哈工大材料物理專業(yè)

哈工大材料物理專業(yè)

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃哈工大材料物理專業(yè)  哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料物理與化學(xué)專業(yè)考  研  材料物理學(xué)科于1986年被批準(zhǔn)為碩士學(xué)位授權(quán)點(diǎn),1998年材料物理與化學(xué)被批準(zhǔn)為博士學(xué)位授權(quán)點(diǎn),并可接受博士后。在哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院設(shè)有信息功能材料與器件研究所,  主要研究方向?yàn)椋汗怆姳∧げ牧吓c器件,全息存儲(chǔ)材料與器件,特種光纖與器件,納米電子材料與器件,信息陶瓷與敏感器件,形狀記憶與超導(dǎo)性材料及其應(yīng)用,功能復(fù)合材料與智能結(jié)構(gòu),生物醫(yī)學(xué)材料及應(yīng)用等?! ∧壳俺袚?dān)國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)

2、項(xiàng)目、面上項(xiàng)目,國(guó)家安全重大基礎(chǔ)科研項(xiàng)目,總裝備部預(yù)研項(xiàng)目,國(guó)防科工委基礎(chǔ)科研等科研項(xiàng)目10余項(xiàng)。1992年以來(lái),獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)四等獎(jiǎng)、以及省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)等獎(jiǎng)勵(lì)9項(xiàng),發(fā)表學(xué)術(shù)論文400余篇,出版專著2部。  本學(xué)科現(xiàn)有教授5人,副教授2人,碩士指導(dǎo)教師7人。另有兼職教授兩人?! ppliedEPIGenII分子束外延系統(tǒng)TDLJ50A單晶爐  博士生導(dǎo)師名單  趙連城:光電薄膜功能材料與器件目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保

3、障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃  非線性光學(xué)晶體材料與器件  特種光纖和光纖器件  形狀記憶與超彈性材料及其工程和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用lczhao@  蔡偉:形狀記憶材料  生物醫(yī)學(xué)材料  納米信息功能材料  特殊涂層光纖weicai@  費(fèi)維棟:納米信息功能薄膜材料的微結(jié)構(gòu)表征與性能研究  功能金屬基復(fù)合材料及其應(yīng)用研(轉(zhuǎn)載于:寫論文網(wǎng):哈工大材料物理專業(yè))究wdfei@  王福平:鋇鈦系復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷的制備及電性能研究  纖維TiO2陶瓷粉催化劑光催化氧化處理水中含氯有機(jī)物研究  溶膠凝膠法制備摻稀土PZT鐵電膜的

4、結(jié)構(gòu)與性能研究  均相摻釔ZrO2納米粉燒成齒用陶瓷材料研究。cchem@  碩士生導(dǎo)師名單  李洪濤:鈮酸鋰晶體結(jié)構(gòu)與性能  功能薄膜與器件,llhhtt@  鄭玉峰:形狀記憶合金  生物醫(yī)用金屬材料目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃  高分辨電子顯微術(shù)在材料科學(xué)中的應(yīng)用,yfzheng@  國(guó)鳳云:特種光纖及器件研究,guowen@  孫明仁:材料等離子基離子注

5、入表面改性  第三代硬質(zhì)涂層材料smrzr1962@  導(dǎo)師名單:費(fèi)維棟*、蔡偉*、趙連城*、國(guó)鳳云、孫明仁、李洪濤、王占國(guó)*、王中林*、鄭玉峰、葉水馳、鄭玉峰*、王鈾  金屬導(dǎo)電  阻礙晶體中電子運(yùn)動(dòng)的原因:電子與點(diǎn)陣的非彈性碰撞?! C(jī)理:1晶格熱振動(dòng)  2雜質(zhì)的引入  雜質(zhì)存在,使金屬正常結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,引起額外的散射。3位錯(cuò)及點(diǎn)缺陷  影響因素:  1.溫度  溫度升高,離子振幅越大,電子越易受到散射,電阻率增大。在不同溫度范圍內(nèi)電阻率與溫度變化的關(guān)系不同。金屬熔化時(shí),電阻率突然增大。鐵磁體在居里溫度處變化反常?! ?.壓力目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初

6、步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃  在流體靜壓下,大多數(shù)金屬的電阻率下降,有時(shí)大的壓力使材料由半導(dǎo)體和絕緣體變?yōu)閷?dǎo)體。原因:金屬原子間距變小,內(nèi)部缺陷形態(tài)、電子結(jié)構(gòu)、費(fèi)米能和能帶結(jié)構(gòu)都將發(fā)生變化,因而電阻率下降?! ?.冷加工和缺陷  除了K狀態(tài),大部分金屬冷加工和電阻率增大。機(jī)理:晶格畸變?! ±浼庸ず笸嘶穑娮杪蕼p小,可以回復(fù)到加工前電阻值?! ?.固溶體  形成固溶體時(shí),合金導(dǎo)電性能降低?! ?/p>

7、機(jī)理:1.加入溶質(zhì)原子——溶劑的晶格發(fā)生扭曲畸變——破壞了晶格勢(shì)場(chǎng)的周期性——增加了電子散射幾率。  2.固溶體組元的化學(xué)相互作用?! 『辖鹩行蚧箅娮杪氏陆?。  離子導(dǎo)電機(jī)制:  1.本征導(dǎo)電  晶體點(diǎn)陣的基本離子由于熱振動(dòng)離開(kāi)晶格,形成熱缺陷?! ?.雜質(zhì)導(dǎo)電  參加導(dǎo)電的載流子主要是雜質(zhì)?! ”举|(zhì):離子導(dǎo)電是離子在電場(chǎng)作用下的擴(kuò)散現(xiàn)象。影響因素:  1.溫度升高,電導(dǎo)率升高。  2.晶體結(jié)構(gòu)  熔點(diǎn)高,電導(dǎo)率下降  晶體有較大間隙,電導(dǎo)率上升目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)

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