砷化鎵薄膜電池的發(fā)展現(xiàn)狀

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1、2014屆畢業(yè)設計(論文)畢業(yè)設計報告(論文)(2014屆)題目:砷化鎵薄膜電池的發(fā)展現(xiàn)狀所屬系:材料系班級:光伏1111學生姓名:丁勇學號:2011104114同組成員:指導教師:肖雪軍-IV`-2014屆畢業(yè)設計(論文)-IV`-2014屆畢業(yè)設計(論文)-IV`-2014屆畢業(yè)設計(論文)摘要美國的阿爾塔設備公司使用外延層剝離技術,用砷化鎵制造出了最高轉化效率達28.4%的薄膜太陽能電池。這種電池不僅打破了此前的轉化效率,其成本也低于其他太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子,未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突破能

2、效轉化記錄的極限。目前效率最高的商用太陽能電池由單晶硅圓制造,最高轉化效率為23%。砷化鎵雖然比硅貴,但其收集光子的效率更高。就性價比而言,砷化鎵是制造太陽能電池的理想材料。未來的空間用砷化鎵太陽能電池市場將全部由國內企業(yè)分享。聚光型砷化鎵太陽能電池的地面應用正逐步成為新的趨勢。未來幾年我國地面用砷化鎵太陽能電池可能會有一個快速增長過程。關鍵詞:砷化鎵介紹與應用現(xiàn)狀發(fā)展趨勢和前景-IV`-2014屆畢業(yè)設計(論文)AbstractAltaequipmentcompaniesintheUnitedStatestousetheepitaxiallayerstrippi

3、ngtechnology,usinggalliumarsenideproducedthehighestconversionefficiencyupto28.4%ofthethinfilmsolarcells.Thebatteryisnotonlybrokethepreviousconversionefficiency,itscostislowerthanothersolarcells.Thekeytothesolarcellefficiencyisnotletitabsorbmorephotonsbutletitsreleasemorephotons,thefut

4、uremadeofgalliumarsenidesolarbatteryisexpectedtobreakthelimitofenergyefficiencyintorecord.Atpresentthemostefficientcommercialsolarcellsmanufacturedbymonocrystallinesiliconcircle,thehighestconversionefficiencyof23%.Galliumarsenide,althoughmoreexpensivethansilicon,thecollectionofphotons

5、ismoreefficient.Intermsofprice,galliumarsenideisanidealmaterialtomakesolarcells.Futurespacewithgalliumarsenidesolarbatterymarketshareallbydomesticenterprises.Concentratingthegroundofthegalliumarsenidesolarbatteryapplicationisgraduallybecominganewtrend.Inthenextfewyearsinourcountrytheg

6、roundUSESgalliumarsenidesolarbatterymayhavearapidgrowthprocess.Keywords:GalliumarsenideIntroductionandapplicationofThestatusquoDevelopmenttrendsandprospects-IV`-2014屆畢業(yè)設計(論文)目錄摘要I第一章緒論11.1本文的研究背景和意義11.2國內外研究發(fā)展現(xiàn)狀11.2.1砷化鎵材料在國內發(fā)展現(xiàn)狀11.2.1砷化鎵材料在國外發(fā)展現(xiàn)狀3第二章砷化鎵材料的介紹與應用72.1砷化鎵材料的性質72.2砷化鎵材料的制

7、備工藝72.2.1液封直拉法(LiquidEncapsulatedCzochalski,簡稱LEC)72.2.2水平布里其曼法(HorizontalBridgmna,簡稱HB)82.2.3垂直布里其曼法(VerticalBridman,簡稱VB)82.2.4垂直梯度凝固法(VerticalGradientFreeze,簡稱VGF)92.2.5蒸汽壓控制直拉法(VaporControlCzochralski,簡稱VCZ)92.2.6各種生長工藝的對比9-IV`-2014屆畢業(yè)設計(論文)2.3砷化鎵材料的開發(fā)與應用112.3.1砷化鎵電子器件的開發(fā)和利用112.3.

8、2砷化鎵光

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