臺(tái)式光刻機(jī)和離子蝕刻機(jī)價(jià)格

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1、http://www.runlian365.com『潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)』登錄【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢價(jià)格登錄“潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)”可查找底價(jià)http://www.runlian365.com『潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)』登錄【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢價(jià)格臺(tái)式光刻機(jī)和離子蝕刻機(jī)價(jià)格標(biāo)題:光刻機(jī)和去膠清洗設(shè)備參數(shù)庫(kù)號(hào)：JX164067價(jià)格：百度搜【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢主要技術(shù)參數(shù)：離子蝕刻機(jī)20-M/NS-12適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī)基片尺寸直徑4英寸X12片直徑18英寸X3片樣品臺(tái)直接冷卻離子源20cm考夫曼離子源電源可更換為國(guó)內(nèi)電源離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn)：1.干式制程的微細(xì)加工裝置，使得

2、在薄膜磁頭，半導(dǎo)體元件，MRsensor等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用。2.物理蝕刻的特性，無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工，所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用。3.配置使用美國(guó)考夫曼公司原裝制造的離子源。4.射頻角度可以任意調(diào)整，蝕刻可以根據(jù)需要做垂直，斜面等等加工形狀。5.基板直接加裝在直接冷卻裝置上，所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻。6.配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu)，使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面。7.機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程。標(biāo)題:去膠清洗設(shè)備和等離子表面處理系統(tǒng)COVANCE-MP

3、R參數(shù)庫(kù)號(hào)：JX164068價(jià)格：百度搜【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢主要技術(shù)參數(shù)：離子蝕刻機(jī)10-M/NS-5:適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究基片尺寸直徑6英寸X1片樣品臺(tái)直接冷卻，單獨(dú)冷卻離子源10cm考夫曼離子源電源可更換為國(guó)內(nèi)電源離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn)：1.干式制程的微細(xì)加工裝置，使得在薄膜磁頭，半導(dǎo)體元件，MRsensor等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用。2.物理蝕刻的特性，無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工，所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用。3.配置使用美國(guó)考夫曼公司原裝制造的離子源。4.射頻角度可以任意調(diào)整，蝕刻可以根據(jù)需要做垂

4、直，斜面等等加工形狀。5.基板直接加裝在直接冷卻裝置上，所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻。6.配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu)，使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面。7.機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程。庫(kù)號(hào)：JX164069價(jià)格：百度搜【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢登錄“潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)”可查找底價(jià)http://www.runlian365.com『潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)』登錄【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢價(jià)格標(biāo)題:成套電子束光刻系統(tǒng)和等離子表面處理系統(tǒng)COVANCE-MP參數(shù)主要技術(shù)參數(shù)：儀器簡(jiǎn)介：在過(guò)去的幾年中，半導(dǎo)體器件和IC生產(chǎn)等微電子技術(shù)已發(fā)展到深亞

5、微米階段及納米階段。為了追求晶片更高的運(yùn)算速度與更高的效能，三十多年來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循著摩爾定律（Moore’sLaw）：每十八個(gè)月單一晶片上電晶體的數(shù)量倍增，持續(xù)地朝微小化努力。為繼續(xù)摩爾定律，在此期間，與微電子領(lǐng)域相關(guān)的微/納加工技術(shù)得到了飛速發(fā)展，科學(xué)家提出各種解決方案如：圖形曝光（光刻）技術(shù)、材料刻蝕技術(shù)、薄膜生成技術(shù)等。其中，圖形曝光技術(shù)（微影術(shù)）是微電子制造技術(shù)發(fā)展的主要推動(dòng)者，正是由于曝光圖形的分辨率和套刻精度的不斷提高，促使集成電路集成度不斷提高和制備成本持續(xù)降低。電子束曝光系統(tǒng)（electronbe

6、amlithography,EBL）是一種利用電子束在工件面上掃描直接產(chǎn)生圖形的裝置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式與電子束曝光機(jī)十分相近，美國(guó)JCNabityLithographySystems公司成功研發(fā)了基于改造商品SEM、STEM或FIB的電子束曝光裝置（NanometerPatt標(biāo)題:原子層沉積系統(tǒng)PE-ALD和電子束刻蝕參數(shù)庫(kù)號(hào)：JX164070價(jià)格：百度搜【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢主要技術(shù)參數(shù)：離子蝕刻機(jī)20-M/NS-8NS適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī)基片尺寸直徑3英寸X8片直徑4英寸X6片基臺(tái)直接冷

7、卻樣品臺(tái)20cm考夫曼離子源電源可更換為國(guó)內(nèi)電源離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn)：1.干式制程的微細(xì)加工裝置，使得在薄膜磁頭，半導(dǎo)體元件，MRsensor等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用。2.物理蝕刻的特性，無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工，所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用。3.配置使用美國(guó)考夫曼公司原裝制造的離子源。4.射頻角度可以任意調(diào)整，蝕刻可以根據(jù)需要做垂直，斜面等等加工形狀。5.基板直接加裝在直接冷卻裝置上，所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻。6.配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu)，使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面。7.機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操

8、作流程，所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程。標(biāo)題:電子束直寫(xiě)系統(tǒng)和電子束光刻系統(tǒng)CABL-9000系列價(jià)格庫(kù)號(hào)：JX164071價(jià)格：百度搜【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢登錄“潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)”可查找底價(jià)http://www.runlian365.com『潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)』登錄【潤(rùn)聯(lián)網(wǎng)】查詢價(jià)格主要技術(shù)參數(shù)：傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩模板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)環(huán)境中