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《超高靈敏度新型super》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、超高靈敏度新型Superlunouseg(this)">微電子技術(shù)以及光電子技術(shù)的不斷發(fā)展,近幾年來,攝像器件的發(fā)展已能滿足高質(zhì)量圖像的要求。但是,如果在黑暗條件下進行成像和觀察,則要求攝像器件有更高的靈敏度。目前一般采用雪崩倍增膜法來提高靈敏度,這種方法結(jié)構(gòu)簡單、制造方便、成本較低,是一種混合式結(jié)構(gòu)。采用該結(jié)構(gòu)的受光面為形成的玻璃片上的雪崩倍增膜。再用微型銦柱將倍增膜連接在固體讀出電路上(如MOS或CMOS讀出電路)。該微型銦柱主要起機械和電氣的連接作用。攝像管的高靈敏度和超高靈敏度化標志著超高靈敏度攝像機的誕生
2、,它不僅適用于高分辨率電視(HDTV)攝像系統(tǒng),而且大大提高了標準電視攝像系統(tǒng)的質(zhì)量。它的使用必將給電視節(jié)目制作和演播室照明技術(shù)帶來新的變化。2高靈敏度攝像管的發(fā)展過程攝像管的研究工作目前已在提高靈敏度和分辨率、降低惰性及噪聲影響等方面取得進展。日本已先后推出HARP和Super-HARP攝像管,這些攝像管以其極高的靈敏度被認為是當今新一代攝像管的代表。以往在Station或Plumbicon三管攝像機以及CCD攝像機進行拍攝時,只要照度低于20Lux,圖像質(zhì)量就難以保證。而硅靶增強型(SIT)攝像管和圖像增強型(
3、IT)攝像管雖然具有較高的靈敏度,但由于存在較強的惰性和較大的噪波,加之分辨率較低,也難以形成理想的圖像。1987年,日本NHK研究所發(fā)現(xiàn)非晶硒與晶體半導(dǎo)體一樣具有雪崩式倍增作用,在此基礎(chǔ)上發(fā)明了可在低照度條件下產(chǎn)生良好的電視圖像的新型光電導(dǎo)體和靶結(jié)構(gòu),即高增益雪崩倍增非晶光電導(dǎo)體(HighgainAvalanvheRushingamorphousPhotoconductor),500)this.style.ouseg(this)">簡稱HARP靶。利用這種結(jié)構(gòu)研制的攝像管的靈敏度要比普通攝像管高10倍,并且能產(chǎn)生
4、與HDTV攝像管相同的高質(zhì)量圖像。且該攝像管不僅適用于標準電視系統(tǒng),而且非常適用于HDTV系統(tǒng)。1988~1993年,日本NHK研制成功了在20nm~1.9μm甚至x波段內(nèi)有光響應(yīng)的多種HARP靶攝像管,并被命名為“Harpicon”和“Super-Harpicon”。1991年,NHK又硬件出更高靈敏度的Super-HARP攝像管。它的靈敏度比普通攝像管和CCD攝像器件高100倍,并能在由日光到月光這樣寬的照明條件下形成高質(zhì)量圖像,從而成為新一代的電視攝像管。3HARP和Super-HARP攝像管的原理當半導(dǎo)體中
5、空間電荷區(qū)的電場增強時,通過空間電荷區(qū)的電子和空穴在電場的作用下獲得的能量亦隨之增大。這樣,晶體中運動的電子和空穴將不斷地與晶體原子發(fā)生碰撞。當電子和空穴的能量足夠大時,通過碰撞,可使其價鍵中的電子激發(fā)形成自由電子空穴對,這種現(xiàn)象稱為碰撞電離。新產(chǎn)生的電子空穴對與原有的電子和空穴一樣,在電場作用下,也向相反的方向運動,并重新獲得能量。通過碰撞又將產(chǎn)生新的電子空穴對,這就是載流子的倍增效應(yīng)。由于這種雪崩倍增現(xiàn)象同樣存在于非晶硒中,所以HAPR和Super-HARP攝像管便可利用靶層內(nèi)的雪崩倍增現(xiàn)象獲得很高的靈敏度。圖
6、1是普通攝像管與HARP攝像管的工作原理比較。由圖1可見,在普通攝像管中,500)this.style.ouseg(this)">一個入射光子僅產(chǎn)生一個光生電子空穴對。而在HARP攝像管中,加在靶層中的強電場將使空穴朝電子束掃描運動方向加速,被加速的空穴與靶內(nèi)原子相撞并使其發(fā)生電離以產(chǎn)生新的電子空穴對。由于雪崩倍增,HARP攝像管中的每一個入射光子將可讀出大量的載流子。雪崩倍增的程序由靶厚度壓值決定。HARP攝像管的靶厚早先為2μm,現(xiàn)已增加到4μm,而Super-HARP攝像管則大幅度增加了厚度,已增加到25μm
7、。圖2為靶與信號電流在藍光入射時的關(guān)系曲線,可以看出,在420V靶壓附近,Super-HARP的靈敏度與普通攝像管相同,此時沒有雪崩倍增現(xiàn)象出現(xiàn),藍光量子效率為70%。當靶壓超過420V時,信號電流迅速增加,在676V靶壓時,靈敏度可達普通攝像管的100倍。由于Super-HARP攝像管使用了6μm靶厚和676V靶壓,因而其靶內(nèi)雪崩倍增現(xiàn)象十分強烈,因而可獲得極高的靈敏度。Super-HARP攝像管與普通MSSATICON(2/3英寸)攝像管的外觀相同。1996年,日本NHK科學與技術(shù)研究所研制出超高靈敏度新型Su
8、per-HARP攝像機,這種攝像機所用的核心器件為全新的Super-HARP靶結(jié)構(gòu)(如圖3所示),為了與舊HARP靶和最初的Super-HARP靶的電流-電壓特性進行比較,圖4給出了新型Super-HARP的信號和暗電流與靶電壓的關(guān)系。4HARP和Super-HARP攝像管的技術(shù)特性4.1主要特點HARP和Super-HARP攝像管分別是高靈敏和超高靈敏的全