az31鎂合金微弧氧化膜制備工藝的研究

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1、江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要本文以提高鎂合金的耐磨性和耐腐蝕性為目的,研究了AZ31B鎂合金的微弧氧化工藝。分別探討了以硅酸鹽、磷酸鹽為主要成膜劑的電解液以及多種輔助劑對(duì)鎂合金進(jìn)行表面微弧氧化處理的影響。通過正交試驗(yàn)的分析確定了微弧氧化電解液的最佳配比濃度,研究了微弧氧化電參數(shù)對(duì)AZ31B微弧氧化的影響并結(jié)合鎂合金微弧氧化膜層的表面形貌、相組成、膜層厚度、結(jié)合力及耐腐蝕、耐磨性能等檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行了理論分析。研究結(jié)果表明,以硅酸鹽為主要成膜劑,加入氟化鈉、氫氧化鉀和甘油等輔助劑之后,較僅采用單一成膜劑時(shí)形成的微弧氧化膜層性能有明顯的提高。主要表現(xiàn)在鎂合金在較短時(shí)間內(nèi)可以穩(wěn)定起弧,微弧氧化膜層表面

2、平整,孔徑較小且分布均勻,使膜層的結(jié)合力以及耐腐蝕性能也得到顯著的提高。對(duì)于AZ31B鎂合金而言采用恒壓模式進(jìn)行微弧氧化,由于在反應(yīng)過程中電壓逐漸下降,使得膜層的性能與質(zhì)量較難控制。如在恒壓控制模式下加以適當(dāng)?shù)呢?fù)向電壓,便可使AZ31B在較高且較平穩(wěn)的電流密度下進(jìn)行微弧氧化處理,使得膜層的厚度和耐腐蝕性能都得到了一定的提高。關(guān)鍵詞:鎂合金,微弧氧化,膜層,負(fù)向電壓,耐腐蝕性能江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTInthispaper,magnesiumalloyofAZ31Bwasstudiedseparatelyinasilicate,phosphateasthemainfilmint

3、otheelectrolyteofmagnesiumalloysamplesweremicro—arcoxidationtreatment,andresearchonavarietyofauxiliarymagnesiumalloymicro-arcoxidationprocess,thebeRertheresponsetodeterminetheeffectoftheelectrolytebetteraftermicro-arcoxidationpowerofthemodelindetail,inparticulartothenegativevoltageonthemicro—arco

4、xidationprocesstodoallin-depthstudy.Testsofmagnesiumalloymicro-arcoxidationfilmofthesurfacemorphology,phasecomposition,thickness,bondingstrengthandcorrosionresistanceCanbetested.Theresultsshowthatthechoiceofelectrolyteinthemainintosilicatefilmatthesametime,addsodiumhydroxide,potassiumhydroxideand

5、glycerolonmicro-arCoxidationfilmhasamoresignificantimpact,notonlymagnesiumalloyspecimensarcinarelativelyshorttimesince,greatlyreducingthemicro—arcoxidationofreactiontime,butalsothroughtheobservationofsurfacemorphologyfoundthataftertheformationofmicro—arCoxidationofthefilmformationandmoresmallerap

6、erture,thusthecombinationoffilmandcorrosionresistancearemoresignificantimpactonperformancehasbeenenhanced.Atthesametime,thisarticleinthewayofmicro-arCoxidationpowerofthestudyfoundthatinthepreviousstudyusedtheconstantpressuremodeloftheimpactofthesurfacelayerhasalargerlimit,becausetheprocessofvolta

7、geinresponsetothefilmbroughtaboutagradualdeclineinthesignificantnegativeeffects,theeffectoffilmSOfarfromideal,butatthesametimeatconstantpressureprocessmustbegiventothenegativevoltage,canbehi.ghandstablecurrentdensityof

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