如何選擇滿足FPGA設計需求的工藝？.doc

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1、如何選擇滿足FPGA設計需求的工藝？　　FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導體工藝決定的，當然它們之間的關系比較復雜。過去，在每一節(jié)點會改進工藝的各個方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此?！　∪《氖牵斀竦目删幊踢壿嫻瘫仨氀芯扛鞣N工藝選擇，才能滿足采用FPGA的設計的各類需求。本文將介紹三類工藝特性，它們與現(xiàn)代FPGA內部結構的聯(lián)系，以及FPGA對采用了這些工藝的系統(tǒng)的影響。其中將特別介紹圍繞名為FinFET的晶體管加速應用的革命性變革，Altera怎樣采用獨特的FinFET工藝，特別是Intel的

2、14nm三柵極工藝進一步提高FPGA密度、性能和功效，而這是平面FET技術發(fā)展根本無法實現(xiàn)的?！　」に囂匦浴　τ贗C設計人員，有三類由工藝決定的特性，這些特性一起體現(xiàn)了工藝。它們是特征層距、晶體管行為和可用性?！　泳嗍侵赋善稩C類似特性之間的最小間隔，有助于確定管芯尺寸和容量，還能夠間接地決定電路速率和功耗。管芯的每一特征層——晶體管、本地互聯(lián)、接觸，以及連續(xù)的上面金屬層，都有自己的層距。由工藝工程師根據(jù)光刻極限和其他工藝約束、成本以及工藝設計人員認為客戶會怎樣使用工藝來選擇這些不同層的間距。這些層距相互作用，決定了某一類電路中晶體管的實際密度?！　?/p>

3、讓我們從底層開始。在某一電路中封裝多少晶體管大致取決于兩個問題：晶體管能夠靠得多近，互聯(lián)之間有多大的間距才能滿足它們的連接要求。兩者都會帶來限制，這取決于電路設計和布局。當然，晶體管能夠封裝的距離有多近取決于其大小和形狀?！　谋镜鼗ヂ?lián)、接觸層往上，越到上面的金屬層堆疊（圖1），層距就越會急劇增大。一般而言，本地互聯(lián)和下面金屬層連接附近的晶體管，決定了標準單元或者SRAM等仔細封裝的結構的密度。上面的金屬層連接電路，最終將功能模塊連接起來，實現(xiàn)總線連線，分配電源和時鐘連接。上層的數(shù)量和層距對于芯片設計人員而言也非常重要，這是因為它們決定了芯片不同部分之間

4、連接的帶寬和功耗?！　　　D1.堆疊越高，金屬層距越大，如這一傳統(tǒng)的AlteraCPLD所示?！　【w管特性　　最簡單的情況是，數(shù)字設計人員對于其晶體管只關心三方面：它們有多大、晶體管開關能有多快、它們的功耗有多大。多年來，這三方面互相協(xié)調發(fā)展的非常好：每一新工藝節(jié)點的晶體管尺寸都在減小，開關更快，功耗更低?！　〉谧罱墓に嚧?，隨著晶體管尺寸的減小，功耗分成了兩個不同的部分：由開關活動造成的動態(tài)功耗，以及晶體管無法關斷的電流所消耗的泄漏功耗。速度和動態(tài)功耗一直是相關的，在每一新工藝節(jié)點，速度逐漸提高，開關功耗慢慢下降，而靜態(tài)功耗在每一新節(jié)點都在增大?，F(xiàn)

5、在，如果希望晶體管非?？斓剡M行開關，那么，它會泄漏。如果希望降低泄漏電流，晶體管的速度就會變慢。相應地在芯片級，某些28nmSoC，一半的功耗都是靜態(tài)泄漏功耗。　　工藝和電路設計人員對此進行了反擊。工藝工程師為芯片設計人員提供了具有不同速度和泄漏電流的各類晶體管。電路設計人員仔細地選擇了晶體管，考慮了它們的關斷時鐘能力和供電電壓，以便有效的管理功耗。這些創(chuàng)新使得設計人員能夠開發(fā)基于單元的數(shù)字模塊，同時具有較好的峰值性能和較低的泄漏?！　〉牵矫鍲ET的問題卻越來越嚴重。在以后的工藝代中，越來越難以進一步降低平面FET的工作電壓。今天，很多工藝工程師同意

6、，在20nm節(jié)點以后，再也不可能降低平面FET的延時功耗：電路設計人員圍繞這一指標來綜合考慮速度和功耗。雖然已經(jīng)盡最大努力來延長傳統(tǒng)平面FET的生命周期，但是，它還是在逐漸淡出?！　〗裉欤芏喙に囋O計人員相信，未來屬于一類新晶體管：FinFET，即Intel把他們的這類器件稱之為三柵極晶體管。實際上，晶體管是豎立在其側面的，在其他三個裸露側封裝柵極，F(xiàn)inFET的柵極能夠更好地控制通過溝道的電流，與同樣大小的平面FET相比，在速度一定時，顯著降低了泄漏（技術上，更低的閾值電壓）。更低的泄漏使得設計人員能夠以較低的電壓實現(xiàn)要求的工作頻率，同時降低了動態(tài)和泄

7、漏功耗，或者在一定的總功耗水平上，以更高的速度工作。　　而且，由于晶體管是豎立在其側面上，影響驅動電流的溝道寬度不會直接限制晶體管彼此之間封裝的距離。因此，F(xiàn)inFET陣列要比使用相同溝道寬度的平面FET陣列的密度高得多。而且，由于器件的尺寸，F(xiàn)inFET原理上要比最小尺寸的平面FET的一致性更好。工藝工程師解釋說，平面器件在理論上已經(jīng)變得非常小，以至于可以數(shù)出溝道中摻雜原子的數(shù)量。不管出于什么原因，在生產(chǎn)過程中一些原子出錯是難以控制的，這會導致晶體管閾值電壓有很大的不同，因此，其電氣性能也會不同。FinFET對這類變化的敏感度要低得多?！　inFET

8、在幾方面顯示出完全不會有平面FET那樣越來越多的問題。FinFET可以封裝得更靠