半導(dǎo)體器件物理_復(fù)習(xí)重點(diǎn)new

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1、第一章PN結(jié)1.1PN結(jié)是怎么形成的？1.2PN結(jié)的能帶圖（平衡和偏壓）*1.3內(nèi)建電勢(shì)差計(jì)算1.4空間電荷區(qū)的寬度計(jì)算1.5PN結(jié)電容的計(jì)算第二章PN結(jié)二極管2.1理想PN結(jié)模型是什么？2.2少數(shù)載流子分布（邊界條件和雙極輸運(yùn)方程的應(yīng)用）2.3理想PN結(jié)電流2.4PN結(jié)二極管的等效電路（擴(kuò)散電阻和擴(kuò)散電容的概念）？2.5產(chǎn)生-復(fù)合電流的計(jì)算2.6PN結(jié)的兩種擊穿機(jī)制有什么不同？第三章雙極晶體管3.1雙極晶體管的工作原理是什么？3.2雙極晶體管有幾種工作模式，哪種是放大模式？3.3雙極晶體管的少子分布（圖示）3.4雙極晶體管的電流成分（圖示），它

2、們是怎樣形成的？3.5低頻共基極電流增益的公式總結(jié)3.6等效電路模型（Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模型）（畫圖和簡述）3.7雙極晶體管的截止頻率受哪些因素影響？3.8雙極晶體管的擊穿有哪兩種機(jī)制？第四章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)4.1MOS結(jié)構(gòu)怎么使半導(dǎo)體產(chǎn)生從堆積、耗盡到反型的變化？4.2MOS結(jié)構(gòu)的平衡能帶圖（表面勢(shì)、功函數(shù)和親和能）及平衡能帶關(guān)系4.3柵壓的計(jì)算(非平衡能帶關(guān)系)4.4平帶電壓的計(jì)算4.5閾值電壓的計(jì)算4.6MOS電容的計(jì)算總的電容公式：最大電容：平帶電容：，最小電容：，4.7MOSFET的工作原理是什么？4.8

3、電流-電壓關(guān)系（計(jì)算）N溝道：P溝道：4.9MOSFET的跨導(dǎo)計(jì)算4.10MOSFET的等效電路（簡化等效電路）4.11MOSFET的截止頻率主要取決于什么因素？第五章光器件5.1電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率：5.2PN結(jié)太陽能電池的電流5.3光電導(dǎo)計(jì)算5.4光電導(dǎo)增益5.5光電二極管的光電流5.6PIN二極管怎么提高光電探測(cè)效率？5.7發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率主要取決于哪些因素？5.8PN結(jié)二極管激光器怎樣實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)（借助于能帶圖說明）第六章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管：概念的深入6.1MOSFET按比例縮小理論（恒定電場(chǎng)縮?。?，哪些參數(shù)縮小，哪些參數(shù)增大？6

4、.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是什么？它有什么特點(diǎn)