聯(lián)發(fā)科直攻10納米超車高通.doc

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1、聯(lián)發(fā)科直攻10納米超車高通　　聯(lián)發(fā)科高階制程智慧手機芯片技術(shù)藍圖大躍進，傳高階晶片將跳過16奈米，直攻10奈米新技術(shù)，最快今年底送樣客戶，企圖在景氣相對低迷的當(dāng)下，透過強化研發(fā)“練功”，在10奈米晶片腳步超車高通?！　I(yè)界人士認為，現(xiàn)階段高階智慧機需求相對弱，聯(lián)發(fā)科在景氣較差時提升技術(shù)層次，藉由更先進的10奈米制程，讓高階晶片更輕薄、省電，有助提升產(chǎn)品均價與競爭力，挹注后續(xù)業(yè)績動能?！　∠⑷耸客嘎叮?lián)發(fā)科近日重調(diào)產(chǎn)品藍圖規(guī)畫，原本今年將采用臺積電16奈米FinFET制程生產(chǎn)的高階晶片“曦力（Helio）X30”臨時喊卡，旗下最

2、高階晶片將改為全力沖刺10奈米產(chǎn)品，與高通比快?！　÷?lián)發(fā)科昨（21）日強調(diào)，公司內(nèi)部產(chǎn)品專案代號本來就會調(diào)整，今年一定會有一到兩顆16奈米和一顆10奈米制程的產(chǎn)品；至于要接續(xù)“X20”最高階晶片位置的“X30”，是采用16或10奈米，現(xiàn)在不便說明。　　供應(yīng)鏈認為，聯(lián)發(fā)科當(dāng)初決定先做20奈米產(chǎn)品，但大陸競爭對手展訊由28奈米直攻16奈米，造成聯(lián)發(fā)科進度約落后一季，在落后的情況下，聯(lián)發(fā)科直接全速沖10奈米，臨陣喊卡不算壞事?！　【腿蛉笫謾C晶片廠進度來看，高通首款10奈米晶片傳出采用三星制程，明年初生產(chǎn)，聯(lián)發(fā)科直攻10奈米后，預(yù)計

3、最快今年底送樣，企圖超車高通；展訊目前則較不明朗?！　÷?lián)發(fā)科這兩年努力將產(chǎn)品高階化，去年推出名為曦力的“Helio”系列產(chǎn)品，希望能打進一線手機品牌廠的旗艦機種和拉高產(chǎn)品均價（ASP），去年起陸續(xù)推出“X10”、“P10”和今年第1季量產(chǎn)的“X20”晶片。　　其中，內(nèi)部專案代號為“Everest”的“X20”，采用臺積電20奈米制程生產(chǎn)，被聯(lián)發(fā)科視為推出智慧手機晶片以來最高階的產(chǎn)品，晶片訂價可望在25美元以上。據(jù)該公司去年底對外釋出的資訊，“X20”開案客戶超過十家。　　據(jù)聯(lián)發(fā)科原產(chǎn)品藍圖，在“X20”之后，今年將再推出內(nèi)部代號

4、為“Elbrus”的“X30”，制程升級至臺積電的16奈米FinFET，后年再由下一代10奈米的“Whitney”接手?！　∈袌鰝鞒?，聯(lián)發(fā)科近日重調(diào)產(chǎn)品藍圖，決定將正進入tapeout（設(shè)計定案）階段的“X30”喊停，改為全力沖刺10奈米的“Whitney”晶片，代表旗下最高階晶片要直攻最高階的10奈米。　　　　三大手機晶片廠10奈米產(chǎn)品進度圖