通信電子線路實(shí)驗(yàn)?zāi)０錸ew

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1、嘉應(yīng)學(xué)院電子信息工程學(xué)院學(xué)生實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級(jí)：座號(hào)：　姓名：　　成績：課程名稱：實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目：　　　實(shí)驗(yàn)預(yù)習(xí)報(bào)告一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?．掌握晶體振蕩器與壓控振蕩器的基本工作原理。2．比較LC振蕩器和晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。二、所用實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備，耗材及數(shù)量1．高頻實(shí)驗(yàn)箱　1臺(tái)2．雙蹤示波器　1臺(tái)三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和簡單原理1．熟悉振蕩器模塊各元件及其作用。2．分析與比較LC振蕩器與晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。3．改變變?nèi)荻O管的偏置電壓，觀察振蕩器輸出頻率的變化。信號(hào)流程：Q3振蕩至Q2跟隨至Q1諧振選頻放大輸出；調(diào)頻W1（壓控調(diào)諧，電調(diào)諧），調(diào)幅

2、W2　　1．晶體振蕩器：將開關(guān)的2撥下（斷開）、1撥上，全部斷開（撥下），由、、、晶體CRY1與構(gòu)成晶體振蕩器（皮爾斯振蕩電路），在振蕩頻率上晶體等效為電感。2．壓控振蕩器（VCO）：將的1或2撥上，的1撥下、2撥上（不接CRY1石英晶體），則變?nèi)荻O管、并聯(lián)在電感兩端。當(dāng)調(diào)節(jié)電位器W1時(shí)，、兩端的反向偏壓隨之改變，從而改變了和的結(jié)電容Cj，也就改變了振蕩電路的等效電容，使振蕩頻率發(fā)生變化。其交流等效電路如圖3-2所示。3．晶體壓控振蕩器開關(guān)的1接通或2接通，的1接通，就構(gòu)成了晶體壓控振蕩器。四、操作方法與實(shí)驗(yàn)步驟（詳細(xì)

3、說明實(shí)驗(yàn)的操作過程及注意事項(xiàng)）1．將電路接成LC振蕩器，在室混溫下記下振蕩頻率、振蕩幅度于表3-1（示波器接于J1處）。S1關(guān)，交替接通2（LC振蕩器）和1（晶體振蕩器），或S2的1、2都通，并將數(shù)據(jù)記于下表中。2．兩種壓控振蕩器的頻率變化范圍1)將電路連接成壓控振蕩器，示波器接于J1，直流電壓表接于TP3。2）將W1從低阻值、中阻值到高阻值位置，分別將變?nèi)荻O管的反向偏置電壓（萬用表測(cè)）、輸出頻率和輸出電壓記于下表3-2中。3．將電路改接成晶體壓控振蕩器，重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)，并將結(jié)果記于下表3-2中。4．在晶體壓控振蕩器電路

4、的基礎(chǔ)上，將并接于晶體兩端，但需將CC1斷開或置于容量最小位置。然后重做上述實(shí)驗(yàn)，將結(jié)果記于下表3-2中。（注：W1高阻值，TP3對(duì)地電壓最大，即W1抽頭在最上位置）。五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄及處理（實(shí)驗(yàn)前畫好表格或坐標(biāo)圖形）(1).原始數(shù)據(jù)記錄S2狀態(tài)振蕩器振蕩頻率振蕩電壓2通LC振蕩器1通晶體振蕩器1、2通并聯(lián)L的晶體振蕩器W1電阻值W1低阻值W1中阻值W1高阻值注：S2狀態(tài)振蕩頻率/電壓LC壓控振蕩器2通，1不通（下?lián)埽┚w壓控振蕩器1通，2不通并聯(lián)L2的晶體壓控振蕩器1、2通(2).數(shù)據(jù)處理