資源描述：
《薄膜物理與技術(shù)基本概念常識大全》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、薄膜物理基礎(chǔ)知識大全第一章：最可幾速度：平均速度：均方根速度：平均自由程：每個分子在連續(xù)兩次碰撞之間的路程稱為自由程；其統(tǒng)計平均值成為平均自由程。常用壓強單位的換算1Torr=133.322Pa1Pa=7.5×10-3Torr1mba=100Pa1atm=1.013*100000Pa真空區(qū)域的劃分、真空計、各種真空泵粗真空1×105to1×102Pa低真空1×102to1×10-1Pa高真空1×10-1to1×10-6Pa超高真空<1×10-6Pa旋轉(zhuǎn)式機械真空泵油擴散泵復(fù)合分子泵屬于氣體傳輸泵，即通過氣體吸入并排出真空泵從而達到排
2、氣的目的分子篩吸附泵鈦升華泵濺射離子泵低溫泵屬于氣體捕獲泵，即通過各種吸氣材料特有的吸氣作用將被抽氣體吸除，以達到所需真空。不需要油作為介質(zhì)，又稱為無油泵絕對真空計：U型壓力計、壓縮式真空計相對真空計：放電真空計、熱傳導(dǎo)真空計、電離真空計機械泵、擴散泵、分子泵的工作原理，真空計的工作原理第二章：1.什么是飽和蒸氣壓、蒸發(fā)溫度？在一定溫度下，真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現(xiàn)出來的壓力規(guī)定物質(zhì)在飽和蒸氣壓為10-2Torr時的溫度2.克-克方程及其意義？3.蒸發(fā)速率、溫度變化對其影響？根據(jù)氣體分子運動論，在氣體壓力為P
3、時，單位時間內(nèi)碰撞單位面積器壁上的分子數(shù)量，即碰撞分子流量（通量或蒸發(fā)速率）J：蒸發(fā)源溫度微小變化就可以引起蒸發(fā)速率的很大變化4.平均自由程與碰撞幾率的概念。蒸發(fā)分子在兩次碰撞之間所飛行的平均距離9熱平衡條件下，單位時間通過單位面積的氣體分子數(shù)為1.點蒸發(fā)源和小平面蒸發(fā)源特性？能夠從各個方向蒸發(fā)等量材料的微小球狀蒸發(fā)源稱為點蒸發(fā)源（點源）。這種蒸發(fā)源的發(fā)射特性具有方向性，使得在alpha角方向蒸發(fā)的材料質(zhì)量和cos(alpha)成正比。2.拉烏爾定律？如何控制合金薄膜的組分？在定溫下，在稀溶液中，溶劑的蒸氣壓等于純?nèi)軇┱魵鈮撼艘匀芤?/p>
4、中溶劑的物質(zhì)的量分數(shù)在真空蒸發(fā)法制作合金薄膜時，為保證薄膜組成，經(jīng)常采用瞬時蒸發(fā)法、雙蒸發(fā)源法等。3.MBE的特點？(分子束外延)外延:在一定的單晶材料襯底上，沿襯底某個指數(shù)晶面向外延伸生長一層單晶薄膜。1)MBE可以嚴格控制薄膜生長過程和生長速率。MBE雖然也是以氣體分子論為基礎(chǔ)的蒸發(fā)過程，但它并不以蒸發(fā)溫度為控制參數(shù)，而是以四極質(zhì)譜、原子吸收光譜等近代分析儀器，精密控制分子束的種類和強度。2)MBE是一個超高真空的物理淀積過程，即不需要中間化學反應(yīng)，又不受質(zhì)量輸運的影響，利用快門可對生長和中斷進行瞬時控制。薄膜組成和摻雜濃度可以
5、隨源的變化作迅速調(diào)整。3)MBE的襯底溫度低，降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)對外延層自摻雜擴散的影響。4)MBE是一個動力學過程，即將入射的中性粒子（原子或分子）一個一個地堆積在襯底上進行生長，而不是一個熱力學過程，所以它可以生長普通熱平衡生長難以生長的薄膜。5)MBE生長速率低，相當于每秒生長一個單原子層，有利于精確控制薄膜厚度、結(jié)構(gòu)和成分，形成陡峭的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。特別適合生長超晶格材料。6)MBE在超高真空下進行，可以利用多種表面分析儀器實時進行成分、結(jié)構(gòu)及生長過程分析，進行科學研究。4.膜厚的定義？監(jiān)控方法？厚度
6、：是指兩個完全平整的平行平面之間的距離。理想薄膜厚度：基片表面到薄膜表面之間的距離。監(jiān)控方式見書上詳解P50第二章：1.濺射鍍膜與真空鍍膜相比，有何特點？1)任何物質(zhì)都可以濺射，尤其是高熔點金屬、低蒸氣壓元素和化合物；2)濺射薄膜與襯底的附著性好；3)濺射鍍膜的密度高、針孔少，膜層純度高；4)膜層厚度可控性和重復(fù)性好。5)濺射設(shè)備復(fù)雜，需要高壓裝置；6)成膜速率較低（0.01-0.5mm）。2.正常輝光放電和異常輝光放電的特征？在正常輝光放電區(qū)，陰極有效放電面積隨電流增加而增大，從而使有效區(qū)內(nèi)電流密度保持恒定。當整個陰極均成為有效放
7、電區(qū)域后，只有增加陰極電流密度，才能增大電流，形成均勻而穩(wěn)定的“異常輝光放電”，并均勻覆蓋基片，這個放電區(qū)就是濺射區(qū)域。3.射頻輝光放電的特點？i.在輝光放電空間產(chǎn)生的電子可以獲得足夠的能量，足以產(chǎn)生碰撞電離；ii.由于減少了放電對二次電子的依賴，降低了擊穿電壓；iii.射頻電壓可以通過各種阻抗偶合，所以電極可以是非金屬材料。91.濺射的概念及濺射參數(shù)。濺射是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或者分子從表面射出的現(xiàn)象。1)濺射閾值2)濺射率及其影響因素3)濺射粒子的速度和能量分布4)濺射原子的角度分布5)濺射率的計算2.濺射機
8、理濺射現(xiàn)象是被電離氣體的離子在電場中加速并轟擊靶面，而將能量傳遞給碰撞處的原子，導(dǎo)致很小的局部區(qū)域產(chǎn)生高溫，使靶材融化，發(fā)生熱蒸發(fā)。濺射完全是一個動量轉(zhuǎn)移過程該理論認為，低能離子碰撞靶時，不能直接從表面濺射出原子，而是把動量傳遞給被碰
