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《ldo低壓差線性穩(wěn)壓器的知識的總結(jié)》由會員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案LDO一.LDO的基本介紹LDO是lowdropoutregulator,意為低壓差線性穩(wěn)壓器,是相對于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,如78xx系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上,否則就不能正常工作。但是在一些情況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5v轉(zhuǎn)3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v,顯然是不滿足條件的。針對這種情況,才有了LDO類的電源轉(zhuǎn)換芯片。LDO是一種線性穩(wěn)壓器。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在
2、其額定值上下100mV之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以有一個非常低的壓降電壓,通常為200mV左右;與之相比,使用NPN復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為2V左右。負(fù)輸出LDO使用NPN作為它的傳遞設(shè)備,其運(yùn)行模式與正輸出LDO的PNP設(shè)備類似。更新的發(fā)展使用MOS功率晶體管,它能夠提供最低的壓降電壓。使用功率MOS,通過穩(wěn)壓器的唯一電壓壓降是電源設(shè)備負(fù)載電流的ON電阻造成的。如果負(fù)載較小,這種方式產(chǎn)生的壓降只有幾十毫伏。DC-DC的意思
3、是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉(zhuǎn)換),只要符合這個定義都可以叫DCDC轉(zhuǎn)換器,包括LDO。但是一般的說法是把直流變(到)直流由開關(guān)方式實(shí)現(xiàn)的器件叫DCDC。LDO是低壓降的意思,這有一段說明:低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器的成本低,噪音低,靜態(tài)電流小,這些是它的突出優(yōu)點(diǎn)。它需要的外接元件也很少,通常只需要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩(wěn)壓器可達(dá)到以下指標(biāo):輸出噪聲30μV,PSRR為60dB,靜態(tài)電流6μA(TI的TPS78001達(dá)到Iq=0.5uA),電壓降只有100mV(TI量產(chǎn)了號稱0.1mV的LDO)。LDO線性穩(wěn)壓器的性能之所以能夠達(dá)到這個水平,主要原因
4、在于其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET,而普通的線性穩(wěn)壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動的,不需要電流,所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方面,采用PNP晶體管的電路中,為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力,輸入和輸出之間的電壓降不可以太低;而P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小,因而它上面的電壓降非常低。如果輸入電壓和輸出電壓很接近,最好是選用LDO穩(wěn)壓器,可達(dá)到很高的效率。所以,在把鋰離子電池電壓轉(zhuǎn)換為3V輸出電壓的應(yīng)用中大多選用LDO穩(wěn)壓器。雖說電池的能量最後有百分之十是沒
5、有使用,LDO穩(wěn)壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長,同時噪音較低。如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近,就要考慮用開關(guān)型的DCDC了,因?yàn)閺纳厦娴脑砜梢灾?,LDO的輸入電流基本上是等于輸出電流的,如果壓降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高。精彩文檔實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案DC-DC轉(zhuǎn)換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是效率高、可以輸出大.電流、靜態(tài)電流小。隨著集成度的提高,許多新型DC-DC轉(zhuǎn)換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是,這類電源控制器的輸出脈動和開關(guān)噪音較大、成本相對較高。近幾年來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,表面貼裝的電感器、電容器、
6、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低,體積越來越小。由于出現(xiàn)了導(dǎo)通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率,因而不需要外部的大功率FET。例如對于3V的輸入電壓,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次,對于中小功率的應(yīng)用,可以使用成本低小型封裝。另外,如果開關(guān)頻率提高到1MHz,還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能,如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。總的來說,升壓是一定要選DCDC的,降壓,是選擇DCDC還是LDO,要在成本,效率,噪聲和性能上比較。二.LDO原理分析根據(jù)調(diào)整管的工作狀態(tài),我們常把穩(wěn)壓電
7、源分成兩類:線性穩(wěn)壓電源和開關(guān)穩(wěn)壓電源。此外,還有一種使用穩(wěn)壓管的小電源。這里說的線性穩(wěn)壓電源,是指調(diào)整管工作在線性狀態(tài)下的直流穩(wěn)壓電源。而在開關(guān)電源中則不一樣,開關(guān)管是工作在開、關(guān)兩種狀態(tài)下的。簡單介紹下分類:NPN穩(wěn)壓管:內(nèi)部用一個PNP管控制達(dá)林頓調(diào)整管。LDO穩(wěn)壓管:調(diào)整管是一個PNP管。Squasi-LDO:調(diào)整管是由一個PNP管控制一個NPN管LDO(lowdropoutput)低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的工作原理是通過反饋調(diào)整MOSFET的Vsd壓降以使輸出電壓不變。輸出電壓紋波小,電流也較小,用于RF模塊或音頻模塊等對電壓要求高的電路。特點(diǎn)是成本低噪