三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺積電 臺積電5nm工廠已經(jīng)啟動.doc

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1、三星聯(lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺積電臺積電5nm工廠已經(jīng)啟動　　晶圓代工龍頭臺積電昨（19）日發(fā)出邀請函，5納米新廠將在下周五（26日）動土，董事長張忠謀親自主持動土典禮，未來將有三期廠房生產(chǎn)5納米制程產(chǎn)品，顯示看好產(chǎn)業(yè)需求。臺積電在日前法說會中，不但第1季淡季效應(yīng)不顯著，還提前預(yù)告「第2季更好」，昨日股價應(yīng)聲大漲，市值沖破新臺幣6.6兆元，再寫新高?！　∨_積電日前舉行法說會，公布去年第4季和全年財報，雖然匯率波動，但包括全年營收、稅后純益和每股純益等三項財務(wù)指標(biāo)都寫下歷史新高紀(jì)錄，成為張忠謀今年6月最好的退休禮物。　　臺積電第1季營收季減幅度在一成以內(nèi)，張忠謀親自預(yù)告，第2季

2、將會強勁成長。若以美元計價，2018年在高效能運算、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等三大領(lǐng)域驅(qū)動下，全年業(yè)績至少成長10%?！　堉抑\對前景看法樂觀，外資紛紛喊買，昨日收盤價大漲7元、收255.5元，刷新歷史新高價位，市值突破6.6兆元，同樣創(chuàng)新高?！　〕藸I運趨勢和股價表現(xiàn)亮眼，臺積電昨日發(fā)出邀請函，預(yù)定26日舉行晶圓18廠動土典禮，當(dāng)天活動將由張忠謀主持?！　∨_積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音于去年供應(yīng)鏈管理論壇就曾透露，5納米制程發(fā)展符合進(jìn)度，位于臺南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠將于今年動土，將有三期廠房生產(chǎn)5納米，預(yù)計2019年上半年風(fēng)險性試產(chǎn)?！　?nm工廠是南科12寸超大型晶圓廠Fab14的延

3、伸，預(yù)計將興建第8期至第10期等共3個廠區(qū)，5nm合計月產(chǎn)能可望上看9～10萬片?！　∨_積電5nm新廠今年9月動土，占地超過40公頃，由于建廠及設(shè)備成本愈來愈高，5nm3個廠區(qū)的總投資金額將創(chuàng)下新高紀(jì)錄，設(shè)備業(yè)者推估應(yīng)達(dá)新臺幣2,000億元?！　〕?納米外，臺積電去年9月也宣布3納米相關(guān)計劃，3納米新廠同樣座落于南科，投資金額將超過200億美元。　　臺積電出貨與產(chǎn)能目前都保持積極狀態(tài)，中國大陸南京廠提前于5月開始出貨，位于臺灣的5納米廠將動土，3納米新廠建廠計劃也加速進(jìn)行中，持續(xù)挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體業(yè)兩大霸主英特爾和三星?！　堉抑\也表示，5nm規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，以降

4、低制程復(fù)雜度。但根據(jù)IBS的估算,在5nm節(jié)點,設(shè)計一款主流芯片的成本將高達(dá)4.76億美元水平,而7nm節(jié)點的成本僅3.492億,28nm則是0.629億?！　∪锹?lián)手IBM搞5nm新工藝叫板臺積電　　作為臺積電最有競爭力的競爭對手，三星聯(lián)手IBM打造5nm新工藝叫板臺積電?！　榱藢崿F(xiàn)這個壯舉，就必須在現(xiàn)有的芯片內(nèi)部構(gòu)架上進(jìn)行改變。研究團(tuán)隊將硅納米層進(jìn)行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5nm晶體管的工藝有了實現(xiàn)可能，而這一工藝將有可能引爆未來芯片性能的進(jìn)一步高速發(fā)展。　　實際上，從工藝架構(gòu)本身來說，這種從垂直架構(gòu)到水平層疊的轉(zhuǎn)換相當(dāng)于在硅晶體管上打開了第四

5、扇“門”，使得電信號能夠在芯片中通過不同的晶體管。而從尺寸上來說，這些晶體管的寬度不大于兩三根并排在一起的DNA分子鏈?！　∧堑降啄転槲覀兊纳顜碓鯓拥母淖?？根據(jù)IBM官方的說法，比較直觀的描述是，當(dāng)我們在閱讀這篇文章時，假設(shè)正在使用的移動設(shè)備只剩下10％的電量，但基于5納米制程技術(shù)的芯片將使得移動設(shè)備在需要充電之前仍然可以使用數(shù)小時，而不是幾分鐘。未來配備此類新型芯片的移動設(shè)備續(xù)航時間將比現(xiàn)在要延長數(shù)天?！　?shù)十年來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對縮小電子元件的狂熱追求是有原因的。芯片上集成的電路越多，電子產(chǎn)品的速度越快、效率越高、成本越低。而著名的摩爾定律在1965年首次提出之時則認(rèn)為，芯片

6、上的晶體管數(shù)量每年翻一番，該預(yù)測在1975年被更改為每兩年?！　”M管半導(dǎo)體行業(yè)集成技術(shù)的發(fā)展速度越來越達(dá)不到摩爾定理的預(yù)期，但不管怎么說，晶體管的尺寸還是在變得越來越小?！　　　D丨摩爾定律　　其實，半導(dǎo)體的縮小并不是什么高技術(shù)活兒。上一個主要突破就發(fā)生在2009年，研究者們發(fā)明了一種叫做FinFET的晶體管設(shè)計方式，而其第一次大規(guī)模制造則開始于2012年——這給整個行業(yè)打了一劑強心針，為22納米這一尺寸上的處理器創(chuàng)造了可能。FinFET是晶體管行業(yè)的革命性突破——其關(guān)鍵在于，在三維結(jié)構(gòu)而非二維平面上控制電流的傳遞。　　IBM半導(dǎo)體研究小組副組長MukeshKhare表示，“原則

7、上說，F(xiàn)inFET的結(jié)構(gòu)就是一個簡單的長方形，其中的三條邊上各有一個小門”。如果把晶體管想象成一個開關(guān)，不同的電壓就會控制這道門“開啟”或“關(guān)閉”。在三個不同方向上加上門能夠最大化這個開關(guān)的電流量，并最小化電流的漏出，所以增加了整體的效率。　　但在五年后，這一技術(shù)也幾乎發(fā)展到了盡頭。對此，半導(dǎo)體制造公司VLSLResearch首席執(zhí)行官DanHutcheson表示，問題在于FinFET就像一條流淌的小溪。FinFET在目前常見的10納米處理器上正常工作，在7納米上應(yīng)該也沒有問題。