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《恒電流法制備zno薄膜及其光學(xué)性能研究》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、恒電流法制備ZnO薄膜及其光學(xué)性能研究 摘要:本文開發(fā)了一個新的綜合實驗,采用恒電流法制備了ZnO薄膜,利用X射線衍射分析了ZnO薄膜的晶粒尺寸等結(jié)構(gòu)特征,紫外―可見光區(qū)的透過率分析ZnO薄膜的光學(xué)帶隙,研究了Zn(NO3)2反應(yīng)物濃度對ZnO薄膜的影響,探討了將其用于學(xué)生實驗的可行性?! £P(guān)鍵詞:ZnO薄膜;恒電流法;X射線衍射;光學(xué)帶隙 中圖分類號:G642.0文獻標志碼:A文章編號:1674-9324(2015)43-0250-02 一、引言 ZnO薄膜的制備方法較多,有濺射法、電化學(xué)沉
2、積法、化學(xué)氣相沉積法、噴霧熱分解法和溶膠-凝膠法等。其中電化學(xué)沉積技術(shù)具有反應(yīng)溫度低、薄膜厚度和形貌可控、沉積速率高、設(shè)備廉價、環(huán)境友好等優(yōu)點,因此本文采取恒電流法制備ZnO薄膜?! 《嶒灐 嶒灢捎萌姌O恒電流方式,ITO為工作電極,Pt為輔助電極,甘汞電極為參比電極。電解液為去離子水配置的Zn(NO3)2溶液,加入KNO3來調(diào)節(jié)電解液pH調(diào)成5.0±0.1,利用恒溫水浴對電解液加熱至65℃。沉積前ITO襯底先用丙酮超聲兩次,然后再用無水乙醇和去離子水清洗干凈?! 】偟姆磻?yīng)方程式如下: Zn2
3、++NO3-+2e―→ZnO+NO2-(1)4 ZnO薄膜樣品在500℃空氣氣氛的管式石英爐中退火1h。待樣品冷卻后,用去離子水進行清洗之后,對ZnO薄膜樣品進行烘干。采用X-射線衍射儀(D8FOCUS)對所得薄膜進行相分析,采用紫外―可見光分光光度計測量薄膜的透射光譜。 三、結(jié)果與討論 ?。ㄒ唬㈱n2+濃度對薄膜結(jié)構(gòu)的影響 在沉積電流密度為0.7875mA?cm-2,溶液PH值為5,沉積溫度為65℃,沉積時間為15min,Zn(NO3)2濃度分別為0.06mol/L,0.08mol/L和0.1
4、2mol/L時,得到ZnO薄膜的XRD譜。從圖1可以看出通過與PDF卡片79-0208的ZnO的XRD標準譜比較,XRD圖譜分別在31.4、36.1、47.2和56.2處出現(xiàn)明顯的衍射峰,分別對應(yīng)ZnO的(100)、(101)、(102)和(110)晶面,其余衍射峰為襯底ITO玻璃的峰,說明除ZnO外沒有其他物相生成。 薄膜在不同硝酸鋅濃度下呈現(xiàn)不同的結(jié)晶特征。由于Zn2+在不僅僅是反應(yīng)物,還具有自催化作用,所以當Zn2+濃度較小時,陰極反應(yīng)較慢,進而導(dǎo)致ZnO生成速率也較慢,衍射峰強度小。隨著Zn
5、2+濃度的增加,電解液的導(dǎo)電能力提高,結(jié)晶提高,衍射峰強度增加。然而Zn2+濃度過大時,陰極極化作用降低,晶核形成速度降低,衍射峰強度下降?! 。ǘ㈱n2+濃度對薄膜透光性能的影響 圖2為在沉積電流密度為0.7875mA?cm-2,溶液PH值為5,沉積溫度為60℃4,沉積時間為15min,Zn(NO3)2濃度分別為0.06mol/L、0.08mol/L和0.12mol/L時,得到ZnO薄膜的透射譜,可見在本實驗條件下所獲得的ZnO薄膜在可見光區(qū)的光學(xué)透過率高于70%。在Zn(NO3)2濃度為0.0
6、8mol/L條件下沉積出的ZnO薄膜的透光性要高于其他濃度。Yamamoto等人[6]曾指出,ZnO薄膜的透光性與其表面的粗糙度和缺陷等密切相關(guān)。結(jié)合XRD結(jié)果,0.08mol/L條件下沉積出的ZnO薄膜的衍射峰強最高,結(jié)晶質(zhì)量最好,故其透過性最好。 ?。ㄈ㈱nO薄膜的粒徑分析 通過XRD結(jié)果可獲得樣品的晶體結(jié)構(gòu)和晶粒大小等方面的信息,可以由數(shù)據(jù)處理軟件得到衍射峰位置、半高寬等數(shù)據(jù),根據(jù)Scherrer公式可以計算出樣品的晶粒尺寸[7]: D=0.9λ/Bcosθ(2) 其中λ為入射X射線的波
7、長,B為最大衍射峰的半高寬(單位:rad),θ為相應(yīng)的衍射角??梢缘贸鯶n(NO3)2濃度為0.08mol/L條件下沉積出的ZnO薄膜的晶粒尺寸小于其他濃度條件。這與X射線衍射結(jié)果和透光率結(jié)果一致?! 。ㄋ模㈱nO薄膜的禁帶寬度計算 根據(jù)半導(dǎo)體的能帶理論,直接帶隙半導(dǎo)體材料的吸收系數(shù)與光學(xué)帶隙滿足Tauc公式[8]: αhν=A(hν-Eg)1/2(3) 式中:α為吸收系數(shù);hν為光子能量;A為常數(shù);Eg為帶隙寬度。 四、結(jié)論與建議4 本文采用恒電流法沉積ZnO薄膜,XRD與紫外可見分光光度
8、計結(jié)果分析表明所得ZnO薄膜粒徑為20~40nm,光學(xué)帶隙在3.3~3.4ev之間。討論了Zn2+濃度對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)與性能的影響,Zn(NO3)2濃度為0.08mol/L條件下沉積出的ZnO薄膜的結(jié)晶性好,平均透光率最高。 本實驗綜合了電化學(xué)方法合成、XRD分析和性能檢測,簡便可行,實驗可以分組進行,每組3人,每人負責(zé)一個樣品的制備和分析,實驗結(jié)束后每組進行總結(jié)討論,寫出完整的實驗報告。且實驗中電流密度、電極電位、溫度、溶液組成、pH值、反應(yīng)時間等