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《砷化鎵基半導(dǎo)體材料抗輻照噪聲表征參量研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、摘要砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，在高能對(duì)撞物理實(shí)驗(yàn)、航天科技和核放射性廢料檢測(cè)等輻照環(huán)境下有著重要的應(yīng)用。為此，對(duì)砷化鎵材料的輻照效應(yīng)及其抗輻照能力進(jìn)行研究是很有意義的．但目前我國(guó)還未見(jiàn)有一種簡(jiǎn)單、快速且完全非破壞性的技術(shù)來(lái)對(duì)其抗輻射能力進(jìn)行評(píng)估．低頻噪聲在表征硅器件的輻照損傷時(shí)取得了極大的成功，而且它的技術(shù)特點(diǎn)也符合對(duì)砷化鎵材料輻照損傷進(jìn)行表征的技術(shù)要求．本文采用傳統(tǒng)的電學(xué)參數(shù)測(cè)量技術(shù)和低頻噪聲技術(shù)，對(duì)砷化鎵材料的低劑量伽瑪輻照效應(yīng)進(jìn)行了研究。通過(guò)傳統(tǒng)電學(xué)參數(shù)和低頻噪聲表征參量的對(duì)比，結(jié)果發(fā)現(xiàn)輻照后噪聲表征參量的退化比屯學(xué)參數(shù)的退化贏了一個(gè)數(shù)量緩。這說(shuō)明了在表征砷
2、化鎵材料抗輻照能力方面，低頻噪聲參量比傳統(tǒng)電學(xué)參數(shù)更加的靈敏。本論文的主要工作和結(jié)論有：(1)詳細(xì)研究了砷化鎵材料輻照損傷的微觀機(jī)制，提出了低劑量伽瑪輻照對(duì)砷化鎵材料的影響主要是使其中的缺陷帶電狀態(tài)發(fā)生改變的觀點(diǎn)．(2)分析了傳統(tǒng)電學(xué)參量和低頻噪聲參量對(duì)輻照的響應(yīng)過(guò)程，解釋了它們的表征原理。(3)分別建立了砷化鎵材料輻照損傷的屯學(xué)模型和噪聲表征模型，提取了相應(yīng)的表征參量，分析了其表征機(jī)制。(4)設(shè)計(jì)并完成了PHEMT的輻照實(shí)驗(yàn)，測(cè)量了其輻照前后的電學(xué)參數(shù)和低頻噪聲，發(fā)現(xiàn)噪聲表征參量對(duì)輻照的響應(yīng)比傳統(tǒng)電學(xué)表征參數(shù)敏感。(5)對(duì)比理論模型和實(shí)驗(yàn)結(jié)果，驗(yàn)證了模型的正確性．關(guān)鍵詞
3、：砷化鎵材料輻照損傷表征參量低頻噪聲AbstractAsatypicalsortofsemiconductormaterialofsecondgeneration,Gallinmarsenicenjoysmanysignificantapplicationsinvariousradioactiveenviroranentssuchasthebumpexperimentofhighenergyparticles，aviationandaeronautictechnology,monitortotheradioactiveflotsam,andsoOn．AsaresuIt．i
4、tdoesmakeSensetoundertakeadetailedresearchintotheirradiationeffectofthematerialinordertoimproveitsquality．However,atechnicalmethod,whichissimplyandfastinoperatingandoDmpletelynon-destructiveinestimatingtheanti-radiationcharacteristicsoftheraaterial．isnotyetavailableindomesticresearchpract
5、ices．Thetechnicalpropetryoflow-frequencynoisemeasurement,whichhasprovedtobeapowerfultoolincharacterizethedamageofsiliconcomponentduetoirradiation,couldfIIllYmeettherequirementsincharacterizingtheirradiationdamageoftheGalliumarsenicmaterial．Inthisthesis,aresearchintothe忍diationeffectofGalf
6、iumarsenicinlowdosegammairradiationbytraditionalelectricalparametersandlow-frequencynoiseparametersmeasurementtechnologyisperformed．Afteracomparisonbetweentraditionalelectricalparametersandlow-frequencynoiseparameters，wecanfindoutthatthedegradationoflow．frequencynoiseparametersisonelevel'
7、8morethantheformerones．Itcouldimplythatlow．frequencynoiseparametersa∞moresensitivethantheelectricalparametersOUthecharacterizationofGallinmarsenicanti-radiationcharacteristics．Heteatethemaincontributionsandconclusionsofthispaper：(1)Wehaveundertakenadetailedresearchi
