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1、⑧論文作者簽名：鹽監(jiān)』成指導(dǎo)教師簽名論文評(píng)閱人1：睦鱉3蔓』熬拯)逝洹王些太堂評(píng)閱人2：睦鮭3副塾拯3直立筮窒航丞盤(pán)堂評(píng)閱人3：周≥邑經(jīng)3熬量3主國(guó)鹽量堂瞳評(píng)閱人4：評(píng)閱人5：答辯委員會(huì)主席：睦l旦生3塾拯3逝洹態(tài)堂委員1：途焦澧3熬拯3逝江太堂委員2：惑丞至3直亟三猩盟3主電圣魚(yú)壓委員3：鹽壬3副塾拯∑逝洹盍堂委員4：翅益生3到數(shù)拯3逝洹態(tài)堂委員5：答辯日期：2Q!壘：Q三=逝Author’Ssignatu一‘●Nupervisor7SSlgnExternalReviewers：AstronauticsExaminingCommitteeChairperso
2、n：Dateoforaldefence：2014-03．06浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文SiC單相光伏逆變器效率分析學(xué)位申請(qǐng)人：導(dǎo)師：⑧胡光鋮徐德鴻教授浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子技術(shù)研究所2014年2月ThesisSubmittedtoZhejiangUniversityforM．S．DegreeEfficiencyEvaluationofSingle—-PhaseSiCPVInverterGuangchengHuSupervisor：Prof．DehongXuInstituteofPowerElectronicsCollegeofElectricalEnginee
3、ringZhejiangUniversity,Hangzhou，ER．ChinaFebruary,2014浙江大學(xué)研究生學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得逝姿盤(pán)堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名：巧目七餓簽字日期：加f中年，鄉(xiāng)月“日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解逝墊盤(pán)鱟有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)
4、或機(jī)構(gòu)送交本論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)逝姿盤(pán)堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索和傳播，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書(shū))學(xué)位論文作者簽名：七日婊娥導(dǎo)師簽名：簽字日期：矽燁年。弓月“日簽字日期：年月日浙江大學(xué)碩士論文摘要SiC功率器件優(yōu)異的性能引起了廣泛關(guān)注，在光伏發(fā)電中應(yīng)用研究也是當(dāng)前的熱點(diǎn)。對(duì)單相光伏逆變的主要結(jié)構(gòu)以及常用的單相逆變器結(jié)構(gòu)進(jìn)行了綜述，逆變器是光伏逆變器系統(tǒng)的核心環(huán)節(jié)，本文將SiCMOSFET應(yīng)用于光伏逆變器中，研究SiCMOSFET對(duì)于逆變器
5、效率提升的影響。SiCMOSFET的特性與傳統(tǒng)的SiMOSFET有很大的差別，而且常用于高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合，易出現(xiàn)誤觸發(fā)現(xiàn)象。根據(jù)SiCMOSFET的特性以及應(yīng)用特點(diǎn)，在電路結(jié)構(gòu)、電阻設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)電壓、可靠性設(shè)計(jì)等方面進(jìn)行綜合考慮，設(shè)計(jì)了SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路。SiCMOSFET體二極管反向恢復(fù)特性優(yōu)異，能夠直接應(yīng)用于全橋硬開(kāi)關(guān)逆變器中，為了提升逆變器的功率密度，將SiCMOSFET全橋逆變器的開(kāi)關(guān)頻率提高至100kHz，對(duì)逆變器的主要參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計(jì)。器件工作于硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)，根據(jù)電路的工作狀態(tài)，進(jìn)行了逆變器布局優(yōu)化，以減小關(guān)鍵回路上的雜散電感；并分析了逆變器的效率
6、，與基于SiMOSFET的20kHzH6逆變器進(jìn)行了效率對(duì)比；同時(shí)將SiCMOSFET全橋逆變器的工作頻率降低至20kHz，并進(jìn)行了效率分析。最后搭建了實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，測(cè)試了相應(yīng)的效率曲線，并進(jìn)行了對(duì)比。對(duì)100kHz的SiCMOSFET全橋逆變器的損耗進(jìn)行了研究分析，找出影響其效率的主要因素。為了進(jìn)一步提高逆變器的效率，根據(jù)逆變器的工作狀態(tài)，在逆變器中采用了ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。首先對(duì)軟開(kāi)關(guān)電路的工作過(guò)程進(jìn)行了闡述，并進(jìn)行了相關(guān)參數(shù)的設(shè)計(jì)；其次，根據(jù)電路的工作狀態(tài)，對(duì)軟開(kāi)關(guān)逆變器的效率進(jìn)行了分析，并與硬開(kāi)關(guān)全橋逆變器的效率進(jìn)行了對(duì)比。搭建了SiCMOSFET軟開(kāi)關(guān)逆變
7、器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，觀察逆變器的工作波形，與理論分析進(jìn)行對(duì)比，驗(yàn)證該軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的合理性；測(cè)試逆變器的效率，在不同的功率下調(diào)整軟開(kāi)關(guān)的相關(guān)參數(shù)，使逆變器的效率最大化，并將軟開(kāi)關(guān)逆變器的實(shí)驗(yàn)效率曲線與硬開(kāi)關(guān)的效率曲線進(jìn)行對(duì)比。關(guān)鍵詞：SiCMOSFET；光伏逆變器；效率：軟開(kāi)關(guān)；損耗浙江大學(xué)碩士論文AbstractSiCpowerdeviceshavesuperiorcharacteristicsandgetwellconcerned，andthefieldofPVdistributedgeneratorsystemsisafocusofcurrent．Thestruct
8、ureofresidentialPVi
