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《器件應(yīng)力降額總要求規(guī)范艾默生》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、實用標(biāo)準(zhǔn)文案器件應(yīng)力降額總規(guī)范艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司精彩文檔實用標(biāo)準(zhǔn)文案修訂信息表版本修訂人修訂時間修訂內(nèi)容V2.0劉海濤、劉善中、王樹明、姚天寶、凌太華、朱勇、楊愛泉、朱吉新、胡全年、胡楠、黎曉東、艾項德、王文建、陳憲濤、陳亞秋、羅眉、易序馥2002-11-301、產(chǎn)品保修期等級及I、II工作區(qū)定義;2、器件應(yīng)力考核點定義及考核系數(shù)調(diào)整;3、增加“器件考核點的測試或計算”說明;4、器件應(yīng)力降額查檢表修改和調(diào)整;5、增加器件關(guān)鍵用法查檢;6、增加查檢器件種類;V2.1劉海濤、劉善中、王樹明、姚天寶、朱勇、楊愛泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陳憲濤、陳亞秋
2、、羅眉、易序馥2005-10-301、新增“產(chǎn)品額定工作點”定義;2、對7類器件在產(chǎn)品額定工作點下的關(guān)鍵應(yīng)力降額系數(shù)進(jìn)行了規(guī)定,這些器件包括:MOSFET、IGBT、晶閘管、整流橋、功率二極管、三極管、鋁電解電容器;3、除上述器件外,也對部分其它器件,如IC器件、鉭電解、保險管等的I、II區(qū)降額系數(shù)根據(jù)實際使用情況作了適當(dāng)?shù)男抻啠?、在保險管規(guī)范中,新增了“半導(dǎo)體保護用熔斷器”降額規(guī)定;5、對應(yīng)降額規(guī)范的修訂,上述器件的“器件工作應(yīng)力與降額查檢表”作了相應(yīng)的調(diào)整。精彩文檔實用標(biāo)準(zhǔn)文案目錄前言31目的32適用范圍43關(guān)鍵詞44引用/參考標(biāo)準(zhǔn)或資料45規(guī)范內(nèi)容
3、45.0產(chǎn)品保修期等級、產(chǎn)品I、II工作區(qū)、產(chǎn)品額定工作點定義55.1功率MOSFET降額規(guī)范75.2IGBT降額規(guī)范135.3晶閘管降額規(guī)范185.4整流橋降額規(guī)范235.5功率二極管降額規(guī)范275.6信號二極管降額規(guī)范325.7穩(wěn)壓二極管降額規(guī)范355.8TVS器件降額規(guī)范385.9發(fā)光二極管、數(shù)碼管降額規(guī)范435.10三極管降額規(guī)范455.11光耦降額規(guī)范505.12脈寬調(diào)制器降額規(guī)范535.13數(shù)字集成電路降額規(guī)范575.14運放比較器降額規(guī)范595.15電壓調(diào)整器類降額規(guī)范615.16二次電源模塊(BMP)降額規(guī)范645.17液晶顯示模塊降額規(guī)范
4、675.18晶體諧振器降額規(guī)范705.19晶體振蕩器降額規(guī)范735.20非固體鋁電解電容降額規(guī)范765.21固體鉭電解電容器降額規(guī)范875.22薄膜電容器降額規(guī)范915.23陶瓷電容器降額規(guī)范94精彩文檔實用標(biāo)準(zhǔn)文案5.24固定金膜、厚膜、網(wǎng)絡(luò)、線繞電阻器降額規(guī)范965.25電位器降額規(guī)范1005.26陶瓷NTC熱敏電阻器降額規(guī)范1035.27高分子PTC熱敏電阻器降額規(guī)范1065.28電磁元件降額規(guī)范1085.29霍爾傳感器降額規(guī)范1115.30溫度繼電器降額規(guī)范1135.31電磁繼電器降額規(guī)范1155.32接觸器降額規(guī)范1215.33斷路器降額規(guī)范12
5、45.34隔離器、刀開關(guān)和熔斷器組合電器降額規(guī)范1265.35電源小開關(guān)降額規(guī)范1285.36信號小開關(guān)降額規(guī)范1305.37保險管降額規(guī)范1325.38電連接器降額規(guī)范1355.39風(fēng)扇降額規(guī)范1375.40蜂鳴器降額規(guī)范1395.41壓敏電阻降額規(guī)范1416附錄1456.1低壓電器有關(guān)降額要求說明1456.2偏離降額的處理流程1476.3器件工作應(yīng)力與降額查檢表(V2.1)填寫使用說明149精彩文檔實用標(biāo)準(zhǔn)文案前言本規(guī)范由艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司研發(fā)部發(fā)布實施,適用于本公司的產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)及相關(guān)活動。本規(guī)范為《器件應(yīng)力降額總規(guī)范》V2.1版,該版本自發(fā)布之
6、日起,其前一版本(V2.0版)作廢;《器件應(yīng)力降額總規(guī)范》V2.1版主要對V2.0版的以下內(nèi)容進(jìn)行了修改:1、在V2.0版規(guī)范I、II工作區(qū)定義的基礎(chǔ)上,增加了產(chǎn)品“額定工作點”的定義,使規(guī)范更全面地覆蓋產(chǎn)品應(yīng)用實際情況;2、對7類器件在產(chǎn)品額定工作點下的關(guān)鍵應(yīng)力降額系數(shù)進(jìn)行了規(guī)定,這些器件包括:MOSFET、IGBT、晶閘管、整流橋、功率二極管、三極管、鋁電解電容器;3、上述器件和部分其它器件(如鉭電解、保險管等)的I、II區(qū)降額系數(shù)根據(jù)實際使用情況作了適當(dāng)?shù)男抻啠骖櫩煽啃耘c成本,使之更趨合理;4、在保險管規(guī)范中,增加了“半導(dǎo)體保護用熔斷器”降額規(guī)定;
7、5、對應(yīng)降額規(guī)范的修訂,上述器件的“器件工作應(yīng)力與降額查檢表”作了相應(yīng)的調(diào)整。本規(guī)范由本公司各產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)部門遵照執(zhí)行;本規(guī)范擬制部門:中試物料品質(zhì)試驗部;本規(guī)范擬制人:劉海濤、劉善中、王樹明、姚天寶、朱勇、楊愛泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陳憲濤、陳亞秋、羅眉、易序馥、凌太華、艾相德、黎曉東本規(guī)范批準(zhǔn)人:研發(fā)管理辦;返回目錄1目的精彩文檔實用標(biāo)準(zhǔn)文案《器件應(yīng)力降額總規(guī)范》是本公司產(chǎn)品可靠性設(shè)計所必須依據(jù)的重要的基礎(chǔ)規(guī)范之一。通過對器件應(yīng)力(電應(yīng)力、熱應(yīng)力)的降額標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和在產(chǎn)品中的實際應(yīng)用,從而達(dá)到降低器件失效率、提高器件使用壽命、增強對供方來料質(zhì)
8、量的適應(yīng)性,以及對產(chǎn)品設(shè)計容差的適應(yīng)性,進(jìn)而最終達(dá)到提高產(chǎn)品可靠性