半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地

《半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、精品文檔半導(dǎo)體制造技術(shù)-半導(dǎo)體天地半導(dǎo)體論壇1.擴(kuò)散工藝的性能指標(biāo)有哪些啊主要是方塊電阻和結(jié)深，這兩個(gè)指標(biāo)達(dá)到了，其他的方面也就滿足要求了多晶硅的方塊電阻和結(jié)深對(duì)于生產(chǎn)線來說，主要監(jiān)控片內(nèi)和片間的均勻性和方塊大小，結(jié)深測試是破壞性的僅有在開發(fā)階段進(jìn)行驗(yàn)證正常只要方阻和片內(nèi)及片間的均與性，測試結(jié)深一般需要破壞圓片的，正常是在試驗(yàn)期做，批量生產(chǎn)時(shí)也可以利用陪片來測量。片子的均勻性是指電阻分布的均勻性，RS測量包括49個(gè)點(diǎn)及9點(diǎn)的測量類型，均勻性就是這49個(gè)點(diǎn)或9點(diǎn)的電阻的均方差3.為什么注入的深，方塊電阻??？注入菜單僅能量不一樣。誰來說說？一直沒明白。是因?yàn)樽⑷氲臏\點(diǎn)的話，退

2、火時(shí)外擴(kuò)散，劑量損失？載流子濃度越大，電阻低。可以想象成導(dǎo)線直徑越大，電阻越小就是注入越深PN結(jié)就越窄以前在書上有看到過關(guān)于注入時(shí)濃度最高的地方不是在最上和最底下是在靠中間的位置，這樣分析的話可能深度越深的話高的濃度越易產(chǎn)生吧，不敢肯定是這樣有問題大家指正哈！2016全新精品資料-全新公文范文-全程指導(dǎo)寫作–獨(dú)家原創(chuàng)88/88精品文檔注入相同劑量,注入能量越大,激活后縱向分布越寬廣,區(qū)域濃度變淡,相應(yīng)的遷移率變大,綜合下來電阻變小.RS=P(resisitivity)/t(thickness)深度增加，RS減小注入相同劑量,注入能量越大,激活后縱向分布越寬廣,區(qū)域濃度變淡

3、,相應(yīng)的遷移率變大,綜合下來電阻變小.例舉一下吧，你擴(kuò)散的越深，載流子越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)，電阻自然會(huì)變小了4.[設(shè)備]AP和LP爐管的區(qū)別AP表示常壓process,LP表示低壓下processAP有reactivetube,通常gas由上至下流下經(jīng)由控壓至exhaustLPgas由下往上流.經(jīng)由pump抽真空作process.AP制程是靠晶片本身氧化作用LP制程是GAS反映depo在晶片上.APCVD是常壓CVD,好像沒有爐管可以做APCVD的，LPCVD是低壓CVD,一般process時(shí)壓力達(dá)到200mmtor，水平或垂直爐管都可以實(shí)現(xiàn)，有PUMP抽氣，APC實(shí)現(xiàn)壓力的

4、控制AP管主要是thermal和氧化SISUBSTRACE長OX而LP管主要是通過反應(yīng)在SI上面長film5.氧化層厚度如何控制好?我覺得只能是試驗(yàn)的問題了,多試幾次,保證重復(fù)性.2016全新精品資料-全新公文范文-全程指導(dǎo)寫作–獨(dú)家原創(chuàng)88/88精品文檔爐管溫度是能穩(wěn)定得很好的,氣流流量自然也能控制得比較好.每次氧化這兩個(gè)量都能比較好的重復(fù).推進(jìn)和拉出的時(shí)間也要每次一致.所能做的就是降低氧化速度,這樣的話控制起來會(huì)更容易一點(diǎn),不過就增加了時(shí)間,高溫過程時(shí)間變長是很不利的.所以就中和考慮一下,在能容忍的時(shí)間范圍內(nèi)盡量降低氧化速度.個(gè)人意見,不知道對(duì)不對(duì),6.另外還有個(gè)問題

5、,在摻雜的硅片上為什么摻B氧化層厚度與Rs成反比,而摻P的成反比!分凝系數(shù)不一樣,B趨向于向氧化層混合,而P趨向于遠(yuǎn)離氧化層,至于為什么分凝系數(shù)不一樣,就從材料內(nèi)部Si和二氧化硅的晶格結(jié)構(gòu)上解釋簡單說::就是長氧化層后,B有一部分會(huì)向氧化層中擴(kuò)散,而P向背向氧化層擴(kuò)散sio2會(huì)排磷吸硼因磷和硼分子大小不同，穿透oxide的能力不同，亦即主要穿透方式不同(Pmotionbyvacancy;Bmotionbyinterstitialcy)對(duì)呀,硼的分凝系數(shù)(雜質(zhì)在硅中的平恒濃度/雜質(zhì)在二氧化硅中的平恒濃度)m1.不過真的有正反比的關(guān)系嗎7.求教:二氧化硅問題(隔離機(jī)制)我看到

6、一篇關(guān)于二氧化硅的材料:2016全新精品資料-全新公文范文-全程指導(dǎo)寫作–獨(dú)家原創(chuàng)88/88精品文檔1,若雜質(zhì)比硅更可溶于氧化物,則雜質(zhì)氧化過程中會(huì)遷移到氧化物中,如硼.相反,雜質(zhì)更易溶于硅,氧化界面會(huì)把雜質(zhì)推移到硅中.如磷.在硅----二氧化硅界面會(huì)有較高濃度.也就是所謂的隔離機(jī)制(親硼排磷)吧.2,雜質(zhì)(硼,磷,砷等)在氧化層中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，因此氧化層具有阻擋雜質(zhì)向半導(dǎo)體中擴(kuò)散的能力.請(qǐng)問這兩者有矛盾嗎?沒矛盾啊,隔離主要發(fā)生在interface,而后面的擴(kuò)散是指在si或者sio2內(nèi)的.是呀,我問過公司前輩了.阻擋層主要是注入時(shí)的屏蔽作用.擴(kuò)散隔離

7、機(jī)制是在si或者sio2內(nèi)時(shí),才考慮分凝系數(shù)的.在Si和SiO2界面，B會(huì)向SiO2和Si兩個(gè)方向擴(kuò)散，但B在SiO2中的擴(kuò)散系數(shù)、固溶度比P等其他元素大，所以這種分凝系數(shù)就大，在考慮濃度時(shí)就要考慮B在SiO2中擴(kuò)散的那一部分，相對(duì)沒有氧化層的濃度低很多。而P在界面處也會(huì)向Si和SiO2兩個(gè)方向擴(kuò)散，但P在SiO2中的擴(kuò)散系數(shù)、固溶度都比B小，分凝系數(shù)就小，相對(duì)在Si中就多，就得到高濃度。我覺得是兩鐘概念的混淆。1、溶解度2、擴(kuò)散系數(shù)。B在SiO2中的溶解度高并不表示擴(kuò)散系數(shù)高。2016全新精品資料-全新公文范文-全程指導(dǎo)寫作