介質(zhì)阻擋放電及其應(yīng)用

《介質(zhì)阻擋放電及其應(yīng)用》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。

1、第３５卷第１期高電壓技術(shù)Ｖｏｌ．３５Ｎｏ．１２００９年１月ＨｉｇｈＶｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＪａｎ．２００９·１·介質(zhì)阻擋放電及其應(yīng)用王新新（清華大學(xué)電機(jī)系，北京１０００８４）摘要：為使讀者比較全面地了解介質(zhì)阻擋放電，根據(jù)氣體放電理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果，對介質(zhì)阻擋放電進(jìn)行了綜述。首先提出了只有拍攝曝光時(shí)間為１０ｎｓ左右的放電圖像才能判斷放電是否為均勻放電，即使是均勻放電，也不能統(tǒng)稱其為大氣壓輝光放電，還必須進(jìn)一步區(qū)分它是輝光放電還是湯森放電。其次，說明了只有增加放電的種子電子，使放電在低電場下

2、進(jìn)行才有可能實(shí)現(xiàn)大氣壓下均勻放電。最后，根據(jù)放電圖像、電流電壓波形、數(shù)值模擬結(jié)果，證明了大氣壓氦氣均勻放電為輝光放電，而大氣壓氮?dú)饩鶆蚍烹姙闇烹?。最后還簡要介紹了３種介質(zhì)阻擋放電的主要工業(yè)化應(yīng)用—大型臭氧發(fā)生器、薄膜表面的流水線處理、等離子體顯示屏。關(guān)鍵詞：介質(zhì)阻擋放電；大氣壓輝光放電；湯森放電；輝光放電；氣體放電；等離子體表面處理中圖分類號：ＴＭ２１３；ＴＭ８９文獻(xiàn)標(biāo)志碼：Ａ文章編號：１００３６５２０（２００９）０１０００１１１犇犻犲犾犲犮狋狉犻犮犅犪狉狉犻犲狉犇犻狊犮犺犪狉犵犲犪狀

3、犱犐狋狊犃狆狆犾犻犮犪狋犻狅狀狊ＷＡＮＧＸｉｎｘｉｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８４，Ｃｈｉｎａ）犃犫狊狋狉犪犮狋：ＩｎｏｒｄｅｒｔｏｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅｌｙｕｎｄｅｒｓｔａｎｄＤＢＤ，ｗｅｒｅｖｉｅｗｅｄｔｈｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓｏｆｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｂａｒｒｉｅｒｄｉｓｃｈａｒｇｅ（ＤＢＤ）ｂｙｆｏｃｕｓｉｎｇｏｎｔｈｅｐｈｙｓｉｃｓｒｅｌａｔｅｄｔｏｔｈｅｕｎｉｆｏｒｍｄ

4、ｉｓｃｈａｒｇｅａｔａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃｐｒｅｓｓｕｒｅ．Ｉｔｉｓｓｕｇｇｅｓｔｅｄｔｈａｔｔｈｅｂｅｓｔｗａｙｔｏｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈａｕｎｉｆｏｒｍｄｉｓｃｈａｒｇｅｆｒｏｍａｆｉｌａｍｅｎｔａｒｙｏｎｅｉｓｔｏｔａｋｅａｐｉｃｔｕｒｅｗｉｔｈａｎｅｘｐｏｓｕｒｅｔｉｍｅｏｆａｂｏｕｔ１０ｎｓ．Ｅｖｅｎｆｏｒａｒｅａｌｕｎｉｆｏｒｍｄｉｓｃｈａｒｇｅ，ｉｔｉｓｉｍｐｏｒｔａｎｔｔｏｆｕｒｔｈｅｒｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈａｇｌｏｗｄｉｓｃｈａｒｇｅｆｒｏｍａＴｏｗｎｓｅｎｄｄｉｓｃｈａｒｇｅ

5、．Ｔｈｅｏｎｌｙｗａｙｔｏｇｅｔａｕｎｉｆｏｒｍｄｉｓｃｈａｒｇｅａｔａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃｐｒｅｓｓｕｒｅｉｓｔｏｍａｋｅｔｈｅｄｉｓｃｈａｒｇｅａｔａｌｏｗｅｒｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｂｙｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｓｅｅｄｅｌｅｃｔｒｏｎｓｉｎｉｔｉａｔｉｎｇｔｈｅｄｉｓｃｈａｒｇｅ．Ｒｅｃｅｎｔｌｙ，ｔｈｅｕｎｉｆｏｒｍｄｉｓｃｈａｒｇｅｓａｔａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃｐｒｅｓｓｕｒｅｈａｖｅｂｅｅｎｏｂｔａｉｎｅｄｉｎｈｅｌｉｕｍａｎｄｎｉｔｒｏｇｅｎ，ｉ．ｅ．，ｓｕｂｎｏｒｍａｌｇｌｏ

6、ｗｄｉｓｃｈａｒｇｅｉｎｈｅｌｉｕｍａｎｄＴｏｗｎｓｅｎｄｄｉｓｃｈａｒｇｅｉｎｎｉｔｒｏｇｅｎ．Ｍｏｒｅｏｖｅｒ，ｗｅｂｒｉｅｆｌｙｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｔｈｒｅｅｉｎｄｕｓｔｒｉａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＤＢＤｐｌａｓｍａｓ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅａｄｖａｎｃｅｄｏｚｏｎｅｇｅｎｅｒａｔｏｒ，ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｄｏｕｂｌｅｓｉｄｅｄｔｒｅａｔｍｅｎｔｏｆｆｏｉｌｓｕｒｆａｃｅ，ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌ．犓犲狔狑狅狉犱狊：ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｂａｒｒｉｅｒｄｉｓｃｈａ

7、ｒｇｅ；ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃｐｒｅｓｓｕｒｅｇｌｏｗｄｉｓｃｈａｒｇｅ；Ｔｏｗｎｓｅｎｄｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ｇｌｏｗｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ｇａｓｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ｐｌａｓｍａｓｕｒｆａｃｅｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ０后者主要集中在如何提高等離子體處理效率，減小引言能耗等。本文將根據(jù)本人和他人的研究成果，對近２０年來，氣體放電產(chǎn)生的低溫等離子體得到ＤＢＤ及其應(yīng)用進(jìn)行綜述，重點(diǎn)集中在放電物理方面越來越廣泛的應(yīng)用，等離子體處理技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。的最新研究成果。本文結(jié)構(gòu)安排如下：首先簡要回而介質(zhì)阻擋放電（Ｄ

8、ｉｅｌｅｃｔｒｉｃＢａｒｒｉｅｒＤｉｓｃｈａｒｇｅ：顧ＤＢＤ研究的歷史，接著介紹ＤＢＤ細(xì)絲放電模式ＤＢＤ）可以在大氣壓下產(chǎn)生低溫等離子體，特別適合的產(chǎn)生機(jī)制和主要物理參數(shù)，然后重點(diǎn)論述ＤＢＤ均于低溫等離子體的工業(yè)化應(yīng)用［１］。雖然人們對勻放電模式的關(guān)鍵問題，包括均勻放電的判定方法、ＤＢＤ的研究已經(jīng)有１００多年的歷史，仍然有一些問均勻放電的分類、均勻放電產(chǎn)生的物理機(jī)制和條件、題沒有解決。因此，ＤＢＤ至今還是氣體放電領(lǐng)域的大氣壓氦氣輝光放電和氮?dú)鉁烹姷恼J(rèn)定。最后研究熱點(diǎn)。目前，ＤＢＤ的研究可分為