擊穿狀態(tài)。關(guān)鍵詞：雪崩二極管；倍增吸收分離式結(jié)構(gòu)；MOCVD外延-I-摘要AbstractSince20thCentury,alongwiththeincreasinglydevelopmentofopticalcommunicationcontinuouslytothedirectionofhighspeedandlargecapacitytransmission,
7、continuousinnovationofspaceexploration,theresearchofhighresponsespeed,largebandwidthandhighgainofthereceivingdevicedevelop.Inordertorealizethemanufacturingofthiskindofdevice,theavalanchemultiplicationeffectofavalanchephotodiode(APD)emergeasthetimesrequire,
8、andbecomeanimportantpartofthework,themainprincipleisthatwhentheelectricfielddepletionareawillacceleratetothecarrierenergyhigherthanthebandgap,thesecondarycarriercanbeproducedbythethecollisionbewteenphoton-gen
