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1、單晶爐技術(shù)說明書ZM451.03SM第6頁共6頁1．用途：本設(shè)備為軟軸提拉型單晶爐，是在惰性氣體（氬氣）環(huán)境中，用石墨電阻加熱器將硅半導(dǎo)體材料溶化，用直拉法生長單晶的設(shè)備。9001型爐采用18"熱場，投料量60Kg，可拉制6"或8"的單晶。（1201型爐，采用18”或20”熱場，投料量最大120Kg,,可拉制6"~10"的單晶。）2．設(shè)備的工作原理概述：本設(shè)備采用軟籽晶軸提升機構(gòu)，顯著降低了單晶爐的高度，因而在一般廠房中即可安裝使用，便于裝配維修和拉晶操作，同時實現(xiàn)了籽晶軸轉(zhuǎn)速穩(wěn)定的效果。本設(shè)備在性能和控制上都進行了改進。在機械結(jié)構(gòu)方面采用了先進的磁
2、流體密封技術(shù)、拱形封頭式爐蓋結(jié)構(gòu)以及合理的主、副室提升機構(gòu)。單晶的提升采用的是可承受190Kg的不銹鋼絲繩。爐室結(jié)構(gòu)為頂開式，主爐室和副爐室開啟時由螺母絲杠裝置實現(xiàn)上移。上升到位后對稱旋出，便于機動取出晶體，拆除熱場系統(tǒng)和清理爐內(nèi)各部。主爐室和副爐室之間，設(shè)有翻板閥，可在維持主爐室工藝條件不變的情況下取出晶體，更換籽晶。3.主要技術(shù)數(shù)據(jù)：9001型1201型 3.1.電源3相380V±10%,50HZ3相380V±10%,50HZ3.2.變壓器容量：200KVA230KVA3.3.加熱器最大加熱功率：150KVA150KVA3.4.加熱器最高加熱電壓
3、：65V65V3.5.最高加熱溫度：1500℃1500℃3.6.冷爐極限真空度：3Pa3Pa3.7.晶體直徑：φ6"/φ8"φ6"～φ10"3.8.熔料量：90Kg120Kg3.9.主爐室尺寸：φ850×1220mmφ900×1200mm3.10.旋閥通徑：φ260mmφ300mm3.11.副爐室尺寸：φ260×2270mmφ300×2300mm3.12.籽晶拉速范圍：0～8mm/min0～8mm/min3.13.籽晶快速：≥400mm/min≥400mm/min3.14.籽晶轉(zhuǎn)速范圍：0～48R/min0～48R/min更改數(shù)量更改單號簽字日期更改
4、數(shù)量更改單號簽字日期更改數(shù)量更改單號簽字單晶爐技術(shù)說明書ZM451.03SM第6頁共6頁3.15.坩堝升速范圍：0～2mm/min0～2mm/min3.16.坩堝快速：≥100mm/min≥100mm/min3.17.坩堝轉(zhuǎn)速范圍：0～20R/min0～20R/min3.18.籽晶提升有效行程：2900mm3000mm3.19.坩堝升降有效行程：400mm400mm3.20.主機占地面積：2500mmX1500mm2000mmX1500mm3.22.主機最大高度：6300mm6500mm4.設(shè)備的安裝與要求4.1.設(shè)備安裝環(huán)境本設(shè)備應(yīng)在清潔、減震的工
5、作環(huán)境中運行，應(yīng)放置在專用的混凝土基礎(chǔ)上，環(huán)境條件應(yīng)選在恒溫、恒濕車間。也可在能與空氣中粉塵、振動和沖擊波隔離的較好環(huán)境中工作，地面應(yīng)盡量平整，并且有自然排水管孔，使回水能自然排放。突然的外界較強烈的沖擊振動，有可能影響晶體的內(nèi)在質(zhì)量。因此，廠房應(yīng)盡量選擇在避開振源的地方。當條件限制而不能避開時，則要做必要的隔振措施。其具體要求是：室溫20±5℃相對濕度≤65％外界振源當大于10HZ時，振幅應(yīng)小于0.003mm可腐蝕性氣體盡量杜絕。本設(shè)備在氬氣環(huán)境中工作，開爐時應(yīng)通風使氬氣擴散后再進行操作，廠房應(yīng)保持良好的通風條件，防止氬氣沉積。4.2.冷卻水源與排
6、水本設(shè)備主體的進水共分3路，一路冷卻主機下部各冷卻部位，一路冷卻主機上部，一路冷卻電纜及機械泵。水管與主機相連時，以軟膠管連接，以防止振動干擾主機。排水相應(yīng)地也有3路，連接管路終端為開式管路，以免爐室及各冷卻部分水壓過大而造成管路變形，排水管如為多臺共用時，應(yīng)為無壓排水，總排水管應(yīng)暢通無阻，水質(zhì)應(yīng)以軟水質(zhì)循環(huán)供水為好。其具體要求為：壓力：0.1~0.2MPa更改數(shù)量更改單號簽字日期更改數(shù)量更改單號簽字日期更改數(shù)量更改單號簽字單晶爐技術(shù)說明書ZM451.03SM第6頁共6頁流量：≥20m3/hPH值：7～9電阻值：>104～106Ω/cm硬度：≤8de
7、氯離子：≤10ppm鐵離子：≤0.1ppm進水溫度：≤25℃本設(shè)備電源部分單獨供水，要求水壓0.2~0.3MPa，水質(zhì)要求同設(shè)備主體部分。4.3.電源電壓：3相380V±10%,50HZ功率：大于150KW/臺配電盤應(yīng)裝有500V、400A的空氣開關(guān)，及380V、400A的隔離開關(guān)。廠房內(nèi)不應(yīng)有會對單晶爐機電系統(tǒng)正常運行造成不良影響的射電干擾和電磁干擾。建議用戶為本設(shè)備的“熱場加熱電源”配備諧波抑制裝置,以利于提高電能利用效率,減少干擾。4.4.氬氣源氬氣應(yīng)使用純度≥99.999％的氬氣源，與設(shè)備連接部位應(yīng)采用專用接口，管道為不銹鋼材料。其具體要求為
8、：氬氣純度：>99.999%氬氣壓力：0.05～0.2MPa氬氣流量：100L/min氬氣管道泄漏率：<0.
