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《內(nèi)存系統(tǒng)故障維修》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.2存儲單元工作原理【重點】6.3內(nèi)存芯片工作原理6.4內(nèi)存主要技術(shù)性能【重點】6.5內(nèi)存條基本設(shè)計6.6內(nèi)存條接口與信號6.7內(nèi)存故障分析與處理主講：XX老師1第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.1存儲器的類型DRAM：DDR2/DRR3內(nèi)存SRAM：CPU內(nèi)部Cache存儲器半導(dǎo)體：閃存（SSD/U盤）外存磁介質(zhì)：HDD光介質(zhì)：CD-RAM/DVD/BD主講：XX老師2第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.1存儲器的類型傳統(tǒng)內(nèi)存定義：直接與CPU進行數(shù)據(jù)交換的存儲器稱為內(nèi)存，不能直接與CPU進行數(shù)據(jù)交換的存
2、儲器稱為外存。本書內(nèi)存定義：采用DRAM芯片構(gòu)成的存儲系統(tǒng)，它由安裝在主板上的內(nèi)存條組成。主講：XX老師3第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.1存儲器的類型主講：XX老師4第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.1存儲器的類型外存材料和原理更加多樣化。外存要求：容量大，價格便宜，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。外存類型：半導(dǎo)體材料，如SSD、U盤、CF卡等；磁介質(zhì)材料，如硬盤、軟盤、磁帶機等；光介質(zhì)材料，如CD-ROM、DVD-ROM、BD-ROM等主講：XX老師5第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.2半導(dǎo)體存儲技術(shù)發(fā)展CMOS工藝制造的DRAM，只需要
3、1個晶體管和1個電容就可以存儲1位數(shù)據(jù)。內(nèi)存芯片制程工藝達到了45nm線寬。單內(nèi)存芯片存儲容量達到了2Gbit。DRAM與SRAM的性能差別在縮小。SRAM是對晶體管鎖存器進行讀寫。DRAM是對存儲器電容進行讀寫。主講：XX老師6第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.3內(nèi)存基本類型JEDEC制定了一系列的內(nèi)存技術(shù)標準。SDRAM可以實現(xiàn)與CPU的同步工作，因此稱為“同步動態(tài)存儲器”。SDRAM屬于DRAM，它不是SRAM。SDRAM內(nèi)部有幾個P-Bank（物理存儲陣列組），通過多個存儲陣列組的切換，讀寫數(shù)據(jù)的效率得到了成倍提高。主講：XX老師7第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1
4、存儲器類型與組成6.1.3內(nèi)存基本類型DDR在時鐘上升和下降沿都可傳輸數(shù)據(jù)。SDRAM僅在時鐘下降沿傳輸數(shù)據(jù)。一般將DDRSDRAM內(nèi)存統(tǒng)稱為DDR內(nèi)存。主講：XX老師8第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.4內(nèi)存組成形式不同標準的內(nèi)存條，外觀上并沒有太大區(qū)別，但它們的工作電壓、引腳數(shù)量、功能定義和定位口位置不同，互相不能兼容。DDR內(nèi)存主講：XX老師9第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.4內(nèi)存組成形式DDR內(nèi)存主講：XX老師10第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.4內(nèi)存組成形式SPD是一個8引腳、TSOP封裝、容量為256字節(jié)的EEPRO
5、M芯片，工作頻率多為100kHz。SPD芯片記錄了內(nèi)存的類型、工作頻率、芯片容量、工作電壓、各種主要操作時序、版本等技術(shù)參數(shù)。主講：XX老師11第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.4內(nèi)存組成形式內(nèi)存時鐘頻率獲取主講：XX老師12第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.4內(nèi)存組成形式內(nèi)存條金手指鍍金厚度為0.4μm～1.3μm，據(jù)測試，0.4μm的鍍金厚度插拔200次，1.3μm的鍍層可以插拔2000次左右。金手指主講：XX老師13第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.1存儲器類型與組成6.1.5內(nèi)存芯片封裝形式封裝形式：DIP、TSOP、BGADDR3內(nèi)存采用FBGA封
6、裝形式主講：XX老師14第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.2存儲單元工作原理6.2.1DRAM存儲單元工作原理內(nèi)存條基本組成主講：XX老師15第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.2存儲單元工作原理6.2.1DRAM存儲單元工作原理DRAM存儲單元的工作原理類似于一個水桶中的浮動開關(guān)。高位為“1”低位為“0”水桶總是漏水主講：XX老師16第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.2存儲單元工作原理6.2.1DRAM存儲單元工作原理晶體管M控制電容CS的充電和放電，電容CS用于存儲數(shù)據(jù)。電容CS有電荷時，存儲單元為邏輯1；電容CS沒有電荷時，存儲單元為邏輯0。主講：XX老師17第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.2存儲單元工作原理6
7、.2.1DRAM存儲單元工作原理動態(tài)刷新是周期性的對DRAM中的數(shù)據(jù)進行讀出、放大、回寫操作。DDR內(nèi)存刷新周期為64ms左右。主講：XX老師18第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.2存儲單元工作原理6.2.2SRAM存儲單元工作原理SRAM工作原理類似于一個開關(guān)。開=“1”；關(guān)=“0”一個SRAM存儲單元由6個MOS晶體管組成。主講：XX老師19第6章內(nèi)存系統(tǒng)故障維修6.3內(nèi)存芯片工作原理6.3.1內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)DDR內(nèi)存芯片組成：存儲陣列、邏輯控制
