物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低的比較

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1、物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低的規(guī)律小結(jié)熔點(diǎn)是固體將其物態(tài)由固態(tài)轉(zhuǎn)變(熔化)為液態(tài)的溫度。熔點(diǎn)是一種物質(zhì)的一個物理性質(zhì),物質(zhì)的熔點(diǎn)并不是固定不變的,有兩個因素對熔點(diǎn)影響很大,一是壓強(qiáng),平時(shí)所說的物質(zhì)的熔點(diǎn),通常是指一個大氣壓時(shí)的情況,如果壓強(qiáng)變化,熔點(diǎn)也要發(fā)生變化;另一個就是物質(zhì)中的雜質(zhì),我們平時(shí)所說的物質(zhì)的熔點(diǎn),通常是指純凈的物質(zhì)。沸點(diǎn)指液體飽和蒸氣壓與外界壓強(qiáng)相同時(shí)的溫度。外壓力為標(biāo)準(zhǔn)壓(1.01×105Pa)時(shí),稱正常沸點(diǎn)。外界壓強(qiáng)越低,沸點(diǎn)也越低,因此減壓可降低沸點(diǎn)。沸點(diǎn)時(shí)呈氣、液平衡狀態(tài)。在近年的高考試題及高考模

2、擬題中我們常遇到這樣的題目:下列物質(zhì)按熔沸點(diǎn)由低到高的順序排列的是,A、二氧化硅,氫氧化鈉,萘B、鈉、鉀、銫C、干冰,氧化鎂,磷酸D、C2H6,C(CH3)4,CH3(CH2)3CH3?在我們現(xiàn)行的教科書中并沒有完整總結(jié)物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的文字,在中學(xué)階段的解題過程中,具體比較物質(zhì)的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)的規(guī)律主要有如下:根據(jù)物質(zhì)在相同條件下的狀態(tài)不同一般熔、沸點(diǎn):固>液>氣,如:碘單質(zhì)>汞>CO22.由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)?同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低;而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊,即C,

3、Si,Ge,Sn越向下,熔點(diǎn)越低,與金屬族相似;還有ⅢA族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低;ⅣA族的錫熔點(diǎn)比鉛低。?3.同周期中的幾個區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律?①?高熔點(diǎn)單質(zhì)?C,Si,B三角形小區(qū)域,因其為原子晶體,故熔點(diǎn)高,金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于3550℃。金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡元素的中部和中下部,其最高熔點(diǎn)為鎢(3410℃)。?②?低熔點(diǎn)單質(zhì)?非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上方,另有IA的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的最低者,如氦的熔點(diǎn)(-272.2℃,26×105Pa)、沸點(diǎn)(268.9℃)最低。?金屬的

4、低熔點(diǎn)區(qū)有兩處:IA、ⅡB族Zn,Cd,Hg及ⅢA族中Al,Ge,Th;ⅣA族的Sn,Pb;ⅤA族的Sb,Bi,呈三角形分布。最低熔點(diǎn)是Hg(-38.87℃),近常溫呈液態(tài)的鎵(29.78℃)銫(28.4℃),體溫即能使其熔化。?4.從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律?晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn);不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)(凝固點(diǎn)不固定)。?非晶體物質(zhì),如玻璃、水泥、石蠟、塑料等,受熱變軟,漸變流動性(軟化過程)直至液體,沒有熔點(diǎn)。?①原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體,又高于分子晶體。在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大

5、,則熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長、鍵能再比較。如鍵長:?金剛石(C—C)>碳化硅(Si—C)>晶體硅?(Si—Si)。熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅?②在離子晶體中,化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí),陰陽離子半徑之和越小,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高。反之越低。如KF>KCl>KBr>KI,CaO>KCl。③分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定,分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高,反之越低。(具有氫鍵的分子晶體,熔沸點(diǎn)?反常地高,如:H2O>H2Te>H2Se>H2S,C2H5OH>CH3—O—CH3)。對于分子晶體

6、而言又與極性大小有關(guān),其判斷思路大體是:ⅰ組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如:CH4<SiH4<GeH4<SnH4。ⅱ組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對分子質(zhì)量相近),分子極性越大,其熔沸點(diǎn)就越高。如:?CO>N2,CH3OH>CH3—CH3。ⅲ在高級脂肪酸形成的油脂中,不飽和程度越大,熔沸點(diǎn)越低。如:C17H35COOH(硬脂酸)>C17H33COOH(油酸);ⅳ烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加,熔沸點(diǎn)升高,如C2H6>CH4,?C2H5C

7、l>CH3Cl,CH3COOH>HCOOH。ⅴ同分異構(gòu)體:鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多,熔沸點(diǎn)降低。如:CH3(CH2)3CH3?(正)>CH3CH2CH(CH3)2(異)>(CH3)4C(新)。芳香烴的異構(gòu)體有兩個取代基時(shí),熔點(diǎn)按對、鄰、?間位降低。(沸點(diǎn)按鄰、間、對位降低)④金屬晶體:金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體,其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大,如鎢、鉑等(但也有低的如汞、銫等)。在金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多,原子半徑越小,金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng),金屬鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,反之越低。如:

8、Na<Mg<Al。?合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金<純鋁(或純硅)。5.某些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性?①?同周期主族(短周期)金屬熔點(diǎn)。如?LiNaCl>NaBr>NaI。?通過

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