球形硅微粉制備工藝

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1、一．一種高純球形硅微粉的生產(chǎn)方法申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)：200610038823本發(fā)明公開了一種大規(guī)模集成電路封裝填料用高純球形硅微粉的制備方法。對(duì)硅溶膠進(jìn)行噴霧干燥，得到微球形二氧化硅凝膠，熱處理后得到高純球形硅微粉，其球形化、球形度、致密度及表面光滑度等能達(dá)到大規(guī)模集成電路封裝要求。申請(qǐng)人/專利權(quán)人：連云港東海硅微粉有限責(zé)任公司申請(qǐng)人地址：江蘇省連云港市東海縣浦南開發(fā)區(qū)發(fā)明設(shè)計(jì)人：李長之;李鳳生;李曉冬;曹家凱;阮建軍;宋洪昌;汪維橋;王松憲;楊毅;梁友昌;姜煒;顧志明;劉宏英二．一種用天然粉石英制備高純球形納米

2、非晶態(tài)硅微粉的方法申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)：200510021670本發(fā)明涉及采用以價(jià)格低廉的天然優(yōu)質(zhì)粉石英礦物為基本原料，采用溶膠－凝膠技術(shù)，在分散劑和球形催化劑存在條件下制備了符合電子封裝材料要求的高純球形納米非晶態(tài)硅微粉材料，屬于礦物材料領(lǐng)域。制備的高純球形納米非晶態(tài)硅微粉材料粒徑為５０ｎｍ～１００ｎｍ，粒子分布均勻，分散度高，球化率達(dá)８５～９５％，呈無定形結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品的ＳｉＯ↓［２］百分含量達(dá)９９．８９～９９．９５ｗｔ％。雜質(zhì)含量為：０．００８～０．０１２ｗｔ％Ａｌ↑［３＋］；０．００１～０．００４ｗｔ％Ｆｅ↓［

3、２］Ｏ↓［３］；２．０～４．０ｐｐｍ　?。危帷郏?；≤１ｐｐｍ　?。茫臁郏荩弧埽保穑穑怼　。樱稀郏矗荨郏玻荨Ｋ苽涞母呒兦蛐渭{米非晶態(tài)硅微粉材料熱穩(wěn)定性高，在１０００℃以下煅燒未產(chǎn)生晶化。申請(qǐng)人/專利權(quán)人：成都理工大學(xué)申請(qǐng)人地址：四川省成都市二仙橋東三路1號(hào)成都理工大學(xué)發(fā)明設(shè)計(jì)人：林金輝;葉巧明;汪靈;劉菁;丁藝;常嗣和;范良明三．高純球形無定形硅微粉CN1188075A　　本發(fā)明公開了一種新的制備高純球形無定型硅微粉的方法。該方法以水玻璃和無機(jī)酸為主要原料，通過控制溶劑、乳化劑與水玻璃的比例，乳

4、化時(shí)的轉(zhuǎn)速及添加劑用量等條件參數(shù)，制備放射性元素鈾含量小于1ｐｐｂ，常見離子含量均小于1ｐｐｂ的球形硅微粉，平均粒徑可在5～40μｍ之間調(diào)控，該產(chǎn)品可用作環(huán)氧樹脂的填料，以制備大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路器件的封裝材料，還可用作制備其它高檔電子器件的填料。四．高純超細(xì)球形化硅微粉的研究對(duì)硅微粉的超細(xì)球形化進(jìn)行了研究，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：碳極高溫電弧法是實(shí)現(xiàn)硅微粉球形化的較理想的加熱方法。(共3頁)五．一種高純超細(xì)球形硅微粉的制備方法CN2007100344269A