ddr sdram在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

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1、DDRSDRAM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用???很多嵌入式系統(tǒng)，特別是應(yīng)用于圖像處理與高速數(shù)據(jù)采集等場合的嵌入式系統(tǒng)，都需要高速緩存大量的數(shù)據(jù)。DDR（Double?Data?Rate，雙數(shù)據(jù)速率）SDRAM由于其速度快、容量大，而且價(jià)格便宜，因此能夠很好地滿足上述場合對(duì)大量數(shù)據(jù)緩存的需求。但DDR?SDRAM的接口不能直接與現(xiàn)今的微處理器和DSP的存儲(chǔ)器接口相連，需要在其間插入控制器實(shí)現(xiàn)微處理器或DSP對(duì)存儲(chǔ)器的控制。???隨看密度與性能的不斷提升，現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）已被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)中。而且，現(xiàn)在很多的FPGA

2、s都提供了針對(duì)DDR?SDRAM的接口特性：其輸入輸出引腳都與SSTL一II電氣特性相兼容，內(nèi)部提供了DDR觸發(fā)器、鎖相環(huán)等硬件資源。使用這些特性，可以更加容易地設(shè)計(jì)性能可靠的高速DDR?SDRAM存儲(chǔ)器控制器。???1DDRSDRAM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用????圖1是DDRSDRAM在高速信號(hào)源系統(tǒng)中的應(yīng)用實(shí)例。???在該系統(tǒng)中，由FPGA完成各模塊之間的接口控制。FPGA接收從前端傳送過來的高速數(shù)字信號(hào)，并將其存儲(chǔ)在DDR?SDRAM中；13SP通過FPGA讀取DDR中的數(shù)據(jù)．處理后再送回到DDR?SDRAM，最后由FPGA

3、負(fù)責(zé)將數(shù)據(jù)分兩路輸出。???該系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器的要求是能夠高速地存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)，DDR?SDRAM正好能滿足這一要求。此時(shí)，F(xiàn)PGA是否能對(duì)DDR?SDRAM進(jìn)行有效控制就成為影響系統(tǒng)性能的關(guān)鍵。最后的試驗(yàn)結(jié)果表明，F(xiàn)PGA是能夠勝任這一任務(wù)的。???2DDR?SDRAM的工作方式????在DDR?SDRAM能夠被存取數(shù)據(jù)之前，需要先對(duì)其初始化。該初始化流程是預(yù)先定義好的，不正確的操作將導(dǎo)致無法預(yù)料的結(jié)果。初始化的過程中將設(shè)置DDRSDRAM的普通模式寄存器和擴(kuò)展模式寄存器，用來制定DDR?SDRAM的工作方式。這些設(shè)置包括突發(fā)長度

4、、突發(fā)類型、CAS潛伏期和工作模式以及擴(kuò)展模式寄存器中的對(duì)DDR?SDRAM內(nèi)部DLL的使能與輸出驅(qū)動(dòng)能力的設(shè)置。模式寄存器可以被再編程，這時(shí)需要DDRSDRAM的各個(gè)區(qū)（bank）處于空閑狀態(tài)，從而改變存儲(chǔ)器的工作模式。如果操作正確，對(duì)模式寄存器的再編程不會(huì)改變存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。???初始化完成之后，DDR?SDRAM便進(jìn)入正常的工作狀態(tài)，此時(shí)便可對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫和刷新。DDR?SDRAM在一對(duì)差分時(shí)鐘（CLK與CLKn；CLK的上升沿與CLKn的下降沿的交點(diǎn)被認(rèn)為是CLK的上升沿）的控制下工作。命令（地址和控制信號(hào)）在每個(gè)

5、時(shí)鐘（CLK）的上升沿被觸發(fā)。隨著數(shù)據(jù)一起傳送的還包括一個(gè)雙向的數(shù)據(jù)選通信號(hào)，接收方通過該信號(hào)來接收數(shù)據(jù)。DQS作為選通信號(hào)在讀周期中由DDR?SDRAM來產(chǎn)生，在寫周期中由存儲(chǔ)器控制器來產(chǎn)生。該選通信號(hào)與數(shù)據(jù)相關(guān)，其作用類似于一個(gè)獨(dú)立的時(shí)鐘，因此也需要滿足相應(yīng)的時(shí)序要求。讀周期中，DQS與數(shù)據(jù)是邊沿對(duì)齊的；寫周期中，DQS與數(shù)據(jù)是中心對(duì)齊的。存儲(chǔ)器輸入的數(shù)據(jù)在DQS的兩個(gè)沿都觸發(fā)．輸出的數(shù)據(jù)也是以DQS的兩個(gè)沿作為參考，同時(shí)還要以時(shí)鐘CLK的兩個(gè)沿作為參考。因此，由于接口在時(shí)鐘的兩個(gè)沿的觸發(fā)下工作，其數(shù)據(jù)寬度（n）是存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)

6、寬度（2n）的一半。圖2描述了DDR?SDRAM的工作方式。???對(duì)DDR?SDRAM的讀和寫操作是基于突發(fā)的：從一個(gè)選定的地址單元開始，連續(xù)存取設(shè)置好長度的地址單元。該長度就是所謂的突發(fā)長度。DDR?SDRAM提供的可編程的讀或?qū)懙耐话l(fā)長度為2，4或8。數(shù)據(jù)的存取以一個(gè)激活命令（ACTlVE?command，RAS_n?low）開始，接著便是讀（CAS_n?low）或?qū)懀–AS_n?low?and?WE_n?low）命令。與激活命令一起被觸發(fā)的地址位用來選擇將要存取的區(qū)（bank）和頁（或行）}與讀或?qū)懨钜黄鹩|發(fā)的地址位用來

7、選擇突發(fā)存取的起始列單元。使用控制器讀取DDR?SDRAM的仿真波形示意圖如圖2所示。讀命令被觸發(fā)后，數(shù)據(jù)將在1.5～3個(gè)時(shí)鐘周期之后出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。這個(gè)延遲就是所謂的CAS潛伏期（CAS?latency），即從DRAM內(nèi)核讀出數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上所需要的時(shí)間。CAS潛伏期的大小與SDRAM的速度和存儲(chǔ)器的時(shí)鐘頻率有關(guān)。???當(dāng)要存取一個(gè)不同行的地址單元時(shí)，需要通過一個(gè)預(yù)充電（PRECHARGE）操作關(guān)閉當(dāng)前行。自動(dòng)刷新（AUTO-REFRESH）命令用來周期性地刷新DDRSDRAM，以保持其內(nèi)部的數(shù)據(jù)不丟失。???3D

8、DR?SDRAM控制器的設(shè)計(jì)????DDR?SDRAM控制器的功能就是初始化DDRSDRAM；將DDR?SDRAM復(fù)雜的讀寫時(shí)序轉(zhuǎn)化為用戶方簡單的讀寫時(shí)序，以及將DDR?SDRAM接口的雙時(shí)鐘沿?cái)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用戶方的單時(shí)鐘沿?cái)?shù)據(jù)，使用戶像操作普通的RAM一樣控制DD