光伏產(chǎn)業(yè)相關資料

光伏產(chǎn)業(yè)相關資料

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1、背景資料一、2009年光伏產(chǎn)業(yè)情況近幾年來,全球光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以每年40%以上的速度增長,2007年我國首次成為世界第一生產(chǎn)大國,2008年占世界產(chǎn)量的1/3,2009年世界太陽能電池總產(chǎn)量達到10.03GW,其中我國太陽能電池產(chǎn)量達4011MW,占世界總產(chǎn)量的40%。全國前十名商家如下,生產(chǎn)總量達到了3708MW,占我國全部產(chǎn)量的92%。排序公司名稱產(chǎn)量,MWp1無錫尚德9502保定英利5273河北晶奧5044常州天合4265江蘇林洋3166蘇州阿特斯3157常州億晶2008南京中電1809寧波太陽能15

2、010浙江向日葵140世界2009年生產(chǎn)電池前四位的企業(yè)分別是美國的FirstSolar1092MW,中國的尚德950MW,日本夏普870MW,德國Q-cells公司800MW等。二、光伏產(chǎn)業(yè)的預測:2009年全球累計裝機量已達21GW,但僅占全球發(fā)電裝機容量(約60億千瓦)的0.35%。據(jù)國際能源署預測:到2020年,全球光伏電池年產(chǎn)量將達40GW,累計安裝量將達到195GW,年光伏發(fā)電總量將達到274TW,占全球發(fā)電總量的1%;到2040年,光伏發(fā)電總量將達到7368TW,占全球發(fā)電總量的21%;到20

3、50年太陽能光伏在全球能源的比重將達到25%,2100年將達到64%,太陽能光伏成為主導能源。中國2009年累計裝機容量300MW,2015年將會達到5GW,2020年將會達到20GW。三、光伏產(chǎn)業(yè)已進入后補貼時代2008年全球金融危機以來,更主要的是產(chǎn)業(yè)自身發(fā)展規(guī)律所致,歐盟各主要國家紛紛調整和縮減了國內(nèi)的光伏支持政策。2009年初,西班牙對其國內(nèi)的太陽能產(chǎn)業(yè)補貼政策進行了調整,補貼規(guī)模由2008年的2511MW降至2009年的不足500MW。2010年1月,德國宣布光伏上網(wǎng)電價下調15%,與此同時,法國

4、也宣布緊縮本國光伏支持政策,屋頂太陽能面板的電力強制收購補助費率由2006年制定的每千瓦時0.55歐元下降至0.42歐元??梢哉f,目前整個歐洲光伏補貼政策正在逐漸淡出,光伏產(chǎn)業(yè)的后補貼時代已經(jīng)來臨。以前世界光伏市場空間巨大,企業(yè)利潤明顯,促使我國國內(nèi)其他行業(yè)許多企業(yè)轉向投資光伏產(chǎn)業(yè)。這些企業(yè)在中國光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大和影響力增強過程中做出了一定的貢獻,但是,也給產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來了一些問題。這些企業(yè)中,較多為原來從事勞動密集型產(chǎn)業(yè),靠的是從國外買設備、買技術進行生產(chǎn),核心競爭力不強。中國企業(yè)長期依賴的低人力資本形成的

5、低價策略優(yōu)勢將不再,我國光伏企業(yè)的競爭力將下降。提升技術先進程度,簡化現(xiàn)有工藝,提高現(xiàn)有工藝的集成度,提高資源利用效率是企業(yè)控制成本、保持旺盛競爭力的決勝點。四、太陽能光伏技術趨勢(一)技術現(xiàn)狀太陽電池技術大致可以分為三代:第一代是晶體硅太陽電池,包括單晶硅、多晶硅太陽電池;第二代是半導體薄膜太陽電池,包括非晶硅、砷化鎵、碲化鎘、銅銦鎵硒;第三代是新型太陽電池,包括染料敏化、寬光譜、疊層多結、量子點/納米、有機電池等多種新概念電池。太陽電池研究的挑戰(zhàn)在于效率、成本、壽命等三方面的共同進步。轉化效率每提高1%

6、,發(fā)電成本將會降低10%-15%,目前晶硅電池的轉化效率世界實驗室技術已達25%、先進技術已達20%、線體技術已達17%,預計2020年線體技術效率將達25%。正在研究的第二代太陽能電池的轉換效率將達到40%,第三代太陽能電池轉換效率將達到80%。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入以技術求生存的時代。詳見下圖太陽能光伏技術1954年誕生于美國貝爾實驗室,當時轉換效率為6%,造價為357美元/瓦,1957年應用于人造衛(wèi)星,特別是90年代后,光伏技術得到了快速發(fā)展。具體情況見下表:類別具體分類轉換效率%優(yōu)點缺點產(chǎn)業(yè)化階段晶

7、體硅太陽能電池單晶硅16-18技術工藝最為成熟,市場主導產(chǎn)品,轉換效率高,性能穩(wěn)定原料成本高,受上游晶體硅制約大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)多晶硅13-16多晶硅成本比單晶低效率較低,原料成本仍相對較高大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)多晶硅薄膜10-12可在多種廉價襯底材料上制備,成本低于晶體硅電池轉化率相對較低中小規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)非晶硅薄膜5-7對太陽能的吸收系數(shù)高,因此材料需求量少,可沉積在各種廉價材料上,生產(chǎn)成本低,單片電池面積大,適宜于大規(guī)模生產(chǎn)對太陽光輻射的長波區(qū)域不敏感,致使轉換效率難以提高;有光致衰退現(xiàn)象中小規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)化

8、合物薄膜電池銅銦鎵硒10-12直接帶隙材料,帶隙寬度小,具有大范圍太陽光譜響應特性,性能穩(wěn)定In,Se皆為稀有金屬,如大規(guī)模生產(chǎn),原料來源將成問題實驗室中試階段碲化鎘8-10光譜響應特性好,弱光和高溫條件下表現(xiàn)相對好,耐輻射Cd及化合物皆有毒,污染環(huán)境中小規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)砷化鎵25.1±0.8帶隙寬度Eg為1.5eV,光譜響應特性和太陽光譜非常吻合,光吸收率極高,轉換效率高,性能穩(wěn)定成產(chǎn)成本高,現(xiàn)用于太空領域,未來

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