《多晶矽tftlcd應(yīng)》ppt課件

《《多晶矽tftlcd應(yīng)》ppt課件》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。

1、多晶矽TFTLCD應(yīng)用指導(dǎo)老師：許進(jìn)明學(xué)生：曾祥修學(xué)號(hào)：96L0231大綱多晶矽TFTLCD元件結(jié)構(gòu)TFTLCD目前技術(shù)分為低溫多晶矽多晶矽TFT薄膜製作方法多晶矽TFT薄膜在元件之功能多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽TFT薄膜的優(yōu)點(diǎn)參考文獻(xiàn)多晶矽TFTLCD元件結(jié)構(gòu)TFT-LCD即是thin-filmtransistorliquid-crystaldisplay(薄膜電晶體液晶顯示器)的縮寫TFT-LCD。TFTLCD目前技術(shù)分為TFTLCD目前技術(shù)分為非晶矽(a-SiTFT)多晶矽(Poly-SiTFT)高溫多晶矽必須以攝氏1000度以上製程。低溫

2、多晶矽600度上下製程。準(zhǔn)分子雷射退火法(ELA)固相結(jié)晶法(SPC)金屬又發(fā)結(jié)晶（MIC/MICL）低溫多晶矽（準(zhǔn)分子雷射）準(zhǔn)分子雷射的工作物質(zhì)是準(zhǔn)分子氣體。準(zhǔn)分子就是一種處?kù)都ぐl(fā)態(tài)的複合粒子，在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，即在基態(tài)時(shí)，它處?kù)斗蛛x狀態(tài)，而在激發(fā)態(tài)處?kù)斗肿訝顟B(tài)。低溫多晶矽（固相結(jié)晶）固相結(jié)晶技術(shù)成本最低，也是最容易使用的方式。一般的作法是將非結(jié)晶矽薄膜放在爐管中進(jìn)行退火。為了得到較大的晶粒，可以改變非晶矽的沈積參數(shù)幾退火條件。低溫多晶矽（金屬誘發(fā)結(jié)晶）利用金屬語(yǔ)系反應(yīng)成介穩(wěn)定的矽化合物，在矽化物移動(dòng)的過(guò)程中，金屬原子的自由電子Si-Si共價(jià)鍵發(fā)生反應(yīng)，

3、降低a-Si結(jié)晶所需的能障降低，使得結(jié)晶問(wèn)度降低。退火前退火後多晶矽TFT薄膜製作方法在玻璃基板上形成非晶矽薄膜(LP-CVD)/雷射退火形成LTPS(ELA)/圖形定義(第1道光罩)沉積二氧化矽作為閘極絕緣層(CVD)/濺鍍閘極金屬層/圖形定義閘極(第2道光罩)遮蔽N-LDD(第3道光罩)/N+S/D離子佈植N-LDD(輕摻雜汲極）離子佈植二氧化矽沉積/圖形定義接觸孔(第4道光罩)濺鍍S/D金屬層/形成S/D電極(第5道光罩)多晶矽TFT薄膜在元件之功能TFT（薄膜電晶體）靠電極間電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，引起液晶分子扭轉(zhuǎn)向列的電場(chǎng)效應(yīng)，以控制光源的透射或遮斷功能

4、。多晶矽TFT薄膜在元件之功能AA’為TFTBB’為液晶電容多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽晶膜結(jié)晶晶粒尺大小要均勻與晶粒邊界數(shù)量要一致，避免電晶體元件在電特性上成生不穩(wěn)。I.500nmS.300nm多晶矽TFT薄膜的優(yōu)點(diǎn)低溫多晶矽與a-SiTFT最大的差異在於p-SiTFT的電晶體需進(jìn)一步接受雷射回火的製程步驟，將非晶矽的薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑∧?，使得p-SiTFT在矽晶結(jié)構(gòu)上較a-SiTFT來(lái)的排列有序。多晶矽(PolySi)TFT–LCD與非晶矽(a-Si)TFT–LCD特性差異大，多晶矽提升電子遷移率達(dá)200(cm2/V-sec)，反應(yīng)時(shí)間快10

5、倍以上、多晶矽電子移動(dòng)速度較快使得面板厚度可縮小、多晶矽開口率高出70%以上、多晶矽可採(cǎi)更低功耗背光源…差異。多晶矽TFT薄膜的優(yōu)點(diǎn)1.反映速度加快2.輕薄化3.降低材料成本4.省電特性5.高解析度6.降低不良率。參考文獻(xiàn)http://ind.ntou.edu.tw/~oesemi/new_page_24.htm國(guó)立成功大學(xué)工程科學(xué)研究所低溫多晶矽薄膜製成研究陳毓儒國(guó)立雲(yún)科光電工程研究所金屬誘發(fā)結(jié)晶法研製太陽(yáng)電池之低溫多晶矽薄膜劉育誠(chéng)東華大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系平面顯示器技術(shù)張文固博士