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《功率集成電路中的閂鎖效應(yīng)研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、功率集成電路中的閂鎖效應(yīng)研究本文由tuiffi貢獻pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機查看。東南大學碩士學位論文功率集成電路中的閂鎖效應(yīng)研究姓名：唐晨申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：陸生禮20060403東南大學碩士學位論文摘要超大規(guī)模集成電路和高壓功率器件技術(shù)的發(fā)展推動了功率集成電路的發(fā)展。功率集成電路應(yīng)用廣泛，包括平板顯示驅(qū)動芯片、通訊類芯片和智能控制類芯片等等，使用功率集成電路是為了降低成本并提高可靠性。為進一步降低開發(fā)周期和成本，通?？紤]與低壓工藝之間的兼容。Ｌａｔｃｈｕｐ（閂鎖失效）
2、是功率集成電路中普遍存在的問題。本論文從某類功率驅(qū)動芯片的閂鎖失效原因入手分析，介紹了ＣＭＯＳ電路中閂鎖失效問題的產(chǎn)生背景，并對這種失效結(jié)構(gòu)建立基本模型進行分析，從理論上找到影響閂鎖結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)，然后從工藝和版圖上提出在ＣＭＯＳ結(jié)構(gòu)中一些抗閂鎖的基本方法；接著從某類功率驅(qū)動集成電路入手，在低壓和高壓電路中找到潛在的閂鎖失效結(jié)構(gòu)，同時提出了ＥＳＤ保護電路和閂鎖失效的相互影響；通過提取潛在的失效結(jié)構(gòu)，用軟件Ｔｓｕｐｍｎ４和Ｍｅｄｉｃｉ進行模擬，分別在低壓和高低壓電路中加入各種保護措施，包括多子保護環(huán)和少子保護環(huán)結(jié)構(gòu)，比較觸發(fā)電壓大小，找到一種最優(yōu)的保護措施；
3、基于模擬結(jié)果。通過改進版圖布局，同時將最佳的保護措施植入版圖中進行流水：最后介紹了閂鎖的測試方法，并且將流水回來的芯片進行實測，從而驗證改進措施的有效性。本論文是針對功率集成電路中閂鎖失效問題的研究?；诎鎴D合理的布局布線，同時加入新的版圖保護結(jié)構(gòu)，通過實際測試證明這些保護措施很好的提高了功率抗閂鎖能力。為今后功率集成電路中的抗閂鎖方案積累了豐富的經(jīng)驗。關(guān)鍵字：功率集成電路，閂鎖，保護環(huán)，版圖奎童盔蘭堡主蘭垡絲塞ＡｂｓｔｒａｃｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｄｖａｎｃｅｓｉｎＶＬＳＩｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆａｎｄｈｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｉｓｔ
4、ｏｒｓｈａｖｅｍａｄｅｐｏｓｓｉｂｌｅｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｓｕｃｈａｓＰｏｗｅｒｉｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ口ＩＣ）．Ｉｎｕｓｅｄｉｓｐｌａｙｄｒｉｖｉｎｇ，ｃｏｓｔａｌｌｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，ａｎｄａｎｄｍｏｔｏｒｃｏｎｔｒｏｌｓｙｓｔｅｍｓ．ｔｈｅＯｆＰ１Ｃ’ｓｃ粕ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙｒｅｄｕｃｅｓｙｓｔｅｍｃｏｓｔ，ｐｒｏｃｅｓｓｉｍｐｒｏｖｅｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ．Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｔｉｍｅａｎｄａｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙｗｉｔｈｅｘｉｓｔｉｎｇｌｏｗ－ｖｏｌｔａｇｅＣ
5、ＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｉｓｈｉｇｈｌｙｄｅｓｉｒａｂｌｅ．Ｌａｔｃｈ－ｕｐｉｓｕｂｉｑｕｉｔｏｕｓｐｒｏｂｌｅｍｉｎＰＩＣ．ＩｔｉｓａｎａｌｙｚｅｆｒｏｍｔｈｅｃａｌＬｇｃｓｏｆＬａｔｃｈ－ｕｐｅｆｆｅｃｔｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｆｉｒｓｔｌｙ，ｔｈｅＣＭＯＳＬａｔｃｈ－ｕｐｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ，ｍｏｄｅｌｉｎｇａｎｄｔｈｅａｖｏｉｄａｎｃｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓｉｓｅｘｐｏｕｎｄｅｄ．Ｓｅｃｏｎｄｌｙ，ｔｈｅｌａｔｃｈ－ｕｐｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎＰＩＣｉｓａｄｖａｎｃｅｄ．Ｔｈｅｎ，ｔｈｅｓｏＲｗａｒｅｔｓｕｐｒｃｍ４ＢａｓｅｄＯｉｌ
6、ａｎｄｍｅｄｉｃｉａｒｅｕｓｅｄｔｏｓｉｍｕｌａｔｅｔｈｅｌａｔｃｈ－ｕｐｅｆｆｅｃＬｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓ，ｔｈｅｂｅｓｔｌａｔｃｈ－ｕｐａｖｏｉｄａｎｃｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｉｓｆｏｕｎｄ：ｔｈｅｇｕａｒｄｒｉｎｇｓｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅｍａｊｏｒｉｔｙ８ｕａｒｄｒｉｎｇａｎｄｔｈｅｍｉｎｏｒｉｔｙｇｕａｒｄｒｉｎｇａｒｅａｄｄｅｄｉｎｔｈｅｍｏｒｅｒｅａｓｏｎａｂｌｅｌａｙｏｕｔ．Ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｔｌｙ，ｔｈｅｌａｙｏｕｔｄｅｓｉｇｎｒｕｌｅｓｗｈｉｃｈｐｒｅｖｅｎｔｔｈｅｌａｔｃｈ－ｕｐｉｎＰ１Ｃｌａｔｃｈ－ｕｐｔｅｓｔｉｓｔｅ
7、ｓｔｍｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ．ＩｎｔｈｅＰＩＣｉｓｅｎｄ，ｔｈｅｂｙｔｈｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄａｎｄｔｈｅｖａｌｉｄｉｔｙｏｆｔｈｅｌａｔｃｈ—ｌ】ｐａｖｏｉｄａｎｃｅｔｅｃｉｍｉｑｕｅｉｎｐｒｏｖｅｄｉ＇ｅｓａＩｔｓ．ＴｈｉｓｐａｐｅｒｉｓｓｔｕｄｉｅｄａｂｏｍｔｈｅＬａｔｃｈ－ｕｐｅｆｆｅｃｔｉｎＰＩＣ．Ｉｔｉｓｉｓｂａｓｅｄｏｌｌｔｈｅｒｅａｓｏｎａｂｌｅｌａｙｏｕｔ，ａｎｄａｔｔｈｅｓａｍｅｔｉｍｅｔｈｅｎｅｗｐｒｏｔｅｃｔｅｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｄｄｅｄ．Ａｔｌａｓｔ，ｉｔｉｓｐａｓｓｅｄｉｎｔｈｅｌｏｔｓｏｆｐｒａｃｔｉｃａｌｔｅｓｔ，ｗｈｉｃｈ
8、ｉｓｉｎＬａｔｃｈ－ｕｐｆｒｅｅｉｎｐｒｏｖｅｄｔｈｅｓｅＰＩＣ．
