聚吡咯分子印跡膜修飾電極研究（可編輯）

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1、聚吡咯分子印跡膜修飾電極研究學(xué)校代碼:中圖分類號(hào)::密級(jí):公開篙越天淫碩士學(xué)位論文聚吡咯分子印跡膜修飾電極的研究南開大學(xué)研究生院二。一一年五南開大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)書根據(jù)《南開大學(xué)關(guān)于研究生學(xué)位論文收藏和利用管理辦法》,我校的博士、碩士學(xué)位獲得者均須向南開大學(xué)提交本人的學(xué)位論文紙質(zhì)本及相應(yīng)電子版。本人完全了解南開大學(xué)有關(guān)研究生學(xué)位論文收藏和利用的管理規(guī)定。南開大學(xué)擁有在《著作權(quán)法》規(guī)定范圍內(nèi)的學(xué)位論文使用權(quán),即:學(xué)位獲得者必須按規(guī)定提交學(xué)位論文包括紙質(zhì)印刷本及電子版,學(xué)?？梢圆捎糜坝　⒖s印或其他復(fù)制手段保存研究生學(xué)位論文,并編入《南開大學(xué)

2、博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù)》;為教學(xué)和科研目的,學(xué)校可以將公開的學(xué)位論文作為資料在圖書館等場(chǎng)所提供校內(nèi)師生閱讀,在校園網(wǎng)上提供論文目錄檢索、文摘以及論文全文瀏覽、下載等免費(fèi)信息服務(wù);根據(jù)教育部有關(guān)規(guī)定,南開大學(xué)向教育部指定單位提交公開的學(xué)位論文;學(xué)位論文作者授權(quán)學(xué)校向中國(guó)科技信息研究所和中國(guó)學(xué)術(shù)期刊光盤電子出版社提交規(guī)定范圍的學(xué)位論文及其電子版并收入相應(yīng)學(xué)位論文數(shù)據(jù)庫(kù),通過其相關(guān)網(wǎng)站對(duì)外進(jìn)行信息服務(wù)。同時(shí)本人保留在其他媒體發(fā)表論文的權(quán)利。非公開學(xué)位論文,保密期限內(nèi)不向外提交和提供服務(wù),解密后提交和服務(wù)同公開論文。論文電子版提交至校圖書館網(wǎng)站

3、:://...:/.。本人承諾:本人的學(xué)位論文是在南開大學(xué)學(xué)習(xí)期間創(chuàng)作完成的作品,并已通過論文答辯;提交的學(xué)位論文電子版與紙質(zhì)本論文的內(nèi)容一致,如因不同造成不良后果由本人自負(fù)。本人同意遵守上述規(guī)定。本授權(quán)書簽署一式兩份,由研究生院和圖書館留存。作者暨授權(quán)人簽字:程雪。一一一年月日南開大學(xué)研究生學(xué)位論文作者信息聚吡咯分子印跡修飾電極的研究論文題目程雪姓名學(xué)號(hào)答辯日期年月日博士口論文類別學(xué)歷碩士一碩士專業(yè)學(xué)位口高校教師口同等學(xué)力碩士口化學(xué)學(xué)院專業(yè)分析化學(xué)院/系/所...通信地址郵編:天津南開大學(xué)化學(xué)樓南樓否備注:是否批準(zhǔn)為非公開論文注:本授權(quán)

4、書適用我校授予的所有博士、碩士的學(xué)位論文。由作者填寫一式兩份簽字后交校圖書館,非公開學(xué)位論文須附《南開大學(xué)研究生申請(qǐng)非公開學(xué)位論文審批表》。南開大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:所呈交的學(xué)位論文,是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外,本學(xué)位論文的研究成果不包含任何他人創(chuàng)作的、已公開發(fā)表或者沒有公開發(fā)表的作品的內(nèi)容。對(duì)本論文所涉及的研究工作做出貢獻(xiàn)的其他個(gè)人和集體,均已在文中以明確方式標(biāo)明。本學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名:年月日程雪非公開學(xué)位論文標(biāo)注說明本頁(yè)表中填寫內(nèi)容須打

5、印根據(jù)南開大學(xué)有關(guān)規(guī)定,非公開學(xué)位論文須經(jīng)指導(dǎo)教師同意、作者本人申請(qǐng)和相關(guān)部門批準(zhǔn)方能標(biāo)注。未經(jīng)批準(zhǔn)的均為公開學(xué)位論文,公開學(xué)位論文本說明為空白。論文題目口限制≤年口秘密≤年口機(jī)密≤年申請(qǐng)密級(jí)保密期限年月日至年月日年月批準(zhǔn)日期審批表編號(hào)日南開大學(xué)學(xué)位評(píng)定委員會(huì)辦公室蓋章有效注:限制★年可少于年:秘密★年可少于年:機(jī)密★年可少于年摘要摘要分子印跡聚合物口是一種對(duì)某一目標(biāo)分子具有特異性識(shí)別能力的人工合成聚合物,其機(jī)理類似于抗原抗體的機(jī)理,功能單體同模板分子作用可形成對(duì)模板分子“量身定做的空腔。電化學(xué)傳感器將目標(biāo)分析物的信號(hào)轉(zhuǎn)化為可測(cè)量的電信號(hào)

6、,它具有靈敏度高、成本低、易于微型化自動(dòng)化、操作簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn)。結(jié)合分子印跡技術(shù)制備的分子印跡聚合物膜同電化學(xué)傳感器制備的生物傳感器,具有可觀的應(yīng)用前景和重要的研究意義。槲皮素是自然界中分布最廣泛的黃酮類化合物。廣泛存在于許多植物中,包括多種蔬菜、水果、以及多種藥用植物中均含有此成分。槲皮素具有還原性,因此能對(duì)抗自由基,絡(luò)合和捕獲自由基防止氧化反應(yīng),具有抗炎、抗過敏、降血壓、抗血小板凝聚、抗氧化、抗腫瘤等藥理作用對(duì)癌癥、衰老、心血管疾病的治療和預(yù)防有重要的意義,具有較大的開發(fā)價(jià)值,所以倍受人們的關(guān)注。本論文研究了以槲皮素為模板分子,聚吡咯

7、為功能單體的不同印跡材料基質(zhì)的修飾電極。共分三部分,包括緒論、聚吡咯分子印跡膜修飾電極測(cè)定槲皮素、//溶膠凝膠分子印跡膜的合成初探。第一章為緒論部分。對(duì)化學(xué)修飾電極,分子印跡技術(shù),分子印跡膜修飾的電化學(xué)傳感器進(jìn)行了詳細(xì)的總結(jié)。第二章采用電方法合成聚吡咯分子印跡聚合物膜修飾電極的研究。使用電化學(xué)方法在玻碳電極表面原位合成了槲皮素分子印跡聚合物膜,制成了分子印跡聚合物膜修飾電極.。探討了合成以及測(cè)定的最佳條件,線性范圍././,檢測(cè)限為.×一/。采用同為黃酮類的蘆丁作為干擾物,.能夠?qū)τ谝欢ǔ潭扰懦J丁的干擾。第三章是合成//印跡槲皮素溶膠凝

8、膠.,用旋涂法將溶膠修飾在電極表面。將和制成共混型溶膠,并探討了兩種物質(zhì)的含量、配比對(duì)于成膜的影響,作為功能單體其含量的影響,利用循環(huán)伏安法并對(duì)電極的印跡效果進(jìn)行了測(cè)定,總結(jié)出最優(yōu)的合成條件。