華誠薄膜電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

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1、華誠薄膜電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則1.0目的1.1本文件定義了薄膜電路的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則并適用于華誠制造的所有薄膜電路。1.2本文件有三部分：1.基本設(shè)計(jì)原則。2.光刻板的設(shè)計(jì)要求。3.電阻設(shè)計(jì)原則。2.0基本設(shè)計(jì)原則2.1基板材料、厚度、表面光潔度必須確定。2.2基板表面金屬必須定義，包括基板兩面的金屬類型、厚度和公差。我們通?；逭鍭u的厚度為3.4~4.0μm(135~160microinches)；我們通?；灞趁鍭u的厚度為1μm(40microinches)。2.3我們的標(biāo)準(zhǔn)工藝要求電路外形必需為正方形或長方形。2.4所有電路的特征

2、形狀需由直線、圓弧、或它們的組合構(gòu)成；不規(guī)則曲線不允許。2.5刻蝕法：最小導(dǎo)線的線寬為10μm(約0.0004")，此適用于Au的厚度≤4μm(約160microinches)。電鍍法：最小導(dǎo)線的線寬為20μm(約0.0004")，此適用于Au的厚度≤4μm(約160microinches).2.6刻蝕法：導(dǎo)線的間隙最小為20μm(約0.0008"),此適用于Au的厚度≤4μm(約160microinches);15μm(約0.0006”)的間隙也可達(dá)到。電鍍法：導(dǎo)線的間隙最小可做到10μm(約0.0004")，此適用于Au

3、的厚度≤4μm(約160microinches)。2.7關(guān)鍵部位尺寸公差為±2.5μm(±0.0001"),此適用于Au的厚度≤4μm(約160microinches)；非關(guān)鍵部位尺寸公差為±7.6μm(±0.0003")。2.8Au的厚度標(biāo)準(zhǔn)公差為±20％。2.9電阻的長度、寬度最小值為50.8μm(0.002")。2.10TaN電阻有穩(wěn)定的薄膜電阻值為50ohms/square;如果需要,其它阻值可定制。電阻的標(biāo)準(zhǔn)公差為±10％。2.11含有薄膜電阻的電路必需設(shè)計(jì)一個獨(dú)立的50ohms測試電阻，這對于無測試電阻的電路設(shè)計(jì)

4、是尤為重要。2.12導(dǎo)線和電阻距電路邊沿最小距離為50μm(約0.002")。（見圖1）圖12.13所有電路在導(dǎo)線層應(yīng)有識別標(biāo)示。（見圖1）2.14切割標(biāo)記位于導(dǎo)線層，推薦標(biāo)記尺寸為0.1mmx0.5mm(0.004”x0.02”)十字架（見圖2）所示。2.15一個位于電阻層的0.1mmx0.1mm(0.004”x0.004”)方塊將用來層對層的對準(zhǔn)和校準(zhǔn)，如圖2所示。2.16其他切割和對準(zhǔn)標(biāo)記也可以使用但需經(jīng)華誠的事先同意。圖22.17標(biāo)準(zhǔn)的最終電路尺寸公差為±50μm(0.002")。3.0光刻板的設(shè)計(jì)要求3.1導(dǎo)線層的

5、光刻板（刻蝕法工藝）3.1.1導(dǎo)線的幾何圖形區(qū)域?yàn)榘祬^(qū)，導(dǎo)線之外的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)（）。3.1.2當(dāng)光刻板的鍍Cr面向下，導(dǎo)線分布圖形和零件編號可正確讀取。3.1.3對凹形（采用獨(dú)立島設(shè)計(jì)）電阻設(shè)計(jì)，將電阻區(qū)域可視為空白區(qū)（透光區(qū)）（見圖3）。3.1.4對平齊（flush）電阻設(shè)計(jì)，將電阻區(qū)域可視為一實(shí)體區(qū)（見圖4）。3.1.5使用刻蝕法工藝，所有電路重要尺寸必需有刻蝕系數(shù)調(diào)整：每1μm(40μ-inches)基板Au的厚度，光刻板上導(dǎo)線之間的縫隙寬度較實(shí)際名義尺寸窄2.5μm(0.0001")《例如：基板Au的厚度為4μm(1

6、60microinches)，光刻板上導(dǎo)線之間的縫隙寬度變窄10μm（0.0004"）》。每1μm(40microinches)基板Au的厚度，光刻板上導(dǎo)線的寬度比最終實(shí)際名義尺寸加寬2.5μm(0.0001")《例如：基板Au的厚度為4μm(160microinches)，光刻板導(dǎo)線寬度加寬10μm（0.0004"）》。3.2導(dǎo)線層光刻板（電鍍工藝）3.2.1.導(dǎo)線幾何圖形區(qū)域?yàn)榱羺^(qū)，其它區(qū)域?yàn)榘祬^(qū)域(采用正膠工藝)。3.2.2當(dāng)光刻板的鍍Cr面向下，導(dǎo)線分布圖形和零件編號可正確讀取。3.2.3對凹形（采用獨(dú)立島設(shè)計(jì)）電阻

7、設(shè)計(jì)，將電阻區(qū)域可視為空白區(qū)（透光區(qū)）（見圖3）3.2.4所有使用電鍍工藝的重要尺寸都要加入曝光系數(shù)的調(diào)整：導(dǎo)線間距在光刻板必須較實(shí)際設(shè)計(jì)尺寸寬4μm(0.00016")；導(dǎo)線的寬度在光刻板上則必須較實(shí)際設(shè)計(jì)尺寸窄4μm(0.00016")（曝光系數(shù)的調(diào)整是由于使用厚光刻膠（>5微米）和曝光衍射的結(jié)合作用）。3.3凹形電阻設(shè)計(jì)的電阻光刻板（刻蝕法工藝）(華誠建議的設(shè)計(jì))3.3.1電阻的幾何區(qū)域?yàn)榘祬^(qū)，電阻之外的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)（采用正膠工藝）。3.3.2當(dāng)光刻板的鍍Cr面向下，電阻分布圖形和零件編號可正確讀取。3.3.3對所有凹

8、形電阻（見圖3），兩邊凹形縮進(jìn)量最小為25μm（0.001"）；電阻邊沿不能和導(dǎo)線的幾何圖形邊沿平齊。3.3.4電阻必需與導(dǎo)線區(qū)域重疊，尺寸最小50μm(0.002")，無需刻蝕或曝光系數(shù)的調(diào)整（見圖3）。3.4平齊（flush）電阻設(shè)計(jì)的電阻光刻板（刻蝕法工藝）3.4.1.該電阻幾何圖形