型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體ppt培訓(xùn)課件

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1、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體硅或鍺中摻入微量的其它適當(dāng)元素后所形成的半導(dǎo)體根據(jù)摻雜的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型導(dǎo)體P型導(dǎo)體1.N型半導(dǎo)體摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷、砷）的雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4摻入少量五價(jià)雜質(zhì)元素磷P+4+4+4+4+4+4+4+4+4P多出一個(gè)電子出現(xiàn)了一個(gè)正離子+4+4+4+4+4+4+4+4P++++++++++++++++++++++++++++++++++++半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子c.電子是多數(shù)載流子，簡稱多子;空穴是少數(shù)載流子，簡稱少子。e.因電子帶負(fù)電，稱這種半導(dǎo)體為N(negative)型或電子型半導(dǎo)體。f.

2、因摻入的雜質(zhì)給出電子，又稱之為施主雜質(zhì)。b.N型半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的(自由）電子和正離子?？梢姡篸.np×nn=K(T)a.N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量五價(jià)雜質(zhì)元素形成的。g.負(fù)電荷=受主雜質(zhì)產(chǎn)生的（majority）+本征激發(fā)產(chǎn)生的（minority）；正電荷(空穴)=受主負(fù)雜質(zhì)離子（majority）+本征激發(fā)產(chǎn)生的（minority）；負(fù)電荷總數(shù)（多子電子）=正電荷總數(shù)（少子空穴+受主負(fù)離子）h.半導(dǎo)體整體是電中性的2.P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼等。B+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4B出現(xiàn)了一個(gè)

3、空位+4+4+4+4+4+4B+4+4+4+4+4+4+4+4B+4+4負(fù)離子空穴------------------------------------半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的空穴和負(fù)離子c.空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。e.因空穴帶正電，稱這種半導(dǎo)體為P(positive)型或空穴型半導(dǎo)體。f.因摻入的雜質(zhì)接受電子，故稱之為受主雜質(zhì)。a.P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量的三價(jià)雜質(zhì)元素形成的。b.P型半導(dǎo)體產(chǎn)生大量的空穴和負(fù)離子。可見：d.np×nn=K(T)g.正電荷(空穴)=受主雜質(zhì)產(chǎn)生的（majority）+本征激發(fā)產(chǎn)生的（minority）；負(fù)電荷=受

4、主負(fù)雜質(zhì)離子（majority）+本征激發(fā)產(chǎn)生的（minority）；正電荷總數(shù)（多子空穴）=負(fù)電荷總數(shù)（少子電子+受主負(fù)離子）h.半導(dǎo)體整體是電中性的