資源描述：
《金屬互連電遷移噪聲非高斯性研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、摘要現(xiàn)代集成電路互連線的有效截面積已達(dá)到l平方微米量級(jí)以至于更小。因此，當(dāng)電流達(dá)到毫安量級(jí)將導(dǎo)致電流密度達(dá)到兆安每平方厘米數(shù)量級(jí)。在這種情況下電遷移現(xiàn)象極為明顯。金屬互連電遷移已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路主要失效模式之一．電阻是金屬互連電遷移傳統(tǒng)表征參量．噪聲表征技術(shù)比電阻更為靈敏和全面。以往都是將噪聲信號(hào)當(dāng)作高斯信號(hào)，而且電遷移噪聲表征模型也是基于高斯過程的．實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)電遷移過程的某些階段噪聲信號(hào)具有非高斯性．這種非高斯性產(chǎn)生自遷移動(dòng)力學(xué)機(jī)制，因此通過非高斯性分析，可以從噪聲中提取電遷移相關(guān)動(dòng)力學(xué)信息．本文在電遷移失效機(jī)理和噪聲非高斯性的理論基礎(chǔ)上，將非高斯信
2、號(hào)檢測(cè)方法引入電遷移噪聲時(shí)間序列的分析，通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)在電遷移前期噪聲信號(hào)以高斯噪聲為主，在空洞成核時(shí)期發(fā)生非高斯跳變，轉(zhuǎn)而以非高斯噪聲為主．引入高階統(tǒng)計(jì)量f對(duì)電遷移噪聲信號(hào)的非高斯性進(jìn)行定量描述．將實(shí)驗(yàn)過程中非高斯性參量變化與電阻及傳統(tǒng)的噪聲表征參量進(jìn)行了對(duì)比，表明，可以更為敏感地反映了電遷移動(dòng)力學(xué)機(jī)制．為了解釋實(shí)驗(yàn)結(jié)果并進(jìn)一步建立基于噪聲非高斯性參量的電遷移噪聲表征模型，本文通過引入自由體積的概念，采用散射理論，從理論解釋了電遷移噪聲信號(hào)非高斯性產(chǎn)生的原因與機(jī)制。所建立的數(shù)學(xué)模型證明理論預(yù)期與實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致．這些工作為噪聲非高斯性參量可作為一種新的電遷移表
3、征參量以及建立相應(yīng)的表征模型奠定了基礎(chǔ)．關(guān)鍵詞：電遷移互連噪聲非高斯性AbstractTheinterconnectionlinesofmodernintegratedcircuitshaveeffectivecrosssectionsintherangeof1／an2orless．Therefore，currentsofafewmilliampsresultincurrentdensitiesintherangeofMA／cln-2．Undertheseconditions。thcphenomenofelectromlgrationarises．Elec
4、tromigrationhasbeenoneoftheimportantinvalidationinVLSI．resistanceisthetraditionaltokenparameterofelectromigration：noiseisthen哪tool，moresensitiveandcomplete．Thepastnoisewcl'eregardasGaussiannoiseintheelectromigrationanalysis，andthemodelbasedonGaussianprocess；thenon-gaussiannoisewer
5、efoundintheelectromigrationexperimentphase．Thenon-gaussiannoiseoriginedfromthedanamicalmechanism，soelectromigrationdanamicalinformationcanobtainedfromnon-gaussiananalysisofthedanamicalparameter．Basedonabriefdescriptiontothedamagemechanismforelectromigrationandnon-gaussianofnoiseth
6、eories，analysedtheelectromigrationnoiseusedbynon—gaussianmeasuredtools，foundanewexperimentphenomenon--thenon-gaussiannoiseexistinthewholeelectromigrafioapIO∞輻；thegamsian∞i∞dominantintheearlystage，thenon-gaussiannoisedominantinthevoidsnucleationandgrowthstage．Anewparmneter彳Wasbroug
7、httocharacterthenon-gaussiannoiseinelectmmigrationprocess,thencontrastitwiththeresistanceandconventionalnoiseparameter．Intheforth鰣留麗咀，w℃introducedthefreevolume，describedtheelectronscatteringmechanisms，simpledthecomplexelectromigrationprocess．Basedonthefreevolume,builtan唧elecUomigr
8、atinnmodel--non-gaussiannoisemode
