瑞晶電子能資源減量作為

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1、瑞晶電子的能資源減量作為第十二條等級：進階資料來源：2011年瑞晶電子企業(yè)社會責任報告書瑞晶2011年持續(xù)提高能資源使用率，除讓生產成本下降，更讓每單位的生產效率提升，以達企業(yè)永續(xù)發(fā)展之目標企業(yè)概述瑞晶電子股份有限公司成立於2006年11月，為臺灣力晶科技股份有限公司與日本爾必達(Elpida)共同合資之12吋晶圓製造廠。專業(yè)製造高密度、高性能DRAM（動態(tài)隨機存取記憶體），除擁有領先技術、最低成本與穩(wěn)定的產品品質外，在競爭激烈的DRAM產業(yè)中已取得長期立足點，並展現最佳的生產競爭力。為了滿足客戶及

2、各種市場需求，瑞晶將持續(xù)開發(fā)更多先進製程技術，以提供客戶更高品質更準確之產品來擴大客戶之市占率，強化客戶之競爭力，提供客戶最佳成本優(yōu)勢。案例描述瑞晶本著珍惜資源、友善環(huán)境與綠色生產，執(zhí)行節(jié)能減廢，提高資源使用率，以降低污染與能源耗用，於建廠設計階段即考量節(jié)能進行設計，並與業(yè)界合作，擬定節(jié)能計劃，成立能源管理組織；於運轉階段則採有效自動化監(jiān)控系統(tǒng)、分析負載用量統(tǒng)計及能源管理查核制度，以達節(jié)能減碳與永續(xù)經營之最終目標。2011年度，瑞晶的溫室氣體排放量未因產能擴充而增加，且在力行各項節(jié)能減碳措施下，單位

3、晶圓產出溫室氣體排放量，由2009年的0.353公噸CO2-e/片晶圓下降至2011年的0.327公噸CO2-e/片晶圓，其降幅達7%。除持續(xù)削減溫室氣體排放量外，為強化管理，2011年瑞晶電子依據PAS2050執(zhí)行產品碳足跡盤查作業(yè)，盤查標的產品為40nm製程2GBDDR3DRAM晶圓，計算産品和服務在整個生命周期內(從原材料的獲取，到生産、分銷、使用和廢置後的處理)溫室氣體排放量，以了解生産過程中所形成的溫室氣體排放量。經由上述各階段排放量結果加總後，得知每片標的產品之碳足跡為516.6kgCO

4、2-e，並獲得全臺第一張UKAS的PAS2050產品碳足跡查證證書，代表瑞晶電子除了通過第三方驗證機構-勞氏(LRQA)查證外，更通過國際性認證機構的查證，肯定瑞晶電子的產品碳足跡查證深具國際公信力，確信其碳足跡計算的準確性、完整性及透明性。瑞晶電子為減少對環(huán)境之負荷，於建廠前即針對水資源利用方面規(guī)劃了一系列措施，並不惜成本導入高回收效率節(jié)水設備。節(jié)水策略包含前段製程省水機臺採購及改善，中段機臺排水分流規(guī)劃，後段各項回收系統(tǒng)建置與效率提升；同時搭配各項節(jié)水改善計畫，並對同仁施以節(jié)水教育訓練，將節(jié)水概

5、念自工作內化至生活中，達有效節(jié)省水資源目標。由於製程需求及產能擴充，2011年總產能較2009年提高10.8%，但因實施多項節(jié)水計畫，2011年度仍成功減少自來水用量。各項方案包含—搭配改管技術，將廢氣處理系統(tǒng)運轉所用純水改以回收水替代，每日節(jié)約水量約356m3；並透過精密計算，找出最適用於瑞晶廠區(qū)純水回收系統(tǒng)之高效率RO膜，提升產水率5%，每日節(jié)約水量達249m3；透過上述以及其他各項方案，全廠持續(xù)提高全廠回收率並力圖將水資源利用最大化，經統(tǒng)計，2011年全廠自來水用量為273萬噸，整體回收水量2

6、011年達712萬噸。