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1、前言半導體理論和器件發(fā)展史1926Bloch理論1931Wilson固體能帶理論(里程碑)1948Bardeen,BrattainandShokley發(fā)明晶體管(鍺二極管,點接觸型),啟動了現(xiàn)代電子技術(shù)的革命。1954第一臺晶體管計算機誕生;半導體有效質(zhì)量理論。淺能級、激子、磁能級等理論方法,回旋共振、磁光吸收、自由載流子吸收、激子吸收等實驗研究。1958集成電路問世;平面工藝和光刻技術(shù)引入Firchrd公司諾宜斯(格羅夫)等發(fā)明了第一塊集成電路,創(chuàng)立Intel公司。1959贗勢概念提出,得到大部分半導體較精確的能帶結(jié)構(gòu)。1962半導體激光器發(fā)明。1965“摩爾定律”,集成電路集
2、成度和性能:翻一番/18月。1968MOS器件發(fā)明(低功耗技術(shù)):超高密度、高速存儲技術(shù)。光刻技術(shù):紫外、軟X射線、電子束、同步輻射光,線條0.08微米,存儲密度達20G/cm2。1970超晶格概念提出:Esaki(江琦),Tsu(朱兆祥)半導體表面(超高真空)1971第一個超晶格AlGaAs/GaAs制備人工設計材料新器件1980量子Hall效應VonKlitzing標準電阻1982分數(shù)量子Hall效應崔琦前沿1.低維系統(tǒng),納米材料,量子點,量子線,介觀系統(tǒng)新器件:量子線激光器(1990)、藍光激光器(1991II-VI;1995III-V)、子帶間遠紅外線探測器(1987)2
3、.電子運動的波動性Aharonov-Bohm振蕩電子波的相干振蕩,庫侖阻塞效應新器件3.單電子效應————單電子晶體管半導體微腔光子晶體半導體材料分類:1.元素半導體IV族:Si、Ge金剛石結(jié)構(gòu)Purity10N9Impurityconcentration10-12/cm3Dislocationdensities<103/cm3Size≥20inches(50cm)indiameterV族:PVI族:S,Te,Se2.二元化合物III-V族化合物:GaAs系列閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaAs1.47eVInAs0.36eVGaP2.23eVGaSb0.68eVGaN3.3eVBN4.6eVAl
4、N3.8eVII-VI族化合物更強的電荷轉(zhuǎn)移ZnSe2.67eVCdS2.59eVZnS3.58eVCdTe1.5eVHgTe0.025eV(遠紅外線探測器)III-VII族化合物CuCl>3eVIV-IV族化合物紅外線探測器PbS0.37eVPbTe0.29eV3.氧化物半導體:CuO,CuO2,ZnO,SnO2高溫超導體4.有機半導體(CH2)n,聚乙烯咔唑等無擴展態(tài),分子能級輸運,易修飾電致發(fā)光LCD:響應時間短,無顯示角問題,全色,能耗低,工藝簡單1990劍橋,電致發(fā)光1997車載LED2001LED用于手機5.磁性半導體6.非晶態(tài)半導體課程內(nèi)容(前置課程:量子理學,固體
5、物理,半導體物理)第一章能帶理論,半導體中的電子態(tài)第二章半導體中的電輸運第三章半導體中的光學性質(zhì)第四章半導體表面第五章超晶格、量子阱第六章非晶態(tài)半導體Chaper1能帶理論(energybandtheory)1.1晶體中的電子(electronincrystal)晶體中的電子只具有分立的能量值(能量不連續(xù)),因此引入能帶(energyband)的概念。這一概念對理解半導體的電學和光學性質(zhì)十分關鍵1.1.1電子行為的兩個實例(twoexamplesofelectronbehavior)不管電子是在真空中(invaccum)原子中(inatom)其行為不同晶體中(incrystal)
6、為了理解半導體晶體中電子的動力學行為,首先去理解電子在一個更簡單環(huán)境中的行為是非常必要的。因此,我們先學習(1)真空中的電子(自由電子:freeelectron)的經(jīng)典情形;(2)類似于盒子的勢阱(potentialwell)中的電子(particle-in-a-box)行為。1.1.1.1自由電子(Freeelectron)自由電子模型能應用于與環(huán)境無相互作用的電子,換句話說(1)電子與晶體中的原子無相互作用,(2)它在一個不變勢的介質(zhì)中行走,這種電子成為自由電子。對于一維的晶體(一種可想象的最簡單的結(jié)構(gòu))和不變勢V,可以寫出時間無關的薛定諤方程(timeindependent
7、Schr?dingerequation):(1)對于一維情形(只考慮x),且設V=0(勢為零),則時間無關的Schr?dingerequation可寫成:(2)其中E——電子能量;m——電子質(zhì)量。該方程的解為:(3)這里或(4)方程(3)代表沿相反方向傳播的兩列波——電子沿+X方向運動——電子沿-X方向運動但是變量k是什么意思?(1)K的單位m-1或cm-1(2)屬于倒易空間矢量對于一維晶體,可以看作標量電子的動量操作算符(momentumoperator)(5)對在一維樣品中考