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《基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物的柔性阻變存儲(chǔ)器研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、分類號(hào)：密級(jí)：研究生學(xué)位論文論文題目（中文）基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物的柔性阻變存儲(chǔ)器研究ResearchonFlexibleResistiveRandomAccess論文題目（外文）MemoryBasedonPerovskiteStructureOxide研究生姓名齊麟學(xué)科、專業(yè)物理學(xué)·凝聚態(tài)物理研究方向非易失性柔性阻變存儲(chǔ)器學(xué)位級(jí)別碩士導(dǎo)師姓名、職稱高存緒副教授論文工作起止年月2014年9月至2017年6月論文提交日期2017年5月論文答辯日期2017年6月學(xué)位授予日期校址：甘肅省蘭州市學(xué)院：物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院學(xué)號(hào)：
2、220140925781學(xué)生姓名：齊麟導(dǎo)師姓名：高存緒學(xué)科名稱：物理學(xué)·凝聚態(tài)物理基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物的柔性阻變存儲(chǔ)器研論文題目：究原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：本人所呈交的學(xué)位論文，是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的成果。學(xué)位論文中凡引用他人已經(jīng)發(fā)表或未發(fā)表的成果、數(shù)據(jù)、觀點(diǎn)等，均已明確注明出處。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的科研成果。對(duì)本文的研究成果做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。論文作者簽名：日期：基于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物的柔性阻
3、變存儲(chǔ)器研究中文摘要近年來(lái)，隨著信息存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，具有功耗低、讀寫(xiě)速度快、集成密度高等特點(diǎn)的非易失性存儲(chǔ)器被廣泛地研究。其中，具有“三明治”簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的阻變存儲(chǔ)器被認(rèn)為最有可能成為下一代的主流存儲(chǔ)器。繼而，物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴信息器件的飛速發(fā)展對(duì)阻變存儲(chǔ)器提出了柔性性能的要求。柔性阻變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)性能主要由阻變層的材料及其性能決定。迄今為止，氧化石墨烯和過(guò)渡族硫化物等材料因其二維特性成為制備柔性阻變存儲(chǔ)器理想的阻變材料。研究結(jié)果也顯示以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物為阻變層的傳統(tǒng)阻變存儲(chǔ)器表現(xiàn)出優(yōu)良的阻變性質(zhì)。眾所周知，離子鍵結(jié)合
4、的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物很難體現(xiàn)類似石墨烯的二維行為。能否及如何實(shí)現(xiàn)以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物為阻變層的柔性阻變存儲(chǔ)器，并獲得優(yōu)良的阻變性能是我們關(guān)注和本論文擬解決的關(guān)鍵問(wèn)題?；谝陨纤悸?，本論文以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物為阻變層制備柔性阻變存儲(chǔ)器。探索了多種制備方法，結(jié)合多種表征手段，得到了如下的結(jié)果：1、通過(guò)兩步水熱法合成了PbTiO3納米片，并用磁控濺射、真空抽濾、蒸發(fā)鍍膜的方法制備了Al/PbTiO3/Al/PET器件。此器件的I-V曲線顯示寫(xiě)一次讀多次2特性，開(kāi)啟電壓為2.4V，存儲(chǔ)窗口為10，耐久性良好。經(jīng)過(guò)多次彎折后測(cè)試結(jié)
5、果顯示，器件的阻變特性沒(méi)有明顯變化。2、通過(guò)水熱法合成了SrTiO3納米片，并用旋涂法制備了Ag/PVP-SrTiO3/Pt/PET器件及通過(guò)真空抽濾法制備了不同厚度的Ag/SrTiO3/Pt/PET器件。阻變測(cè)試結(jié)果均顯示寫(xiě)一次讀多次特性。獲得了不同厚度Ag/SrTiO3/Pt/PET器件的開(kāi)關(guān)電壓與膜厚的關(guān)系。其最優(yōu)開(kāi)關(guān)電壓為2.38V，存儲(chǔ)窗口為10，顯示良好的二維延展性，但耐久性稍差。而Ag/PVP-SrTiO3/Pt/PET器件的開(kāi)關(guān)電壓為30.17V，存儲(chǔ)窗口為10，二維延展性和耐久性良好，性能得到了顯
6、著提高。3、在以上兩個(gè)工作的基礎(chǔ)上，考慮到BiFeO3的磁性特點(diǎn)，我們合成了BiFeO3納米片，并制備了Ag/BiFeO3/Pt/PET及Ag/PVP-BiFeO3/Pt/PET器件。前者顯3示雙穩(wěn)態(tài)阻變特性，開(kāi)啟電壓為2.55V，關(guān)閉電壓為-3.55V，存儲(chǔ)窗口為10。5后者體現(xiàn)了寫(xiě)一次讀多次的特性，開(kāi)啟電壓為1V，存儲(chǔ)窗口為10。二者均具有良好的二維延展性和耐久性。關(guān)鍵詞：鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物，真空抽濾法，旋涂法，柔性，寫(xiě)一次讀多次，雙極阻變ResearchonFlexibleResistiveRandomAcce
7、ssMemoryBasedonPerovskiteStructureOxideAbstractInrecentyears,withtherapiddevelopmentoftheinformationstorageindustry,high-performance,lowpowerconsumption,rapidswitchingspeed,high-densityintegration,andnon-volatilememoryhasattractedextensiveattentiontobeusedinel
8、ectronicdevices.Inthiscircumstance,agoodcandidatefornextgenerationnon-volatilememoryconceptcalledresistiveswitchingrandomaccessmemory(RRAM)whichhaseasystructureof“sandwich”hasrecen
