華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc

華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc

ID:27858854

大?。?9.00 KB

頁數(shù):5頁

時間:2018-12-06

華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc_第1頁
華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc_第2頁
華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc_第3頁
華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc_第4頁
華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc_第5頁
資源描述:

《華為“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光.doc》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。

1、華為“麒麟980”制造工藝與規(guī)格曝光  國內(nèi)首款7納米通信芯片“麒麟980”可望下周面市,這款華為海思基于臺積電7nmFinFET制造工藝,八核CPU核心數(shù)量比上一代翻倍,肩負(fù)起華為旗艦級手機Mate20Pro上市奏捷的核心任務(wù)?!   IGITIMESResearch分析認(rèn)為,由于麒麟980芯片到第四季出貨放量增長,加上競爭對手也相繼推出,行業(yè)內(nèi)第四季7納米手機AP出貨比重超過18%,并一舉超過10納米級芯片?!  镑梓?80”制造工藝與規(guī)格曝光  “麒麟980”預(yù)計31日在華為旗艦機Mate20Pro手機IFA

2、發(fā)布會上亮相,由華為消費事業(yè)部CEO余承東親自對外發(fā)布,不過外界幾乎已將這款“千呼萬喚”芯片先行劇透的差不多。  根據(jù)華為規(guī)劃,新一代旗艦機Mate20Pro搭載“麒麟980”基于臺積電7nmFinFET制造工藝,4xCortex-A77+4xCortex-A55的4+4八核CPU,搭載Mali-G7224核心GPU,GPU核心數(shù)量較前代翻了一倍。主頻高達2.8GHz。而內(nèi)存方面則使用LPDDR4X?! ×硗猓摈梓?80”使用“寒武紀(jì)”第二代神經(jīng)處理單元(NPU),提升芯片人工智能和機器學(xué)習(xí)的能力。其他方面,麒麟9

3、80支持雙卡4G同時在線,網(wǎng)絡(luò)制式最高支持LTECat.19。Wifi支持2.4G/5G雙頻率,以及藍牙5.0?! IGITIMESResearch分析師胡明杰指出,目前執(zhí)行AI加速的解決方案主要分為硬件加速與軟件加速兩大陣營。硬件加速即以蘋果、海思為代表,在AP中針對類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)演算法進行硬件定制,及增添硬件NPU(NeuralProcessingUnit)單元?! 『鹘苷J(rèn)為,雖然搭載AI加速器的AP成功帶動市場話題,但目前智能手機AI使用場景大多在照相優(yōu)化處理,仍未有殺手級應(yīng)用,因而AI加速器AP出貨比重能否持

4、續(xù)攀升,要看品牌能否推出更具吸引力的AI應(yīng)用?!   ∪A為藍圖跟臺積電走下一階段5納米+5G  不過外界也好奇,華為7納米之后,如何規(guī)劃其下一步芯片藍圖路線?日前華為海思平臺與關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)部部長夏禹在公開演講時提到,因應(yīng)對大帶寬與大算力的要求節(jié)節(jié)攀升,對信息系統(tǒng)中的硬件平臺而言,只有延續(xù)摩爾定律,不斷提高集成度、增加功能、提升性能,才能滿足市場發(fā)展提出的新需求。以智能手機來說,高性能移動設(shè)備用芯片仍然緊跟摩爾定律腳步?! ?jù)悉,華為的規(guī)劃,7納米芯片之后將往下一代推進5納米,若對照晶圓代工廠臺積電的技術(shù)規(guī)格設(shè)計,也不

5、謀而合,臺積電未來工藝技術(shù)升級到5nm之后,芯片性能可望較7納米再提升15%,功耗約可降低20%。  夏禹表示,海思在網(wǎng)絡(luò)側(cè)單顆芯片集成度已經(jīng)達到單芯片500億顆晶體管,這是為了因應(yīng)在數(shù)據(jù)流量與帶寬方面的高性能要求,在固定網(wǎng)端,數(shù)據(jù)流量每年將保持23%的增長,5年后數(shù)據(jù)流量需求將達到現(xiàn)在3倍左右;在移動網(wǎng)端,將保持46%的增長率,5年后數(shù)據(jù)流量將是現(xiàn)在的7倍;而在數(shù)據(jù)中心側(cè),增長速度更是驚人,每年翻倍,5年后數(shù)據(jù)流量將是現(xiàn)在的16倍。需要實現(xiàn)如此大的數(shù)據(jù)吞吐量,必須有高性能芯片?! ≡绞潜平锢順O限,每一代工藝節(jié)點演

6、進都要付出極大的代價,當(dāng)前,工藝演進最大的障礙在于功耗密度,夏禹指出,芯片設(shè)計“如果16納米芯片功耗密度為1,那么到5納米功耗密度就可能是10,芯片如何散熱,整個系統(tǒng)如何散熱,都將是半導(dǎo)體行業(yè)未來面臨的巨大挑戰(zhàn)?!薄 ⊥瑫r,工業(yè)界也一直尋找引進新材料與新結(jié)構(gòu)來突破傳統(tǒng)工藝限制;比如在互連上,傳統(tǒng)一直用銅線,但到5納米工藝后也將引入新材料,夏禹認(rèn)為,碳納米管和石墨烯機會很大。  她認(rèn)為,自從FinFET工藝出現(xiàn)以來,芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計得以讓摩爾定律延續(xù),芯片仍有長遠的發(fā)展空間,“技術(shù)發(fā)展還沒有到達極限?!薄 ∪羰侨A為下一階段

7、推進5納米通訊芯片,預(yù)計問世的時間點落在2019年,這也與華為其5G手機在2019年商用的規(guī)劃時間相契合。也就是說,對于手機廠家來說,7納米制程技術(shù)很可能是4G-5G之間的過渡,而下一世代的5G芯片真正會采用的很可能落在5納米節(jié)點。  日前,高通已正式宣布已經(jīng)開始出樣新一代驍龍SoC芯片,確認(rèn)則基于7納米工藝,并集成驍龍X505G基帶,成為其首批5G旗艦手機采用的平臺。

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動畫的文件,查看預(yù)覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。