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1、1靜電場的邊值問題1.鏡象法的理論依據是()?;痉椒ㄊ窃谒髨鲇虻耐獠糠胖苗R像電荷以等效的取代邊界表面的()。2.根據邊界面的形狀,選擇適當的坐標系,如平面邊界,則選直角坐標;圓柱面選圓柱坐標系;球面選球坐標。以便以簡單的形式表達邊界條件。將電位函數表示成三個一維函數的乘積,將拉普拉斯方程變?yōu)槿齻€常微分方程,得到電位函數的通解,然后尋求滿足條件的特解,稱為()3.將平面、圓柱面或球面上的感應電荷分布(或束縛電荷分布)用等效的點電荷或線電荷(在場區(qū)域外的某一位置處)替代并保證邊界條件不變。原電荷與等效點電荷(即通稱為像電荷)的場即所求
2、解,稱為(),其主要步驟是確定鏡像電荷的位置和大小。4.()是一種數值計算方法,把求解區(qū)域用網格劃分,同時把拉普拉斯方程變?yōu)榫W格點的電位有限差分方程(代數方程)組。在已知邊界點的電位值下,用迭代法求得網格點電位的近似數值。5.用鏡像法求解電場邊值問題時,判斷鏡像電荷的選取是否正確的根據是()。A.鏡像電荷是否對稱B.電位所滿足的方程是否未改變C.邊界條件是否保持不變D.同時選擇B和C6.微分形式的安培環(huán)路定律表達式為,其中的()。A.是自由電流密度B.是束縛電流密度C.是自由電流和束縛電流密度D.若在真空中則是自由電流密度;在介質中則
3、為束縛電流密度7.在邊界形狀完全相同的兩個區(qū)域內的靜電場,滿足相同的邊界條件,則兩個區(qū)域中的場分布()。A.一定相同B.一定不相同C.不能斷定相同或不相同8.兩相交并接地導體平板夾角為,則兩板之間區(qū)域的靜電場()。A.總可用鏡象法求出。B.不能用鏡象法求出。C.當且n為正整數時,可以用鏡象法求出。D.當且n為正整數時,可以用鏡象法求出。orQ(1,π/6)Q3Q1Q29.將一無窮大導體平板折成如圖的90°角,一點電荷Q位于圖中(1,π/6)點處,求所有鏡像電荷的大小和位置并在圖中標出。10.兩個平行于XOY面的極大的金屬平板,兩平板間
4、的距離為d,電位差為。求兩板間的電位及電場分布11.兩塊彼此平行的半無限大接地金屬板,板間距離為b,兩平行板的一端另有一塊電位為的極長的金屬條,它們之間縫隙極小,但彼此絕緣。求兩板間的電位分布。12.四塊彼此絕緣(相隔極小的縫隙)的無限長金屬板構成一個矩形空管,管子截面為,上下兩塊板電位為零(接地),右側板電位為,左側板上電位的法向導數為零,即。求管內的電位分布規(guī)律。13.求導體槽內的電位。槽的寬度在x和z方向都為無窮大,槽由兩塊T形的導體構成,兩塊間有一狹縫,外加恒定電壓。14.一根半徑為a,介電常數為的無限長介質圓柱體置于均勻外電
5、場中,且與相垂直。設外電場方向為軸方向,圓柱軸與z軸相合,求圓柱內、外的電位函數。15.同心金屬球,內外導體半徑分別為a和b,內導體電位為,外導體電位為,空氣介質填充,求該球形電容器的電容C16.均勻電場中置一半徑為a的介質球。介質球的介電常數為,球外空氣為。球介質球內外的電位分布規(guī)律17.均勻電場中的金屬球,一孤立導體金屬球,半徑為a,置于均勻電場中。金屬球為等位體,球內電場等于零。求外電場則為感應電荷的電場與原均勻電場之和,試求球外的電位及電場18.一個半徑為a的導體球殼,沿赤道平面切割出一窄縫,在兩半球殼上外加電壓。并且使下半球
6、殼的電位為零(接地),上半球殼的電位為。計算球內的電位19.求單導線的對地電容。一根極長的單導線與地面平行。導線半徑為a,離地高度為h,求單位長度單導線地對地電容20.兩根無限長平行圓柱,半徑均為a,軸線距離位D。求兩圓柱間單位長度上的電容21.一長方形界面的導體槽,槽可以視為無限長,其上有一塊與相絕緣的蓋板,槽的電位為零,蓋板的電位為,求槽內的電位函數22.兩平行的無限大導體平面,距離為b,其間有一極薄由y=d到y(tǒng)=b()。上板和薄片保持電位,下板保持零電位求板間電位的解。設在薄片平面上,從y=0到y(tǒng)=d,電位線性變化,。提示:應用
7、疊加原理。把場分解成兩個場相疊加:一是薄片不存在,兩平行板(加電壓)的場;一是薄片和兩個電位為零的平板間的場。注意兩個場疊加后滿足題給的邊界條件。23.導體槽,底面保持電位,其余兩面電位為零,求槽內的電位的解24.一長、寬、高分別為a、b、c的長方體表面保持為零電位,體積內填充密度為的電荷。球體積內的。提示:假設可以用三維傅里葉級數表示為,并將展成相似的三維傅里葉級數,把和的展式代入泊松方程:決定系數。25.一對無限大接地平行導體板。板間有一與z軸平行的線電荷,其位置為(0,d),求板間的電位函數。26.矩形槽電位為零,槽中有一與槽平
8、行的直線電荷。求槽內的電位函數27.在均勻電場中垂直于電場方向放置一導體圓柱,圓柱半徑為a。求圓柱外的電位函數和導體表面的感應電荷密度。28.考慮一介電常數為的無限大的介質,在介質中沿z軸方向開一個半徑為a的圓柱形空腔。