介質(zhì)單層膜光學(xué)特性及多層膜表面缺陷的研究

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1、武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要分質(zhì)薄膜材料在光學(xué)、電子學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,.I.a(chǎn)2仉薄膜材料更是其中一個(gè)熱點(diǎn)。Ta205廣泛應(yīng)用于各種光學(xué)薄膜,如光學(xué)平板顯示、光纖通信、分析儀器用濾光片等。本文對(duì)Ta205單層介質(zhì)膜光學(xué)特性以及由Ti02/Si02組成的多層膜的表面缺陷作了較深入的研究。采用正交實(shí)驗(yàn)法,得到了TazOs光學(xué)薄膜的最佳工藝參數(shù)。若要在近紫外區(qū)獲得透射率高的Ta20,薄膜,最佳工藝參數(shù)為基片溫度250℃、沉積速率5A,s、離子源氧氣流量為14scorn;而在近紅外區(qū)為基片不加烘烤、沉積速率5A,s或者7A,s、

2、離子源氧氣流量為18sccm。工藝參數(shù)對(duì)薄膜光學(xué)性能影響的主次為:基片溫度,離子源氧氣流量,沉積速率。采用分光光度計(jì)、原子力顯微鏡等系統(tǒng)地研究了基片溫度、薄膜厚度等對(duì)薄膜光學(xué)性能、微觀結(jié)構(gòu)性能的影響。結(jié)果表明:基片溫度越高,薄膜折射率越高?;瑴囟鹊奶岣邔?duì)降低Ta20,薄膜的表面粗糙度具有顯著的效果。隨著膜層厚度的增加,薄膜透射率極大值呈下降趨勢(shì),這表明膜層中吸收增加,但此時(shí)折射率變化不大。此外,厚度增加,薄膜均方根粗糙度增加。這是由于不同基片溫度下膜層生長模式不同造成的。采用光電子能譜(xPs)分析技術(shù)對(duì)薄膜的化學(xué)成分進(jìn)行分

3、析,薄膜的化學(xué)成分為Ta20s、TaO,(1a砣.5)、TaO,各自相對(duì)含量比為52.5:43.9:3.7;薄膜中O廠l阻原子比為2.69。采用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡及能譜分析技術(shù)對(duì)紅外截止濾光片表面的缺陷進(jìn)行研究。成功觀測(cè)到紅外截止濾光片表面的缺陷各種類型,主要為:凹坑、節(jié)瘤、雜質(zhì)缺陷等。其中凹坑是紅外截止濾光片實(shí)際生產(chǎn)過程中黑點(diǎn)不良的主要原因.而膜層表面所形成的粒度分布為2~1吮m的節(jié)瘤、針孔、凹坑,以及鍍膜前基片和鍍膜過程中、結(jié)束后所形成的雜質(zhì)缺陷是紅外截止濾光片的亮點(diǎn)形成的主要原因。黑點(diǎn)實(shí)質(zhì)多為膜層表面孔洞,來源于

4、鍍膜前基片表面殘留異物的污染,在鍍膜過程中發(fā)生脫落形成:亮點(diǎn)的形成多為鍍膜前或鍍膜過程中種子的存在所導(dǎo)致形成的包裹物缺陷,以及鍍膜后膜層表面異物的污染。本文對(duì)于Ta205薄膜的制備以及介質(zhì)薄膜光學(xué)特性研究具有重要的參考價(jià)值;對(duì)多層膜表面缺陷的類型、成因進(jìn)行了深入研究分析,對(duì)于多層膜的應(yīng)用研究及其實(shí)際生產(chǎn)具有重要的指導(dǎo)意義.關(guān)鍵詞:介質(zhì)膜、n205、光學(xué)性能、形貌、表面缺陷武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractDielectricmaterialsarecomprehensivelyappliedinopticsandelec

5、tries,especiallyfortantalumoxides(Ta20s).Asoncofthemostimportantdielectricmaterials,Ta20sthinfilmsarewidelyusedinthinfilmflatdisplays,cameras,opticalcommunicationdevices,analyticalinstrumentsandSOon.Inthisthesis,wemailyfocusedontheopticalpropertiesofTa202singklayers

6、andthemicrodefectsofinfaredCUtofffilter(取forshort)whichpreparedbytaking"1302andSi02ashighandlowrefi'activeindexmaterials.Theoptimizeddepositionparametershavebeenobtainedbyorthogonalexperiments,whichrevealthatthebestopticalpropertieswillbeachievedinthenear-ultrav/ole

7、twavelengthregionunderthecondition:substratetemperature250"C,depositionrate5~s,oxygenflow14sccm;whileinthenem'-infaredwavelengthregion:substratenobaked,depositionrate5k/s(or7k/s),oxygenflow18sccm.TheinfluenceofsubstratetempcratureandfilmtllicknessnOtheopticalandstru

8、cturepropertiesofTa202thinfilmshasbeeninvestigatedbyspectrophotometerandatomjcforcemicroscopy(A丹田.Resultsshowthat:therefractiveindexincrea

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