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1、4G駐留比提升指導(dǎo)手冊(cè)移動(dòng)無(wú)線優(yōu)化室2015年5月目錄1概述31.14G駐留比31.23G高倒流小區(qū)32影響4G駐留的原因334G駐留比優(yōu)化思路444G駐留比提升措施44.1功率提升44.2參數(shù)優(yōu)化44.3RF優(yōu)化調(diào)整74.4建設(shè)引導(dǎo)74.5用戶原因分析753G高流量集中區(qū)域分布圖86效果評(píng)估和指標(biāo)對(duì)比81概述實(shí)現(xiàn)4G用戶駐留時(shí)長(zhǎng)分析能夠達(dá)到提升用戶感知的目的。4G網(wǎng)絡(luò)高駐留是4G網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的基礎(chǔ)，提升LTE終端用戶在4G網(wǎng)絡(luò)的駐留能力，意義重大，4G時(shí)長(zhǎng)駐留比越高用戶的上網(wǎng)體驗(yàn)越好，相比于傳統(tǒng)的流量駐留比，時(shí)長(zhǎng)駐留比更加能夠反映出用戶的真實(shí)感知，提升用戶的滿意度。1.14G駐
2、留比4G網(wǎng)絡(luò)時(shí)長(zhǎng)駐留比=4G終端在LTE網(wǎng)絡(luò)駐留時(shí)長(zhǎng)4G終端在2G網(wǎng)絡(luò)+3G網(wǎng)絡(luò)+LTE網(wǎng)絡(luò)駐留的總時(shí)長(zhǎng)4G網(wǎng)絡(luò)流量駐留比=4G終端在LTE網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的流量4G終端在2G網(wǎng)絡(luò)+3G網(wǎng)絡(luò)+LTE網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的總流量1.23G高倒流小區(qū)3G高倒流小區(qū)是指4G終端在3G小區(qū)產(chǎn)生的日均流量超過(guò)300MB，且該小區(qū)有LTE覆蓋，即定義為3G高倒流小區(qū)。2影響4G駐留的原因4G駐留比體現(xiàn)了4G終端在LTE網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)流量占4G終端總流量的占比，目前影響4G駐留比的因素：?4G終端用戶所處區(qū)域，4G網(wǎng)絡(luò)弱覆蓋、無(wú)覆蓋導(dǎo)致終端重選、重定向至2/3G網(wǎng)絡(luò)；?異系統(tǒng)互操作參數(shù)取值不合理，導(dǎo)致用戶在LTE
3、網(wǎng)絡(luò)可以滿足終端駐留時(shí)較易重定向至2/3G網(wǎng)絡(luò)；?4G終端在2/3G網(wǎng)絡(luò)由于鄰區(qū)、參數(shù)設(shè)置導(dǎo)致較難返回LTE網(wǎng)絡(luò)。34G駐留比優(yōu)化思路44G駐留比提升措施目前影響4G駐留比的因素主要有4G的覆蓋情況，相關(guān)互操作參數(shù)的設(shè)定，以及4G用戶的行為。網(wǎng)絡(luò)側(cè)現(xiàn)在可以實(shí)施的優(yōu)化手段主要有：通過(guò)功率提升、RF優(yōu)化調(diào)整、建設(shè)引導(dǎo)等方面改善部分弱覆蓋情況；優(yōu)化互操作相關(guān)的參數(shù)，用戶原因分析，引導(dǎo)滿足條件的UE優(yōu)先駐留到4G網(wǎng)絡(luò)。4.1功率提升LTE功率調(diào)整：上行參考信號(hào)功率（referencesigndpower）、下行發(fā)射信號(hào)總功率（totalpower）設(shè)定值：referencesigna
4、lpowertotalpower室分宏站室分宏站15dBm13dBm43dBm37dBm4.2參數(shù)優(yōu)化4G網(wǎng)路與2/3G網(wǎng)絡(luò)的互操作參數(shù)對(duì)4G時(shí)長(zhǎng)駐留比意義重大，異系統(tǒng)測(cè)量及重定向相關(guān)參數(shù)設(shè)置不合理會(huì)造成UE過(guò)早重選/重定向至G/T網(wǎng)，或過(guò)晚重選回LTE網(wǎng)絡(luò)。參數(shù)調(diào)整建議：參數(shù)名稱英文名稱參數(shù)含義是否集團(tuán)核查參數(shù)集團(tuán)核查規(guī)則4G駐留參數(shù)修改建議是否符合集團(tuán)當(dāng)前配置要求最低接收電平qrxlevminLTE-2G3G小區(qū)選擇最低接收電平是宏站【-120,-124】室分【-120,-128】-122dBm是異頻/異系統(tǒng)測(cè)量啟動(dòng)門限sNonIntraSearchLTE-TDS重選測(cè)
5、量啟動(dòng)門限是【-82，-100】-82dBm是服務(wù)頻點(diǎn)低優(yōu)先級(jí)重選門限threshServingLowLTE-TDS重選要求LTE電平低于此門限是【-116dBm，-120dBm】D/F：-120dBm；E：-116dBm是UTRAN頻點(diǎn)低優(yōu)先級(jí)重選門限ThreshXlow（異系統(tǒng)UTRAN低優(yōu)先級(jí)頻點(diǎn)重選門限）LTE-3GLTE-TDS重選要求TDS電平高于此門限是【-89,-91】，室分-85dBm4G到3G：宏站為-91dBm，室分為-85dBm；是低優(yōu)先級(jí)重選門限值ThreshXlow(異系統(tǒng)GERAN低優(yōu)先級(jí)頻點(diǎn)重選門限)LTE-2GLTE-GSM重選要求GSM電平
6、高于此門限是【-94,-96】，室分-65dBm4G到2G:宏站為-95dBm，室分為-65dBm是異系統(tǒng)A1A2幅度遲滯hysteresis切換幅度遲滯(A2盲重定向)是【0dB～2dB】2dB是異系統(tǒng)A1RSRP觸發(fā)門限thresholdEutraRsrp（異系統(tǒng)A1RSRP觸發(fā)門限）LTE-TDS測(cè)量重定向的異系統(tǒng)測(cè)量關(guān)閉門限否【-79~-97dbm】-97dbm 異系統(tǒng)A2RSRP觸發(fā)門限thresholdEutraRsrp（異系統(tǒng)A2RSRP觸發(fā)門限）LTE-TDS測(cè)量重定向要求LTE電平低于此門限是【-95～-110dbm】宏站：-110dBm室分：-100dBm
7、是異頻異系統(tǒng)盲切換A1A2事件RSRP門限thresholdEutraRsrp（事件觸發(fā)門限(A2盲重定向)）LTE-GSM盲重定向要求LTE電平低于此門限，并且TDS電平未達(dá)到InterRatHoUtranB1ThdRscp以上，發(fā)生到GSM網(wǎng)絡(luò)的盲重定向。是【-118～-126】宏站：-124dBm室分：-124dBm是異系統(tǒng)GERAN重選優(yōu)先級(jí)配置指示CellReselectionPriorityLTE-2G異系統(tǒng)GERAN重選優(yōu)先級(jí)配置否【1，2】2 GERAN重定向開關(guān)isMobilityTo
